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STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 13.7V， SMAJ6.0A-TRSTMicro

￥1,698税込￥1,868

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 13.7V●最小ブレークダウン電圧 6.7V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 6V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 170A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 50μA●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 10 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro

￥829～税込￥912～

1個ほか

7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET450 V 600 mA 表面実装パッケージSOT-223 3 ピンSTMicro

￥199,800税込￥219,780

1セット(4000個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 600 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 450 V●シリーズ： MDmesh K3， SuperMESH3●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 3.8 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 2 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●幅： 3.7mm●高さ： 1.8mm●NチャンネルMDmesh(TM) K3シリーズ、SuperMESH3(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 35 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥10,980税込￥12,078

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 45 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 115 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●動作温度 Max ： +175 ℃●高さ： 9.15mm●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 50 V， 500 mA， 18-Pin DIPSTMicro

￥7,398税込￥8,138

1セット(20個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 500 mA●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 50 V●パッケージタイプ： DIP●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 18●トランジスタ構成：コモンエミッタ●1チップ当たりのエレメント数： 8●最小DC電流ゲイン： 1000●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 1.6 V●長さ： 23.24mm●ダーリントントランジスタアレイ、STMicroelectronics. ダーリントントランジスタドライバは、複数のオープンコレクタダーリントンペアと、誘導負荷用の集積サプレッションダイオードを備えた、高電圧・大電流スイッチアレイです。定格電流は、各出力につき500 mA以上と大きくなっています。 ICパッケージにおいて入力は出力の反対側に固定されており、アプリケーション基板レイアウトが簡素化されます。インターフェイスは、標準のTTL又はCMOS論理レベルです。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 14 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥469税込￥516

1個

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 250 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 110W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 12 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro

￥419税込￥461

1個

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 12 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 320 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 25 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●動作温度 Max ： +150 ℃●高さ： 16.4mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics LEDドライバ IC， 100mA 24-Pin TSSOPSTMicro

￥1,598税込￥1,758

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●出力電流： 100mA●入力電圧： 3 → 5.5 V●AC/DC入力電圧： ac●用途： LED照明●パッケージタイプ： TSSOP●ピン数： 24●出力電圧 Max ： 20V●定格電流： 5 → 100mA●LEDアレイドライバ、STMicroelectronics. このLEDアレイドライバは、定電流制御と、高輝度LEDの駆動に必要なすべての機能を搭載しています。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro

￥1,698,000税込￥1,867,800

1セット(1000個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 650 V●シリーズ： MDmesh M5●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 79 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 190 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 4.6mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 60 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥7,198～税込￥7,918～

1セット(50個)

7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 35 A 表面実装パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro

￥1,798税込￥1,978

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 35 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 28 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 23 nC @ 5 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 120 A 表面実装パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro

￥1,098税込￥1,208

1袋(2個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 120 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 40 V●シリーズ： STripFET II●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 5 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 300 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 110 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET1000 V 3.5 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥19,980税込￥21,978

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 3.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 1000 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 3.7 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 125 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 100V， SMAJ48A-TRSTMicro

￥84,980税込￥93,478

1セット(5000個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 100V●最小ブレークダウン電圧 53.3V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 48V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 23A●ESD保護あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 200nA●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 529V， 1.5KE300ASTMicro

￥45,980税込￥50,578

1袋(600個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 529V●最小ブレークダウン電圧 285V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 256V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 19A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics MOSFETゲートドライバ 0.65 A SOIC 2 8-Pin ハーフブリッジ非反転表面実装STMicro

￥1,198～税込￥1,318～

1袋(5個)ほか

7日以内出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 4 A 表面実装パッケージSOIC 8 ピンSTMicro

￥289,800税込￥318,780

1セット(2500個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 4 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 60 V●シリーズ： STripFET(TM)実装タイプ：表面実装●ピン数： 8●最大ドレイン-ソース間抵抗： 55 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 2.5V●最低ゲートしきい値電圧： 1V●最大パワー消費： 2 W●トランジスタ構成：絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧： -15 V， +15 V●幅： 4mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)デュアルMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 100 V， 10 A， 3-Pin TO-220STMicro

￥6,298税込￥6,928

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 100 V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 750●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流： 0.2mA●幅： 4.6mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 121V， SMAJ58A-TRSTMicro

￥619税込￥681

1袋(25個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 121V●最小ブレークダウン電圧 64.4V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 58V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 400W●最大ピークパルス電流 19A●ESD保護あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●長さ 4.6mm●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET550 V 13 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥559税込￥615

1個

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 13 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 550 V●シリーズ： MDmesh M5●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 240 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 90 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●幅： 4.6mm●高さ： 15.75mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM)M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 60 A， 3-Pin TO-247 シングルSTMicro

￥639税込￥703

1個

翌々日出荷

RoHS指令(10物質対応)対応

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STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 8.5A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro

￥299税込￥329

1個

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 8.5A●最大ドレイン-ソース間電圧： 650 V●シリーズ： MDmesh M5●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 430 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 25 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： +25 V●トランジスタ素材： Simm●高さ： 16.4mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 265V， P6KE150ASTMicro

￥449税込￥494

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 265V●最小ブレークダウン電圧 143V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 128V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 15A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 6.75×3.53×3.53mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronics

STMicroelectronics PNP ダーリントントランジスタ， 100 V， 5 A， 3-Pin DPAK (TO-252)STMicro

￥119,800税込￥131,780

1セット(2500個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： PNP●最大連続コレクタ電流： 5 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●パッケージタイプ： DPAK (TO-252)●実装タイプ：表面実装●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧： 4.5 V●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 4 V●最大コレクタカットオフ電流： 0.01mA●幅： 6.2mm●PNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 5 A スルーホールパッケージIPAK (TO-251) 3 ピンSTMicro

￥989税込￥1,088

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 650 V●パッケージタイプ： IPAK (TO-251)●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 1 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 5V●最低ゲートしきい値電圧： 4V●最大パワー消費： 96 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： ±30 V●幅： 2.4mm●高さ： 6.2mmRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 20 A， 3-Pin TO-220 シングルSTMicro

￥1,798税込￥1,978

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●最大連続コレクタ電流： 20 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧： ±20V●パッケージタイプ： TO-220●実装タイプ：スルーホール●チャンネルタイプ： N●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●寸法： 10.4×4.6×9.15mm●動作温度 Min ： -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 27.2V， P6KE15ASTMicro

￥349税込￥384

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 27.2V●最小ブレークダウン電圧 14.3V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 12.8V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 147A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 6.75×3.53×3.53mm●幅 3.53mm●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥21,980税込￥24,178

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 158 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 150 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●高さ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 3 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥2,198税込￥2,418

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 3 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 3.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 80 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 22.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics EMIフィルタ& ESDプロテクタ，表面実装， USBUF01W6STMicro

￥259税込￥285

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●ダイオード構成：コンプレックスアレイ●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ： SOT-323 (SC-70)●ピン数： 6●ESD保護：あり●1チップ当たりのエレメント数： 2●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ： 2.2mm●USBポートESD保護RoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 32.5V， SMBJ15A-TRSTMicro

￥37,980税込￥41,778

1セット(2500個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 32.5V●最小ブレークダウン電圧 16.7V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 15V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 123A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 200nA●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro

￥12,980税込￥14,278

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 900 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 2 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 30 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET100 V 26 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥1,898税込￥2,088

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 26 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 100 V●シリーズ： STripFET●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 70 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 85 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数： 1mm●動作温度 Min ： -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ， 100 V， 10 A， 3-Pin TO-247STMicro

￥6,998税込￥7,698

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ： NPN●最大連続コレクタ電流： 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧： 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧： 5 V●パッケージタイプ： TO-247●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●トランジスタ構成：シングル●1チップ当たりのエレメント数： 1●最小DC電流ゲイン： 500●最大コレクタ-ベース間電圧： 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧： 3 V●最大コレクタカットオフ電流： 1mA●動作温度 Max ： +150 ℃mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 14 A スルーホールパッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro

￥16,980税込￥18,678

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 14 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 500 V●パッケージタイプ： TO-220FP●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 380 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 35 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ： 9.3mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 2.1 A スルーホールパッケージTO-220 3 ピンSTMicro

￥9,598税込￥10,558

1セット(50個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.1 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 900 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 6.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19.5 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 2.5 A スルーホールパッケージIPAK (TO-251) 3 ピンSTMicro

￥1,498税込￥1,648

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 800 V●シリーズ： MDmesh， SuperMESH●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 4.5 Ω●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4.5V●最低ゲートしきい値電圧： 3V●最大パワー消費： 70 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -30 V， +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 19 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，スルーホール， 111V， 1.5KE62ASTMicro

￥26,980税込￥29,678

1セット(600個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 111V●最小ブレークダウン電圧 58.9V●実装タイプスルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 53V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 90A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 39 A スルーホールパッケージTO-247 3 ピンSTMicro

￥19,980税込￥21,978

1セット(30個)

7日以内出荷

仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 39 A●最大ドレイン-ソース間電圧： 600 V●シリーズ： MDmesh●実装タイプ：スルーホール●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 70 mΩ●チャンネルモード：エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 4V●最低ゲートしきい値電圧： 2V●最大パワー消費： 255 W●トランジスタ構成：シングル●最大ゲート-ソース間電圧： -25 V， +25 V●標準ゲートチャージ @ Vgs ： 124 nC @ 10 Vmm●高さ： 20.15mm●NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics TVSダイオード，単方向，表面実装， 100V， SMBJ48A-TRSTMicro

￥45,980税込￥50,578

1セット(2500個)

7日以内出荷

仕様●方向性タイプ単方向●最大クランピング電圧 100V●最小ブレークダウン電圧 53.3V●実装タイプ表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 48V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 40A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●幅 3.95mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

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