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STMicroelectronics MOSFETゲートドライバ 0.43 A SOIC 1 14-Pin ハーフブリッジ 反転, 非反転 表面実装 STMicroSTMicroelectronics MOSFETゲートドライバ 0.43 A SOIC 1 14-Pin ハーフブリッジ 反転, 非反転 表面実装STMicro
11,980税込13,178
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●ロジックタイプ : CMOS, TTL●出力電流 : 0.43 A●供給電圧 : 20V●ピン数 : 14●パッケージタイプ : SOIC●出力数 : 1●トポロジー : ハーフブリッジ●高/低サイド依存性 : シンクロナス●ドライバ数 : 1●ブリッジタイプ : ハーフブリッジ●極性 : 反転, 非反転●実装タイプ : 表面実装●MOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 10.3V, SMLVT3V3 STMicroSTMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 10.3V, SMLVT3V3STMicro
119,800税込131,780
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 10.3V●最小ブレークダウン電圧 4.1V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 3.3V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 200A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 200μA●SMLVTUV3、低電圧Transil(TM). 単方向Transil(TM)ダイオード ピークパルス電力: 600 (10/1000 μs) 逆方向スタンドオフ電圧 3.3 低クランプファクタ 高速な応答時間RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics MOSFET 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピン STMicroSTMicroelectronics MOSFET 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンSTMicro
2,798税込3,078
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ : DPAK (TO-252)●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大パワー消費 : 15 W●トランジスタ構成 : シングル●動作温度 Max : +150 ℃mm●高さ : 2.17mm●The device is manufactured in Planar technology with ”;Base Island”; layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.This device is qualified for automotive application High current gain characteristic Very low collector to emitter saturation voltage Surface-mounting DPAK (TO-252) power package in tape& reel (suffix ”;T4) Fast-switching speed Applications CCFL drivers Voltage regulators Relay drivers High efficiency, low voltage, switching applicationsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET650 V 33 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro
38,980税込42,878
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 33 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 650 V●シリーズ : MDmesh M5●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 79 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 190 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●長さ : 15.75mm●高さ : 20.15mm●STMicroelectronics N チャンネル MDmesh(TM) M5 シリーズ. MDmesh M5 パワー MOSFET は、高電力 PFC と PWM トポロジ向けに最適化されています。主な機能には、シリコンエリア当たりの低オン状態損失と低ゲート電荷の組み合わせなどがあります。太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ, 100 V, 15 A, 3-Pin TO-220FP STMicroSTMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ, 100 V, 15 A, 3-Pin TO-220FPSTMicro
5,998税込6,598
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大連続コレクタ電流 : 15 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 100●最大ベース-エミッタ間飽和電圧 : 4 V●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大コレクタカットオフ電流 : 5mA●最大パワー消費 : 33 Wmm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ, 50 V, 500 mA, 16-Pin SOIC STMicroSTMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ, 50 V, 500 mA, 16-Pin SOICSTMicro
379税込417
1袋(10個)ほか
翌々日出荷から7日以内出荷
RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 9.2 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 9.2 A スルーホール パッケージTO-247 3 ピンSTMicro
19,980税込21,978
1セット(30個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 9.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 980 m Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 200 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 5.15mm●高さ : 20.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 1200 V 6 A, 3-Pin TO-220FP シングル STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル IGBT 1200 V 6 A, 3-Pin TO-220FP シングルSTMicro
2,198税込2,418
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 : 6 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 1200 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 25 W●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 13.4V, SMBJ5.0A-TR STMicroSTMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 13.4V, SMBJ5.0A-TRSTMicro
