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定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 25mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 38A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 9.15mm。動作温度 Max = +125 ℃V。トライアック、最大6 A、STMicroelectronics

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-15。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 800V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 高電圧。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.65V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ピーク逆回復時間 = 75ns。直径 = 3.53mm。STTH208 は、 ST 超高速高電圧プレーナ技術を採用しており、フリーホイーリング、クランプ、スナバリング、電源などの電源スイッチング用途での消磁に特に適しています。低順方向電圧降下 耐高サージ電流 高い信頼性 プレーナ技術 ソフトスイッチングで EMI 妨害を低減

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-247。最大連続 順方向電流 = 30A。ピーク逆繰返し電圧 = 60V。ダイオード構成 = コモンカソードペア2組。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.05V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキー。スイッチモード電源及びその他の電力コンバータに適した高電圧デュアルショットキー整流器です。TO-247 にパッケージされたこのデバイスは、中電圧動作、特に低スイッチング損失と低ノイズが求められる高周波数回路での使用を想定しています。無視できるスイッチングロス 低静電容量 低順方向電圧降下 高逆アバランシェサージ機能

定格平均オン電流 = 16A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 10mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 168A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 15mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、16 → 20 A、STMicroelectronics

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.9V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 45ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 80A。整流ダイオード、4 A → 9 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 8A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。最大ゲートトリガー電流 = 35mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 84A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 35mA。寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm。長さ = 10.28mm。幅 = 9.35mm。高さ = 4.6mm。動作温度 Max = +125 ℃V。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 12A。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大ゲートトリガー電流 = 50mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 126A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 50mA。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.9mm。長さ = 10.4mm。幅 = 4.6mm。高さ = 15.9mm。繰返しピークオフステート電流 = 1mA。TRIAC、8 → 12 A、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 4A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。最大ゲートトリガー電流 = 5mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 31A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。最大保持電流 = 10mA。寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm。長さ = 6.6mm。幅 = 6.2mm。高さ = 2.4mm。繰返しピークオフステート電流 = 0.005mA。トライアック、最大6 A、STMicroelectronics

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK。最大連続 順方向電流 = 30A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.45V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ピーク逆回復時間 = 100ns

最大スイッチング周波数 = 500 kHz。出力電流 = 1 A。コントロール方法 = 電流。降下時間 = 50ns。パッケージタイプ = PDIPns。ピン数 = 8。寸法 = 10.92 x 6.6 x 3.32mm。PWM コントローラタイプ = 電流モードmm。幅 = 6.6mm。高さ = 3.32mm。動作温度 Max = +150 ℃。PWMコントローラ、ST Microelectronics. パルス幅変調器(PWM)コントローラは、絶縁型及び非絶縁型のAC-DC / DC-DCスイッチモード電源に対応します。 これらの製品は、スイッチモード電源(SMPS)で最も一般的に使用されるシングルエンド(フライバック、順方向、擬似共振コントローラなど)とダブルエンド(非対称ハーフブリッジ)の両方のトポロジに基づいています。 PMWコントローラは、充実した保護機能も統合しているので、堅牢性と信頼性が向上しています。

モータタイプ = ブラシ付きDC。トポロジー = デュアルフルブリッジ。最大IGBTコレクタ電流 = 1.4A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 52 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。動作供給電圧 Max = 52 V。動作供給電圧 Min = 8 V。標準スイッチング周波数 = 100kHz。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。モータ制御電源ドライバ、STMicroelectronics. STMicroelectronicsのパワードライバは、入力で論理コマンドを通じてモータや複雑な負荷を駆動します。 モータ又はモーション制御システムにおいてマイクロコントローラ、DSP、又はFPGAと共に使用できます。 このパワードライバには、デュアルフルブリッジ、フルブリッジ、そして3相があります。

公称電圧 = 2.5 - 36V。パッケージタイプ = TO-92。基準タイプ = 可変。立上がり精度 = ±1.0 %。実装タイプ = スルーホール。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。入力電圧 Max = 37 V。出力電圧 Min = 2.5 V。出力電圧 Max = 36 V。ピン数 = 3。寸法 = 4.7 x 3.7 x 4.4mm。幅 = 3.7mm。電圧基準、調整可能、STMicroelectronics

モータタイプ = ブラシ付きDC。トポロジー = デュアルフルブリッジ。最大IGBTコレクタ電流 = 2.8A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 52 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。ピン数 = 36。動作供給電圧 Min = 8 V。幅 = 11.1mm。ブラシDCモータドライバ、STMicroelectronics

電源スイッチの種類 = ソリッドステートリレー。オン抵抗 = 0.4Ω。動作供給電圧 Max = 45 V。最大動作電流 = 0.7A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。ピン数 = 10。動作温度 Max = +150 ℃。寸法 = 9.5 x 7.6 x 3.65mm。インテリジェントハイサイド電源スイッチ、STMicroelectronics. インテリジェント電源スイッチ(IPS)には、ロジックインターフェイス、ドライバ、制御セクションの診断 / 保護機能、ハイサイド構成用のパワーステージが集積されています。

