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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 6.5 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro￥1,898税込￥2,0881袋(5個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 6.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 745 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 25 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 17.4 nC @ 10 Vmm●高さ ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET400 V 9 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro￥11,980税込￥13,1781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 400 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 550 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronics
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 21.7V， SM15T12A
STMicro￥639税込￥7031袋(5個)7日以内出荷仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 21.7V●最小ブレークダウン電圧 11.4V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ SMC●最大逆スタンドオフ電圧 10.2V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 461A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 7.15×6.25×2.45mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 80 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro￥13,980税込￥15,3781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 80 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 15 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 45 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 7 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro￥14,980税込￥16,4781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 600 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 950 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
STMicro￥169,800税込￥186,7801セット(1000個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 18 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 110 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 80 A， 3-Pin TO-247 シングル
STMicro￥1,598税込￥1,7581袋(2個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 ： 80 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●最大パワー消費 ： 250 W●パッケージタイプ ： TO-247●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●スイッチングスピード ： 1MHz●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 15.75×5.15×20.15mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 3.5 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro￥19,980税込￥21,9781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.7 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics MOSFETゲートドライバ 0.6 A SO 1 16-Pin ハーフブリッジ 反転 表面実装
STMicro￥2,698税込￥2,9681袋(5個)7日以内出荷仕様●出力電流 ： 0.6 A●供給電圧 ： 16V●ピン数 ： 16●パッケージタイプ ： SO●出力数 ： 1●トポロジー ： ハーフブリッジ●高/低サイド依存性 ： 依存●時間遅延 ： 400ns●ブリッジタイプ ： ハーフブリッジ●極性 ： 反転●実装タイプ ： 表面実装●MOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 13.7V， SMAJ6.0A-TR
STMicro￥1,898税込￥2,0881袋(100個)7日以内出荷仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 13.7V●最小ブレークダウン電圧 6.7V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 6V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 170A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 50μA●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 10 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro￥859～税込￥945～1個ほか7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET450 V 600 mA 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピン
STMicro￥199,800税込￥219,7801セット(4000個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 600 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 450 V●シリーズ ： MDmesh K3， SuperMESH3●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.8 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 2 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●幅 ： 3.7mm●高さ ： 1.8mm●NチャンネルMDmesh(TM) K3シリーズ、SuperMESH3(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 50 V， 500 mA， 18-Pin DIP
STMicro￥8,898税込￥9,7881セット(20個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 50 V●パッケージタイプ ： DIP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 18●トランジスタ構成 ： コモンエミッタ●1チップ当たりのエレメント数 ： 8●最小DC電流ゲイン ： 1000●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 1.6 V●長さ ： 23.24mm●ダーリントントランジスタアレイ、STMicroelectronics. ダーリントントランジスタドライバは、複数のオープンコレクタダーリントンペアと、誘導負荷用の集積サプレッションダイオードを備えた、高電圧・大電流スイッチアレイです。 定格電流は、各出力につき500 mA以上と大きくなっています。 ICパッケージにおいて入力は出力の反対側に固定されており、アプリケーション基板レイアウトが簡素化されます。 インターフェイスは、標準のTTL又はCMOS論理レベルです。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 14 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥619税込￥6811個7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 250 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 110W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 12 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro￥799税込￥8791個9日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 12 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●パッケージタイプ ： TO-220FP●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 320 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 25 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●動作温度 Max ： +150 ℃●高さ ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics LEDドライバ IC， 100mA 24-Pin TSSOP
STMicro￥1,598税込￥1,7581袋(5個)7日以内出荷仕様●出力電流 ： 100mA●入力電圧 ： 3 → 5.5 V●AC/DC入力電圧 ： ac●用途 ： LED照明●パッケージタイプ ： TSSOP●ピン数 ： 24●出力電圧 Max ： 20V●定格電流 ： 5 → 100mA●LEDアレイドライバ、STMicroelectronics. このLEDアレイドライバは、定電流制御と、高輝度LEDの駆動に必要なすべての機能を搭載しています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
STMicro￥1,698,000税込￥1,867,8001セット(1000個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 650 V●シリーズ ： MDmesh M5●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 79 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 190 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 4.6mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥8,698～税込￥9,568～1セット(50個)7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 35 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン
STMicro￥2,298税込￥2,5281袋(10個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 28 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 70 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 23 nC @ 5 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 120 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