38,980税込42,878
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 13.4V●最小ブレークダウン電圧 6.4V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 5V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 298A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 20μA●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 5 A 表面実装 パッケージPowerSO 10 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET40 V 5 A 表面実装 パッケージPowerSO 10 ピンSTMicro
3,798税込4,178
1個
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 40 V●パッケージタイプ : PowerSO●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 10●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 5V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 73 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●標準パワーゲイン : 14 dBmm●STMicroelectronics RF MOSFET トランジスタ. この高周波トランジスタは、Lバンド衛星アップリンクに適したLDMOSと、1 MHz→2 GHzのアプリケーションに対応したDMOSパワートランジスタです。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 27.2V, SMAJ13A-TR STMicroSTMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 27.2V, SMAJ13A-TRSTMicro
75,980税込83,578
1セット(5000個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 : シングル●最大クランピング電圧 : 27.2V●最小ブレークダウン電圧 : 14.4V●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : DO-214AC (SMA)●最大逆スタンドオフ電圧 : 13V●ピン数 : 2●ピークパルスパワー消費 : 400W●最大ピークパルス電流 : 85A●ESD保護 : あり●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Min : -55 ℃●動作温度 Max : +150 ℃mm●高さ : 2.03mm●Transil(TM) TVS SMT単方向400 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 9 A, 3-Pin TO-220FP シングル STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル IGBT 600 V 9 A, 3-Pin TO-220FP シングルSTMicro
1,798税込1,978
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●最大連続コレクタ電流 : 9 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 600 V●最大ゲート-エミッタ間電圧 : ±20V●最大パワー消費 : 25 W●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●チャンネルタイプ : N●ピン数 : 3●スイッチングスピード : 1MHz●トランジスタ構成 : シングル●寸法 : 10.4×4.6×16.4mm●動作温度 Min : -55 ℃●IGBTディスクリート、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 4.3A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET800 V 4.3A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro
1,398税込1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 4.3A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 800 V●パッケージタイプ : TO-220FP●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2.4 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●標準ゲートチャージ @ Vgs : 32.4 nC @ 10 Vmm●動作温度 Min : -55 ℃●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 706V, 1.5KE400A STMicroSTMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 706V, 1.5KE400ASTMicro
1,598税込1,758
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 706V●最小ブレークダウン電圧 380V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 342V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 14A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics AC/DCコンバータ, 7-Pin PDIP STMicroSTMicroelectronics AC/DCコンバータ, 7-Pin PDIPSTMicro
6,498税込7,148
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●入力電圧 Max : 23.5 V●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 7●寸法 : 10×4×1.25mm●パッケージタイプ : PDIP●入力電圧範囲 : 8.5 → 23.5 V●限界電流 : 0.42A●入力電圧 Min : 8.5 V●動作温度 Max : +150 ℃●長さ : 10mm●幅 : 4mm●高さ : 1.25mm●動作温度 Min : -40 ℃●動作温度範囲 : -40 → +150 ℃●VIPerPlus高電圧オフラインコンバータ、STMicroelectronics. VIPerPlusシリーズの高電圧コンバータでは、非常に幅の広い主電源入力電圧に対応する800 Vのアバランシェ高耐久性MOSFETと最先端のPWMコントローラが統合されています。 VIPerPlus固定周波数オフラインコンバータは信頼性と拡張性が優れているので、要件の厳しい省エネ規制にも適合しています。 また、非常に多くの保護方式を搭載しているので、さまざまなトポロジに対応します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 69.7V, P6KE39A STMicroSTMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 69.7V, P6KE39ASTMicro
32,980税込36,278
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 69.7V●最小ブレークダウン電圧 37.1V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 33.3V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 57A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●長さ 6.75mm●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 25.3V, SMBJ12A-TR STMicroSTMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, 表面実装, 25.3V, SMBJ12A-TRSTMicro
