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方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 111V最小ブレークダウン電圧 58.9V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-201最大逆スタンドオフ電圧 53Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 90A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃寸法 9.5 5.3 5.3mm高さ 5.3mmTransil TVSアキシャル単方向1500 W、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル最大クランピング電圧 59V最小ブレークダウン電圧 31.4V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ DO-15最大逆スタンドオフ電圧 28.2Vピン数 2ピークパルスパワー消費 600W最大ピークパルス電流 68A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -65 ℃動作温度 Max +175 ℃mm幅 3.53mmTransil TVS双方向軸600 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 90V最小ブレークダウン電圧 43.3V実装タイプ スルーホールパッケージタイプ R 6最大逆スタンドオフ電圧 39Vピン数 2ピークパルスパワー消費 5000W最大ピークパルス電流 667A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Max +175 ℃mmテスト電流 1mATransil TVS単方向軸5000 W、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 64.3V最小ブレークダウン電圧 34.2V実装タイプ 表面実装パッケージタイプ DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 30.8Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 156A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -40 ℃動作温度 Max +150 ℃mm高さ 2.45mmTransil TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics

方向性タイプ 単方向最大クランピング電圧 13.4V最小ブレークダウン電圧 6.45V実装タイプ 表面実装パッケージタイプ SMC最大逆スタンドオフ電圧 5.8Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 746A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -55 ℃動作温度 Max +150 ℃mm幅 6.25mmTransil TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics

ダイオード構成 シングル最大クランピング電圧 64.3V最小ブレークダウン電圧 34.2V実装タイプ 表面実装パッケージタイプ SMC最大逆スタンドオフ電圧 30.8Vピン数 2ピークパルスパワー消費 1500W最大ピークパルス電流 156A1チップ当たりのエレメント数 1動作温度 Min -55 ℃寸法 7.15 6.25 2.45mm幅 6.25mmTransil TVS SMT単方向1500 W、SM15Tシリーズ、STMicroelectronics

ロジックタイプ = CMOS， TTL出力電流 = 0.65 A供給電圧 = 17Vピン数 = 14パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハーフブリッジ高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 2ブリッジタイプ = ハーフブリッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装MOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 900 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 140 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 9.35mm動作温度 Min -55 ℃mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 7.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 1.2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V標準ゲートチャージ Vgs 48 nC 10 Vmm高さ 16.4mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ D2PAK (TO-263)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 312 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 30 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 750 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V幅 4.6mm高さ 16.4mmNチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 800 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 40 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 Vトランジスタ素材 Simm高さ 9.3mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ STripFET実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.5V最低ゲートしきい値電圧 1V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 6.2mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V幅 4.6mm高さ 15.75mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ STripFET F3実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 6.6mm高さ 2.4mmNチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 14 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 380 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 150 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V長さ 15.75mm高さ 20.15mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 70 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm高さ 9.15mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vパッケージタイプ TO-220実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 75 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -65 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.01mA幅 = 6.2mmPNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.1mA幅 = 4.6mmPNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.1mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mmNPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 750最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA幅 = 4.6mmNPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 200最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.05mA幅 = 4.6mmPNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 500最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mmPNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA幅 = 4.6mmNPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 = 23 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 25 Wパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 10.4 x 4.6 x 20mm動作温度 Min = -55 ℃pFIGBTディスクリート、STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm動作温度 Min = -55 ℃IGBTディスクリート、STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 = 60 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 220 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 1MHzトランジスタ構成 = シングル寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm動作温度 Max = +150 ℃IGBTディスクリート、STMicroelectronics

最大スイッチング周波数 = 70 kHzスタートアップ供給電流 = 150μA最大ソース電流 = 4mA最大シンク電流 = 4.5mA最大供給電流 = 6 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOピン数 = 16寸法 = 10 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm長さ = 10mm動作供給電圧 Max = 22.5 V動作温度 Max = +150 ℃幅 = 4mmオンボード 700 V スタートアップソース トラッキングブースト機能 高速な「双方向」入力電圧フィードフォワード( 1/V2 補正) カスケードコンバータの PWM コントローラ用インターフェイス リモートオン / オフ制御 正確な調整可能な出力過電圧保護 フィードバックループの切断から保護(ラッチシャットダウン) インダクタ飽和保護 低( 100 μ A 以下)スタートアップ電流 最大動作バイアス電流： 6 mA 内部基準電圧： 1 % ( @ TJ = 25 ° C -600/+800 mA トーテムポールゲートドライバ( UVLO 時のアクティブプルダウン付き 用途 PFC プリレギュレータ： ハイエンド AC-DC アダプタ / 充電器 LED 照明器具用 SMPS です