「igbt」の検索結果

最大連続コレクタ電流 = 60 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V。最大パワー消費 = 220 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 15.75 x 5.15 x 20.15mm。動作温度 Max = +150 ℃。IGBTディスクリート、STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 = 23 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 25 W。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 20mm。動作温度 Min = -55 ℃pF。IGBTディスクリート、STMicroelectronics

最大連続コレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 10.4 x 4.6 x 9.3mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、STMicroelectronics

モータタイプ = ブラシ付きDC。トポロジー = デュアルフルブリッジ。最大IGBTコレクタ電流 = 2.8A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 52 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。ピン数 = 36。動作供給電圧 Min = 8 V。幅 = 11.1mm。ブラシDCモータドライバ、STMicroelectronics

モータタイプ = ステッパ。トポロジー = バイポーラ。最大IGBTコレクタ電流 = 1.5A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = PDIP。動作供給電圧 Max = 50 V。動作供給電圧 Min = 10 V。標準スイッチング周波数 = 30kHz。幅 = 7.1mm。ステッパモータドライバ、 STMicroelectronics

ロジックタイプ = CMOS， TTL。出力電流 = 0.65 A。供給電圧 = 17V。ピン数 = 14。パッケージタイプ = SOIC。出力数 = 2。トポロジー = ハーフブリッジ。高/低サイド依存性 = 独立。ドライバ数 = 2。ブリッジタイプ = ハーフブリッジ。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。MOSFET / IGBTドライバ、STMicroelectronics

モータタイプ = ブラシ付きDC。トポロジー = デュアルフルブリッジ。最大IGBTコレクタ電流 = 2.8A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 52 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = PowerSO。ピン数 = 20。動作供給電圧 Min = 8 V。標準スイッチング周波数 = 100kHz。幅 = 11.1mm。モータ制御電源ドライバ、STMicroelectronics. STMicroelectronicsのパワードライバは、入力で論理コマンドを通じてモータや複雑な負荷を駆動します。 モータ又はモーション制御システムにおいてマイクロコントローラ、DSP、又はFPGAと共に使用できます。 このパワードライバには、デュアルフルブリッジ、フルブリッジ、そして3相があります。

モータタイプ = ブラシ付きDC。トポロジー = デュアルフルブリッジ。最大IGBTコレクタ電流 = 1.4A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 52 V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。動作供給電圧 Max = 52 V。動作供給電圧 Min = 8 V。標準スイッチング周波数 = 100kHz。寸法 = 13 x 7.6 x 2.35mm。モータ制御電源ドライバ、STMicroelectronics. STMicroelectronicsのパワードライバは、入力で論理コマンドを通じてモータや複雑な負荷を駆動します。 モータ又はモーション制御システムにおいてマイクロコントローラ、DSP、又はFPGAと共に使用できます。 このパワードライバには、デュアルフルブリッジ、フルブリッジ、そして3相があります。