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ロジックタイプ = CMOS， TTL出力電流 = 0.65 A供給電圧 = 17Vピン数 = 14パッケージタイプ = SOIC出力数 = 2トポロジー = ハーフブリッジ高/低サイド依存性 = 独立ドライバ数 = 2ブリッジタイプ = ハーフブリッジ極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装MOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 5.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 900 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 140 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 9.35mm動作温度 Min -55 ℃mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 7.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 700 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 1.2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V標準ゲートチャージ Vgs 48 nC 10 Vmm高さ 16.4mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 120 A最大ドレイン-ソース間電圧 100 Vパッケージタイプ D2PAK (TO-263)実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 10.5 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 312 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET II、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 650 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 190 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 30 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 750 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 158 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 35 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V幅 4.6mm高さ 16.4mmNチャンネルMDmesh、500 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 800 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 900 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 40 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 Vトランジスタ素材 Simm高さ 9.3mmSTMicroelectronics チャネル MDmesh SuperMESH 700 → 1200 V

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ STripFET実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 2.5V最低ゲートしきい値電圧 1V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 6.2mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 285 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -25 V， +25 V幅 4.6mm高さ 15.75mmNチャンネルMDmesh、600 / 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 55 Vシリーズ STripFET F3実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 8.5 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 6.6mm高さ 2.4mmNチャンネルSTripFET F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 17 A最大ドレイン-ソース間電圧 500 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 270 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 190 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 5.15mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 125 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 110 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 80 A最大ドレイン-ソース間電圧 120 Vシリーズ STripFET実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 300 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 4.6mm動作温度 Min -55 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 600 Vシリーズ MDmesh， SuperMESH実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 2 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4.5V最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 70 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 4.6mm高さ 9.15mmNチャンネルMDmesh SuperMESH、250 → 650 V、STMicroelectronics

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 200 Vパッケージタイプ TO-220実装タイプ スルーホールピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 400 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 4V最低ゲートしきい値電圧 2V最大パワー消費 75 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V長さ 10.4mm動作温度 Min -65 ℃mmNチャンネルSTripFET、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4.5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.01mA幅 = 6.2mmPNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.1mA幅 = 4.6mmPNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 100最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.1mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mmNPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 10 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 750最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA幅 = 4.6mmNPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 200最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 2.5 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.05mA幅 = 4.6mmPNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 500最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.15mmPNPダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

トランジスタタイプ = NPN最大連続コレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 1000最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V最大コレクタカットオフ電流 = 0.2mA幅 = 4.6mmNPNダーリントントランジスタ、STMicroelectronics

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 17V最小ブレークダウン電圧 = 6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 6ESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 3.05 x 1.75 x 1.3mm高さ = 1.3mmHDMIポートESD保護. オーディオ / ビデオ用インターフェイスであるHDMI(高精細マルチメディアインターフェイス)の静電放電(ESD)回路保護デバイスです。

最大連続コレクタ電流 = 23 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 25 Wパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 10.4 x 4.6 x 20mm動作温度 Min = -55 ℃pFIGBTディスクリート、STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm動作温度 Min = -55 ℃IGBTディスクリート、STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 = 60 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 220 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 1MHzトランジスタ構成 = シングル寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm動作温度 Max = +150 ℃IGBTディスクリート、STMicroelectronics

入力電圧 Max = 23.5 V実装タイプ = スルーホールピン数 = 7寸法 = 10.16 x 7.11 x 4.95mmパッケージタイプ = PDIP入力電圧範囲 = 8.5 → 23.5 V限界電流 = 3.5mA入力電圧 Min = 8.5 V動作温度 Max = +150 ℃長さ = 10.16mm幅 = 7.11mm高さ = 4.95mm動作温度 Min = -40 ℃動作温度範囲 = -40 → +150 ℃VIPerPlus高電圧オフラインコンバータ、STMicroelectronics. VIPerPlusシリーズの高電圧コンバータでは、非常に幅の広い主電源入力電圧に対応する800 Vのアバランシェ高耐久性MOSFETと最先端のPWMコントローラが統合されています。 VIPerPlus固定周波数オフラインコンバータは信頼性と拡張性が優れているので、要件の厳しい省エネ規制にも適合しています。 また、非常に多くの保護方式を搭載しているので、さまざまなトポロジに対応します。

出力数 = 1幅 = 4mm実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8長さ = 5mm高さ = 1.25mm動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃PWMコントローラ、ST Microelectronics. パルス幅変調器(PWM)コントローラは、絶縁型及び非絶縁型のAC-DC / DC-DCスイッチモード電源に対応します。 これらの製品は、スイッチモード電源(SMPS)で最も一般的に使用されるシングルエンド(フライバック、順方向、擬似共振コントローラなど)とダブルエンド(非対称ハーフブリッジ)の両方のトポロジに基づいています。 PMWコントローラは、充実した保護機能も統合しているので、堅牢性と信頼性が向上しています。

メモリサイズ = 256kbit構成 = 32 K x 8インターフェースタイプ = パラレルデータバス幅 = 8bit最大ランダムアクセス時間 = 5ns実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PCDIPピン数 = 28寸法 = 39.88 x 18.34 x 9.65mm長さ = 39.88mm幅 = 18.34mm高さ = 9.65mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +70 ℃ワード数 = 32KbitZEROPOWERR SRAM、STMicroelectronics. ZEROPOWERR不揮発性RAMは、低消費電力のSRAMをパワーフェイル制御回路及び長寿命リチウムバッテリと一体化した製品です。