「to-220ab」の検索結果

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本日6月7日(土)は、モノタロウブランドの全商品がキャンペーンコード入力で通常価格より 10％引き！

キャンペーンコード 000025250620

RFP70N06 ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 70 A， 3 ピンパッケージTO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 70 A， 3 ピンパッケージTO-220AB

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 70 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 2250 pF @ 25 V強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応

1個

￥367 税込￥404

5日以内出荷

MJE18004G ON Semiconductor NPN トランジスタ， 450 V， 5 A， 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ， 450 V， 5 A， 3-Pin TO-220AB

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 13 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1個

￥238 税込￥262

5日以内出荷

TIP30CG ON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 100 V， 1 A， 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 100 V， 1 A， 3-Pin TO-220AB

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W最小DC電流ゲイン = 15トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用PNPトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(10個)

￥837 税込￥921

5日以内出荷

D44VH10G ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 80 V， 15 A， 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 80 V， 15 A， 3-Pin TO-220AB

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 83 W最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 20 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.2 V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥850 税込￥935

翌々日出荷

MJE15033G ON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 250 V， 8 A， 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 250 V， 8 A， 3-Pin TO-220AB

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50 W最小DC電流ゲイン = 10トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 9.28mm先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥1,302 税込￥1,432

6日以内出荷

D45H8G ON Semiconductor PNP トランジスタ， 60 V， 10 A， 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ， 60 V， 10 A， 3-Pin TO-220AB

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 2 W最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 40 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1 V先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor

1個

￥140 税込￥154

5日以内出荷

MJE5852G ON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 400 V， 8 A， 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 400 V， 8 A， 3-Pin TO-220AB

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1個

￥552 税込￥607

翌々日出荷

BUX85G ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 450 V， 2 A， 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 450 V， 2 A， 3-Pin TO-220AB

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 50000 mW最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 4 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(2個)

￥309 税込￥340

翌々日出荷

MJE13007G ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 8 A， 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 8 A， 3-Pin TO-220AB

エコ商品

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥1,060 税込￥1,166

翌々日出荷

FDP2532 ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 8 A， 3 ピンパッケージTO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 8 A， 3 ピンパッケージTO-220AB

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 310000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 39 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1個

￥590 税込￥649

5日以内出荷

FDP42AN15A0 ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 5 A， 3 ピンパッケージTO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 5 A， 3 ピンパッケージTO-220AB

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 42 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 150 W標準ターンオフ遅延時間 = 27 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥1,940 税込￥2,134

5日以内出荷

RFP50N06 ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 50 A， 3 ピンパッケージTO-220AB MegaFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 50 A， 3 ピンパッケージTO-220AB MegaFET シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 131 Wトランジスタ素材 = SiMegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応

1個

￥372 税込￥409

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FQP27P06 ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピンパッケージTO-220AB QFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピンパッケージTO-220AB QFET シリーズ

(2件すべてのレビューを見る)

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 120000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 30 nsQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥1,588 税込￥1,747

翌々日出荷

BUZ11-NR4941 ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 30 A， 3 ピンパッケージTO-220AB ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 30 A， 3 ピンパッケージTO-220AB

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 30 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 75Wトランジスタ素材 = Si強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥955 税込￥1,051

欠品中

FQP17P06 ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 17 A， 3 ピンパッケージTO-220AB QFET シリーズ ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 17 A， 3 ピンパッケージTO-220AB QFET シリーズ

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 120 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 79 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 21 nC @ 10 VQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。 RoHS指令(10物質対応)対応

1袋(5個)

￥1,510 税込￥1,661

5日以内出荷

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET

1個ほか

￥82～税込￥90～

翌々日出荷から5日以内出荷

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ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル MOSFET

1袋(10個)ほか

￥819～税込￥901～

翌々日出荷から5日以内出荷

バリエーション一覧へ (251種類の商品があります)

J111 ON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTOR

ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル JFETトランジスタ， 3-Pin TO-92

エコ商品

仕様チャンネルタイプ = NIDSSドレイン-ソースカットオフ電流 = min. 20mA最大ゲート-ソース間電圧 = -35 V最大ドレイン-ゲート間電圧 = 35Vトランジスタ構成 = シングル最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 Ω実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-92ピン数 = 3ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス = 28pFソースゲートオンキャパシタンス = 28pF寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm長さ = 5.2mmNチャンネルJFET、Fairchild Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応