モータタイプ = ステッパ。トポロジー = バイポーラ。最大IGBTコレクタ電流 = 1.5A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PDIP。動作供給電圧 Max = 50 V。動作供給電圧 Min = 10 V。標準スイッチング周波数 = 30kHz。幅 = 7.1mm。ステッパモータドライバ、 STMicroelectronics

モータタイプ = ブラシ付きDC。トポロジー = デュアルフルブリッジ。最大IGBTコレクタ電流 = 2.8A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 52 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。ピン数 = 20。動作供給電圧 Min = 8 V。標準スイッチング周波数 = 100kHz。幅 = 11.1mm。モータ制御電源ドライバ、STMicroelectronics. STMicroelectronicsのパワードライバは、入力で論理コマンドを通じてモータや複雑な負荷を駆動します。 モータ又はモーション制御システムにおいてマイクロコントローラ、DSP、又はFPGAと共に使用できます。 このパワードライバには、デュアルフルブリッジ、フルブリッジ、そして3相があります。

テクノロジー = アダプタボード。実装タイプ = 表面実装。STEVAL-MKI110V1は、AIS328DQ製品ファミリに属するMEMSデバイスの評価を支援するために設計されたアダプタボードです。このボードは、ユーザー独自のアプリケーション内でシステムのプロトタイピングとデバイスの評価をすばやく行うことができる効果的なソリューションを提供します。STEVAL-MKI110V1は、標準DIL24ソケットに差し込むことができるように設計されています。このアダプタは、AIS328DQピン配列一式を備え、必要なデカップリングコンデンサがVDD電源ラインに実装されていてそのまますぐに使用できます。 このアダプタは、STEVAL-MKI109V2マザーボードでサポートされています。センサとPCのブリッジとして機能する高性能32ビットマイクロコントローラを搭載し、アダプタ上でダウンロード可能なグラフィカルユーザーインターフェイス(Unico GUI)又はカスタムアプリケーション用の専用ソフトウェアルーチンを使用することができます。完全なAIS328DQピン配列で標準DIL24ソケットに対応 STEVAL-MKI109V2マザーボードとの完全な互換性

コントロールタイプ = PWMコントローラ。出力数 = 1。最大スイッチング周波数 = 115 kHz。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SSOP。ピン数 = 10。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。入力電圧 Max = 23.5 V。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -40 ℃。VIPerPlus高電圧オフラインコンバータ、STMicroelectronics. VIPerPlusシリーズの高電圧コンバータでは、非常に幅の広い主電源入力電圧に対応する800 Vのアバランシェ高耐久性MOSFETと最先端のPWMコントローラが統合されています。 VIPerPlus固定周波数オフラインコンバータは信頼性と拡張性が優れているので、要件の厳しい省エネ規制にも適合しています。 また、非常に多くの保護方式を搭載しているので、さまざまなトポロジに対応します。

インターフェース = ラインドライバIC。トランスミッタ数 = 4 (RS-422)。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 16。寸法 = 10 x 4 x 1.65mm。RS-422ラインドライバ / レシーバ、STMicroelectronics

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧A。出力電圧 = 5 V。ラインレギュレーション = 20 mV。ロードレギュレーション = 20 mV%。極性 = 正。静止電流 = 4mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.2mm。LDO(低ドロップアウト)リニア電圧レギュレータ、STMicroelectronics、800 mA → 1 A

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 5.5 V。ラインレギュレーション = 200 mV。ロードレギュレーション = 60 mV。極性 = 正。静止電流 = 6mA。ピン数 = 8。出力タイプ = 固定。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 4mm。STMicroelectronics リニア電圧レギュレータ、100 mA. L78Lシリーズの3端子正電圧レギュレータは、内部電流制限とサーマルシャットダウンの機能があります。 ヒートシンクの性能が十分に高く、100 mAを超える電流を出力できます。

レギュレータタイプ = 低ドロップアウト電圧A。出力電圧 = 3.3 V。ラインレギュレーション = 6 mV。ロードレギュレーション = 10 mV%。極性 = 正。静止電流 = 5mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.6 x 6.2 x 2.4mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 6.2mm。リニア電圧レギュレータ、800 mA、STMicroelectronics

定格平均オン電流 = 32A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TOP3。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 610A。実装タイプ = スルーホール。最大ゲートトリガー電流 = 80mA。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。最大保持電流 = 150mA。ピン数 = 3。寸法 = 15.5 x 4.6 x 12.85mm。動作温度 Max = +125 ℃V。サイリスタ、STMicroelectronics. STMicroelectronics製の幅広い汎用サイリスタは、定格400 → 1200 Vの遮断電圧と最高定格50 Aのオン状態の電流を備えています。

定格平均オン電流 = 25A。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。最大ゲートトリガー電流 = 50mA。繰返しピーク逆方向電圧 = 1200V。サージ電流レーティング = 252A。ピン数 = 3。最大ゲートトリガー電圧 = 1.3V。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 1200V。最大保持電流 = 60mA。寸法 = 10.28 x 9.35 x 4.6mm。長さ = 10.28mm。幅 = 9.35mm。高さ = 4.6mm。ピークオンステージ電圧 = 1.55V。STMicroelectronics 25 → 40 A トライアック