36,980税込40,678
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 25.3V●最小ブレークダウン電圧 13.3V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ DO-214AA (SMB)●最大逆スタンドオフ電圧 12V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 600W●最大ピークパルス電流 157A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●寸法 4.6×3.95×2.45mm●高さ 2.45mm●Transil(TM) TVS SMT単方向600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 353V, 1.5KE200A STMicroSTMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 353V, 1.5KE200ASTMicro
26,980税込29,678
1袋(600個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 353V●最小ブレークダウン電圧 190V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 171V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 28A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●寸法 9.5×5.3×5.3mm●高さ 5.3mm●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET900 V 5.8 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
15,980税込17,578
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 5.8 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 900 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 2 Ω●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 140 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●高さ : 9.15mm●STMicroelectronics N チャネル MDmesh(TM) SuperMESH(TM) 700 V → 1200 VRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 13.4V, P6KE6V8A STMicroSTMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 13.4V, P6KE6V8ASTMicro
24,980税込27,478
1袋(1000個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 : シングル●最大クランピング電圧 : 13.4V●最小ブレークダウン電圧 : 6.45V●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : DO-15●最大逆スタンドオフ電圧 : 5.8V●ピン数 : 2●ピークパルスパワー消費 : 600W●最大ピークパルス電流 : 298A●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Min : -65 ℃●動作温度 Max : +175 ℃mm●長さ : 6.75mm●Transil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 75 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET75 V 75 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンSTMicro
319,800税込351,780
1セット(1000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 75 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 75 V●シリーズ : STripFET II●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 11 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 1V●最大パワー消費 : 300 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -15 V, +15 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 7 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET600 V 7 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
10,980税込12,078
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 7 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 600 V●シリーズ : MDmesh, SuperMESH●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 950 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4.5V●最低ゲートしきい値電圧 : 3V●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -30 V, +30 V●幅 : 4.6mm●高さ : 9.15mm●NチャンネルMDmesh(TM) SuperMESH(TM)、250 V → 650 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics AC/DCコンバータ, 10-Pin SSOP STMicroSTMicroelectronics AC/DCコンバータ, 10-Pin SSOPSTMicro
999税込1,099
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●入力電圧 Max : 23.5 V●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 10●寸法 : 5×4×1.25mm●パッケージタイプ : SSOP●入力電圧範囲 : 11.5 → 23.5 V●入力電圧 Min : 11.5 V●動作温度 Max : +150 ℃●長さ : 5mm●幅 : 4mm●高さ : 1.25mm●動作温度 Min : -40 ℃●動作温度範囲 : -40 → +150 ℃●VIPerPlus高電圧オフラインコンバータ、STMicroelectronics. VIPerPlusシリーズの高電圧コンバータでは、非常に幅の広い主電源入力電圧に対応する800 Vのアバランシェ高耐久性MOSFETと最先端のPWMコントローラが統合されています。 VIPerPlus固定周波数オフラインコンバータは信頼性と拡張性が優れているので、要件の厳しい省エネ規制にも適合しています。 また、非常に多くの保護方式を搭載しているので、さまざまなトポロジに対応します。RoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET60 V 50 A スルーホール パッケージTO-220FP 3 ピンSTMicro
8,198税込9,018
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 50 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●シリーズ : STripFET(TM)II●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 18 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 30 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●1チップ当たりのエレメント数 : 1mm●動作温度 Min : -55 ℃●NチャンネルSTripFET(TM) II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
STMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ, 80 V, 4 A, 3-Pin SOT-32 STMicroSTMicroelectronics NPN ダーリントントランジスタ, 80 V, 4 A, 3-Pin SOT-32STMicro
3,698税込4,068
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大連続コレクタ電流 : 4 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●パッケージタイプ : SOT-32●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 750●最大コレクタ-ベース間電圧 : 80 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 2.8 V●最大コレクタカットオフ電流 : 0.2mA●幅 : 2.7mm●NPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 410V, BZW50-180 STMicroSTMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 410V, BZW50-180STMicro
879税込967
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 410V●最小ブレークダウン電圧 200V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ R 6●最大逆スタンドオフ電圧 180V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 5000W●最大ピークパルス電流 146A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 5μA●Transil(TM) TVS単方向軸5000 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 121V, 1.5KE68A STMicroSTMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 121V, 1.5KE68ASTMicro
1,398税込1,538
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 単方向●最大クランピング電圧 121V●最小ブレークダウン電圧 64.6V●実装タイプ スルーホール●パッケージタイプ DO-201●最大逆スタンドオフ電圧 58V●ピン数 2●ピークパルスパワー消費 1500W●最大ピークパルス電流 83A●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -65 ℃●動作温度 Max +175 ℃mm●最大逆漏れ電流 1μA●Transil(TM) TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン STMicroSTMicroelectronics Nチャンネル MOSFET500 V 21 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンSTMicro
29,980税込32,978
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ : N●最大連続ドレイン電流 : 21 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 500 V●シリーズ : MDmesh●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 158 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最低ゲートしきい値電圧 : 2V●最大パワー消費 : 150 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -25 V, +25 V●幅 : 4.6mm●高さ : 15.75mm●NチャンネルMDmesh(TM)、500 V、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 317V, 1.5KE180CA STMicroSTMicroelectronics TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 317V, 1.5KE180CASTMicro
319税込351
1袋(5個)
7日以内出荷
Transil TVS双方向軸1500 W、STMicroelectronics
仕様方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 317V最小ブレークダウン電圧 = 171V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201最大逆スタンドオフ電圧 = 154Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 31.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃寸法 = 9.5 x 5.3 x 5.3mm高さ = 5.3mmRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 21.7V, 1.5KE12CA STMicroSTMicroelectronics TVSダイオード, 双方向, スルーホール, 21.7V, 1.5KE12CASTMicro
32,980税込36,278
1袋(600個)
5日以内出荷
Transil TVS双方向軸1500 W、STMicroelectronics
仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 21.7V最小ブレークダウン電圧 = 11.4V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201最大逆スタンドオフ電圧 = 10.2Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 461A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm最大逆漏れ電流 = 5μARoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 53.5V, 1.5KE30A STMicroSTMicroelectronics TVSダイオード, 単方向, スルーホール, 53.5V, 1.5KE30ASTMicro
26,980税込29,678
1袋(600個)
5日以内出荷
Transil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics
仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 53.5V最小ブレークダウン電圧 = 28.5V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201最大逆スタンドオフ電圧 = 25.6Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 187A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃寸法 = 9.5 x 5.3 x 5.3mm最大逆漏れ電流 = 1μARoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ,  リアルタイムクロック(RTC)表面実装, I2C, 8-PinM41T00SM6F STMicroSTマイクロ, リアルタイムクロック(RTC)表面実装, I2C, 8-PinM41T00SM6FSTMicro
509税込560
1個
7日以内出荷