STMicro￥1,098税込￥1,2081袋(2個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 40 V●シリーズ ： STripFET II●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 5 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 300 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 110 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 3.5 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥18,980税込￥20,8781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 1000 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.7 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 125 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 100V， SMAJ48A-TR
STMicro￥77,980税込￥85,7781セット(5000個)7日以内出荷仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 100V●最小ブレークダウン電圧 53.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 48V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 23A●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 200nA●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， スルーホール， 529V， 1.5KE300A
STMicro￥43,980税込￥48,3781袋(600個)7日以内出荷仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 529V●最小ブレークダウン電圧 285V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 256V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 19A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics MOSFETゲートドライバ 0.65 A SOIC 2 8-Pin ハーフブリッジ 非反転 表面実装
STMicro￥1,198～税込￥1,318～1袋(5個)ほか7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピン
STMicro￥319,800税込￥351,7801セット(2500個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●シリーズ ： STripFET(TM)実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 55 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 2 W●トランジスタ構成 ： 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 ： -15 V， +15 V●幅 ： 4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)デュアルMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 100 V， 10 A， 3-Pin TO-220
STMicro￥5,998税込￥6,5981セット(50個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大連続コレクタ電流 ： 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 750●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.2mA●幅 ： 4.6mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 121V， SMAJ58A-TR
STMicro￥589税込￥6481袋(25個)7日以内出荷仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 121V●最小ブレークダウン電圧 64.4V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 58V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 19A●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●長さ 4.6mm●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET550 V 13 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥549税込￥6041個7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 550 V●シリーズ ： MDmesh M5●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 240 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 90 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●幅 ： 4.6mm●高さ ： 15.75mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM)M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 60 A， 3-Pin TO-247 シングル
STMicro￥699税込￥7691個翌々日出荷RoHS指令(10物質対応)対応STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， スルーホール， 265V， P6KE150A
STMicro￥579税込￥6371袋(10個)7日以内出荷仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 265V●最小ブレークダウン電圧 143V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 128V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 15A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 6.75×3.53×3.53mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics
STMicroelectronics PNP ダーリントントランジスタ， 100 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)
STMicro￥119,800税込￥131,7801セット(2500個)7日以内出荷仕様●トランジスタタイプ ： PNP●最大連続コレクタ電流 ： 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最小DC電流ゲイン ： 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧 ： 4.5 V●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ： 4 V●最大コレクタカットオフ電流 ： 0.01mA●幅 ： 6.2mm●PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 20 A， 3-Pin TO-220 シングル
STMicro￥1,698税込￥1,8681袋(5個)7日以内出荷仕様●最大連続コレクタ電流 ： 20 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 ： ±20V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●チャンネルタイプ ： N●ピン数 ： 3●トランジスタ構成 ： シングル●寸法 ： 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 50 V， 1.75 A， 16-Pin PDIP
STMicro￥1,298税込￥1,4281個欠品中RoHS指令(10物質対応)対応STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， スルーホール， 27.2V， P6KE15A
STMicro￥389税込￥4281袋(10個)翌々日出荷仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 27.2V●最小ブレークダウン電圧 14.3V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 12.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 147A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 6.75×3.53×3.53mm●幅 3.53mm●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン
STMicro￥21,980税込￥24,1781セット(30個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 500 V●シリーズ ： MDmesh●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 158 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 150 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 3 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥2,298税込￥2,5281袋(5個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 3 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 800 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 3.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 80 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 22.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics EMIフィルタ& ESDプロテクタ， 表面実装， USBUF01W6
STMicro￥249税込￥2741袋(5個)7日以内出荷仕様●ダイオード構成 ： コンプレックスアレイ●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-323 (SC-70)●ピン数 ： 6●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ ： 2.2mm●USBポートESD保護RoHS指令(10物質対応)対応STMicroelectronics TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 32.5V， SMBJ15A-TR
STMicro￥36,980税込￥40,6781セット(2500個)7日以内出荷仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 32.5V●最小ブレークダウン電圧 16.7V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 15V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 123A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 200nA●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン
STMicro￥17,980税込￥19,7781セット(50個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 900 V●シリーズ ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 30 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 26 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
STMicro￥1,998税込￥2,1981袋(5個)7日以内出荷仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 26 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●シリーズ ： STripFET●実装タイプ ： スルーホール●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 70 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 85 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