最大破壊電流 = 0.05mA。最大破壊電圧 = 36V。繰り返しピークオンステート電流 = 2A。繰返しピークオフステート電流 = 0.01mA。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。ピン数 = 2。寸法 = 4.5 x 2 x 2mm。長さ = 4.5mm。幅 = 2mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。；b>；DB3 、 DB4 、 SMDB3 DIAC ダイオード ；/b>；. 固定基準電圧でトリガダイオードとして機能する ST Microelectronics DB3 / DB4 シリーズは、トライアックと組み合わせてゲート制御回路を単純化したり、蛍光灯バラストの起動エレメントとして使用したりすることができます。表面実装 SOT23-3L パッケージにより、自動製造用のコンパクトな SMD ベースデザインが可能です。. ；b>；特長と利点 ；/b>；. ；ul>； ；li>；VBO ： 32 V および 40 V ；/li>； ；li>；低ブレークオーバー電流 ；/li>； ；li>；ブレークオーバー電圧対称： 3 V ；/li>； ；li>；ECOPACK R 2 適合 ；/li>； ；/ul>；. ；b>；用途 ；/b>；. ；ul>； ；li>；トライアック又は SCR ベースのモータ / 光ディマー用のトリガデバイスです ；/li>； ；li>；発振器回路用の 32 V トリガデバイス ；/li>； ；li>；CFL 、 TL 、 LED ランプの照明バラストの起動トリガ ；/li>； ；/ul>；

実装タイプ = 表面実装。タイマータイプ = ウォッチドッグ。パッケージタイプ = SOT-23。内部タイマー数 = 1。ピン数 = 5。動作供給電圧 Min = 2.7 V。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Min = -40 ℃。動作温度 Max = +125 ℃。寸法 = 3 x 1.75 x 1.3mm。ウォッチドッグタイマ、STMicroelectronics

最大破壊電流 = 0.015mA。最大破壊電圧 = 34V。繰り返しピークオンステート電流 = 2A。繰返しピークオフステート電流 = 0.01mA。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-35。ピン数 = 2。寸法 = 4.5 x 2 x 2mm。長さ = 4.5mm。幅 = 2mm。高さ = 2mm。DIACダイオード

最大順方向電流 = 30A。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = TO-247。ピン数 = 3V。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 15.75mm。幅 = 5.15mm。高さ = 20.15mm。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。整流ダイオード、10 A → 240 A、STMicroelectronics

分類 評価ボード。テクノロジー MCU。プロセッサファミリ名 STM。プロセッサ品番 STM32F439 NI。STM32F429I評価ボード. STMicroelectronics STM32429I-EVAL ARM ；sup>；R ；/sup>； Cortex M4評価ボードは、 STM32F429 MCUとともに動作します。 この開発プラットフォームにより、ユーザは短時間でアプリケーションを開発でき、また組み込みのST-LINK/V2により、STM32マイクロコントローラ用の組み込みデバッガとプログラマも使用できます。. マイクロコントローラ: STM32F429NIH6 カラーTFT LCD (4.3インチタッチスクリーン) 電源(5 V): 電源ジャック； ST-LINK/V2 USBコネクタ； USB HSコネクタ； USB FS1コネクタ； USB FS2コネクタ； ドーターボード RS-232通信 SDIOインターフェイス: Micro SDカード 組み込みST-LINK/V2 (JTAG/SWD及びETMトレース) SDRAM (8 x 32ビット)； SRAM (1 x 16ビット)及びNOR Flash (8M 16ビット) プッシュボタン: リセット、ウェイクアップ及びタンパ ステータスLED 4 RTC； ポテンショメータ； ジョイスティック； カメラモジュール； IrDAトランシーバ； モータ制御コネクタ； SAI Audio DAC； ステレオデジタルマイク； RF EEPROM

分類 = 開発キット。キット名 = Discovery。テクノロジー = MCU。デバイスコア = ARM Cortex M0。プロセッサファミリ名 = STM。プロセッサ品番 = STM32F072RBT6。プロセッサ種類 = MCU。STM32F072ディスカバリキット デモンストレーションの使用にあたっては、www.st.com/stm32f0-discoveryからダウンロードできるソースコードと関連ドキュメントを参照してください。. STM32F072RBマイクロコントローラ用の開発キット. STM 32F072B-DISCO キットは、32ビットARM Cortex-M0コアSTM32F072RBデバイスを備え、デモ用ファームウェア(STSW-STM32139)が付属しています。使いやすいディスカバリキットを使用すれば、32ビットSTM32F0シリーズマイクロコントローラを評価し、アプリケーションの設計を開始できます。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W。最小DC電流ゲイン = 15。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 500 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 10 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。高電圧トランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 20 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 20 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 75 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 2 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.15 x 10.4 x 4.6mm。PNPパワートランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 10 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 75 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 2 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 300 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 15 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 300 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 90 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大動作周波数 = 3 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。STMicroelectronics NPNパワートランジスタ