データ形式 = DW:DM:M:Y時刻表示形式 = HH:MM:SSユーザーRAM = 8Bバスタイプ = シリアル2線、シリアルI2C実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8寸法 = 5 x 4 x 1.25mm長さ = 5mm幅 = 4mm高さ = 1.25mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Min = -40 ℃リアルタイムクロックペリフェラル、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロエレクトロニクス バッテリチャージャIC STMicroSTマイクロエレクトロニクス バッテリチャージャICSTMicro
1,998税込2,198
1袋(5個)
7日以内出荷
電池タイプ = Lithium-イオン実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DFNピン数 = 12標準動作供給電圧 = 4.55 → 5.4 V寸法 = 3.15 x 3.15 x 0.75mm長さ = 3.15mm幅 = 3.15mm高さ = 0.75mm動作温度 Max = +85 ℃出力電流 Max = 200mA出力電圧 Max = 3.193 V動作温度 Min = -40 ℃出力電圧 Min = 3.007 Vバッテリ充電 / 監視コントローラ、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロエレクトロニクス, シリアルEEPROM 256kbit シリアル-SPI AEC-Q100 STMicroSTマイクロエレクトロニクス, シリアルEEPROM 256kbit シリアル-SPI AEC-Q100STMicro
489税込538
1袋(5個)
7日以内出荷
メモリサイズ = 256kbitインターフェースタイプ = シリアル-SPIパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 32768 x 8ビット動作供給電圧 Min = 2.5 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 2.5 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 5 x 4 x 1.5mmワード数 = 32768年EEPROM、SPIシリアル、STMicroelectronics. シリアルペリフェラルインターフェイス(SPI)バスに対応
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロエレクトロニクス, シリアルEEPROM 64kbit シリアル-I2C AEC-Q100 STMicroSTマイクロエレクトロニクス, シリアルEEPROM 64kbit シリアル-I2C AEC-Q100STMicro
1,398税込1,538
1袋(5個)
7日以内出荷
メモリサイズ = 64kbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 8192 x 8ビット動作供給電圧 Min = 2.7 V動作供給電圧 Max = 5.5 Vプログラミング電圧 = 2.7 → 5.5V1ワード当たりのビット数 = 8bit寸法 = 5 x 4 x 1.5mmワード数 = 8192nsEEPROMシリアルI2C、STMicroelectronics. あらゆるI2Cバスインターフェイスモードに対応
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ,  評価ボード STMicroSTマイクロ, 評価ボードSTMicro
24,980税込27,478
1個
7日以内出荷
併用可能製品 = マイクロステッピングモータ駆動キットの分類 = 評価ボード対象機器 = L6482Hキット名 = Demonstration BoardEVAL6482H デモンストレーションボードは、高出力マイクロステッピングモータドライバです。STEVAL-PCC009V2 通信ボードと評価ソフトウェアを組み合わせることで、このボードは L6482 デバイスのすべての機能を調査できます。特に、 Advanced Current ControlEVAL6482Hはデイジーチェーン構成もサポートしているので、複数のモータ用途におけるL6482の用途に適しています。電圧範囲: 16 → 85 V DPAK パッケージの低 RDS ( ON ) MOSFET です SPIインターフェイス(デイジーチェーン機能付) フラグ / ビジーLEDインジケータ 柔軟な供給電圧管理 STEVAL-PCC009V2 との併用に最適です
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ,  トライアック, 800V, 8A, 3-Pin TO-220AB STMicroSTマイクロ, トライアック, 800V, 8A, 3-Pin TO-220ABSTMicro
1,198税込1,318
1袋(5個)
7日以内出荷
定格平均オン電流 = 8A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 10mA繰返しピーク逆方向電圧 = 800Vサージ電流レーティング = 84Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 15mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 15.9mm動作温度 Max = +150 ℃VTRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ,  トライアック, 600V, 16A, 3-Pin TO-220AB STMicroSTマイクロ, トライアック, 600V, 16A, 3-Pin TO-220ABSTMicro
1,598税込1,758
1袋(5個)
欠品中
定格平均オン電流 = 16A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 35mA繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 168Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 35mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 9.3mm動作温度 Max = +125 ℃VTRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ,  トライアック, 600V, 4A, 3-Pin TO-220AB STMicroSTマイクロ, トライアック, 600V, 4A, 3-Pin TO-220ABSTMicro
4,698税込5,168
1セット(50個)
7日以内出荷
定格平均オン電流 = 4A実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AB最大ゲートトリガー電流 = 25mA繰返しピーク逆方向電圧 = 600Vサージ電流レーティング = 38Aピン数 = 3最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V最大保持電流 = 15mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm長さ = 10.4mm幅 = 4.6mm高さ = 9.15mm動作温度 Max = +125 ℃Vトライアック、最大6 A、STMicroelectronics
RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロ,  高電圧 整流ダイオード, 2A, 800V スルーホール, 2-Pin DO-15 1.65V STMicroSTマイクロ, 高電圧 整流ダイオード, 2A, 800V スルーホール, 2-Pin DO-15 1.65VSTMicro
37,980税込41,778
1セット(1000個)
7日以内出荷
実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 800Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 高電圧ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.65V1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 3.53mmSTTH208 は、 ST 超高速高電圧プレーナ技術を採用しており、フリーホイーリング、クランプ、スナバリング、電源などの電源スイッチング用途での消磁に特に適しています。低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高い信頼性 プレーナ技術 ソフトスイッチングで EMI 妨害を低減
RoHS指令(10物質対応)対応
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