28ページ目: VISHAYのすべての商品

ダイオード構成 = シングルA。実装タイプ = 表面実装。最大逆電圧 = 1000V。パッケージタイプ = DO-219AB。ピン数 = 2。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 2.9mm。幅 = 1.9mm。高さ = 1.08mm。寸法 = 2.9 x 1.9 x 1.08mm。自動車規格 = AEC-Q101。表面実装用途向け 低プロファイルパッケージ 自動位置決めに最適

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2mV。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 890mV。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2mV。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.57mm。幅 = 3.94mm。高さ = 2.24mm。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

最大順方向電流 = 3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 400V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.42mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

最大順方向電流 = 2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SOD-80。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。長さ = 3.7mm。寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm。直径 = 1.6mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

最大順方向電流 = 300mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = MiniMELF。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 3.7mm。幅 = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングルA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 400V。パッケージタイプ = SMA。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.5mm。幅 = 2.79mm。高さ = 2.09mm。寸法 = 4.5 x 2.79 x 2.09mm。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.67 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.67mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 5.2 x 2.67mm。直径 = 2.67mm。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = DO-213AB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.2mm。寸法 = 2.67 (Dia.) x 5.2mm。直径 = 2.67mm。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = μSMP。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 2.3mm。幅 = 1.4mm。高さ = 0.73mm。寸法 = 2.3 x 1.4 x 0.73mm。標準回復整流器、1 A、450 V超. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = MicroMELF。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOD-80。ピン数 = 2。ガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SMA。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2。Vishay Semiconductor 高速回復整流器 1A. 業界標準のパッケージに収められ、汎用で高効率の高速リカバリダイオードです。. 高さ 1 mm の低プロファイルです アバランシェ整流器

定格平均オン電流 = 95A。サイリスタタイプ = SCR、SCRモジュール。パッケージタイプ = TO-240AA。繰返しピーク逆方向電圧 = 1200V。サージ電流レーティング = 2000A。実装タイプ = パネルマウント。最大ゲートトリガー電流 = 270mA。最大ゲートトリガー電圧 = 4V。最大保持電流 = 250mA。ピン数 = 7。寸法 = 92 x 22.6 x 30mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 1200V。サイリスタ / サイリスタVS-VSKTシリーズ、ADD-A-PAKモジュール、Vishay Semiconductor. 産業標準パッケージADD-A-PAK 低熱抵抗

最大順方向電流 = 300mA。実装タイプ = スルーホール。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = DO-35。ダイオードテクノロジー = シリコンダイオード。ピン数 = 2

最大順方向電流 = 300mA。実装タイプ = スルーホール。最大逆電圧 = 50V。パッケージタイプ = DO-35。ダイオードテクノロジー = シリコンダイオード。ピン数 = 2

定格平均オン電流 = 40A。サイリスタタイプ = SCRモジュール。パッケージタイプ = PACE-PAK。繰返しピーク逆方向電圧 = 1200V。サージ電流レーティング = 0.4kA。実装タイプ = スクリュー マウント。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 6。寸法 = 63.5 x 32.5 x 15.5mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 1200V。P400シリーズ

定格平均オン電流 = 40A。サイリスタタイプ = SCRモジュール。パッケージタイプ = PACE-PAK。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 0.4kA。実装タイプ = スクリュー マウント。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 6。寸法 = 63.5 x 32.5 x 15.5mm。動作温度 Max = +125 ℃V。P400シリーズ

定格平均オン電流 = 25A。サイリスタタイプ = SCRモジュール。パッケージタイプ = PACE-PAK。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 0.375kA。実装タイプ = スクリュー マウント。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 6。寸法 = 63.5 x 32.5 x 15.5mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 600V。P100 シリーズ

定格平均オン電流 = 25A。サイリスタタイプ = SCRモジュール。パッケージタイプ = PACE-PAK。繰返しピーク逆方向電圧 = 1200V。サージ電流レーティング = 0.375kA。実装タイプ = スクリュー マウント。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 8。寸法 = 63.5 x 32.5 x 15.5mm。動作温度 Max = +125 ℃V。P100 シリーズ

定格平均オン電流 = 160A。サイリスタタイプ = IGBT。パッケージタイプ = INT-A-PAK。繰返しピーク逆方向電圧 = 1600V。サージ電流レーティング = 5.1kA。実装タイプ = パネルマウント。最大ゲートトリガー電流 = 270mA。最大ゲートトリガー電圧 = 4V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 7。寸法 = 94 x 35 x 30mm。動作温度 Max = +125 ℃V。UL認定ファイルE78996. サイリスタ / サイリスタVS-VSKTシリーズ、INT-A-PAKモジュール、Vishay Semiconductor. 2サイリスタ(SCR)構成 金属ベースからの絶縁電圧: 3500 V ；sub>；RMS ；/sub>； 業界標準パッケージ: INT-A-PAK 高サージ電流耐量

定格平均オン電流 = 80A。サイリスタタイプ = PCT。パッケージタイプ = TO-94。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 1990A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 120mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 3。寸法 = 29.5 x 27 x 188mm。繰返しピークオフステート電流 = 15mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 50A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-65。繰返しピーク逆方向電圧 = 400V。サージ電流レーティング = 1490A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 100mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2.5V。最大保持電流 = 200mA。ピン数 = 2。寸法 = 19.2 x 17.35 x 42.5mm。繰返しピーク順方向抑止電圧 = 400V。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 25A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-208AA。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 440A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 90mA。最大ゲートトリガー電圧 = 3V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。寸法 = 15.5 x 14.3 x 41.7mm。ピークオンステージ電圧 = 1.7V。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 25A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-48。繰返しピーク逆方向電圧 = 600V。サージ電流レーティング = 440A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。繰返しピークオフステート電流 = 10mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

定格平均オン電流 = 16A。サイリスタタイプ = SCR。パッケージタイプ = TO-48。繰返しピーク逆方向電圧 = 800V。サージ電流レーティング = 360A。実装タイプ = ねじ取り付け。最大ゲートトリガー電流 = 60mA。最大ゲートトリガー電圧 = 2V。最大保持電流 = 130mA。ピン数 = 2。繰返しピークオフステート電流 = 10mA。Vishay Semiconductor 位相制御サイリスタ

抵抗 60.4Ω。テクノロジー 薄膜。パッケージ/ケース 0805。許容差 ±1%。定格電力 0.125W。0805 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (0 → 9.31 kΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0805パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 750Ω。テクノロジー 薄膜。パッケージ/ケース 0805。許容差 ±1%。定格電力 0.125W。0805 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (0 → 9.31 kΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0805パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 78.7kΩ。テクノロジー 薄膜。パッケージ/ケース 0805。許容差 ±1%。定格電力 0.125W。0805 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 5.6 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装(SMD)厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0805パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 82Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±1%。定格電力 0.25W。温度係数 ±100ppm/℃。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206 CRCWシリーズ表面実装固定抵抗器 1 (ペーパーT/R) (0 → 9.09 kΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 1206パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 = 8mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 2010 (5025M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSL...18 High Power。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。2010型WSL..18シリーズ. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成 厳選された安定素材により高い定格電力を実現(2 x 標準WSL定格) 総溶接構造

抵抗 91kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0402 (1005M)。許容差 ±1%。定格電力 0.063W。温度係数 ±100ppm/℃。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0402 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 10 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0402パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 = 5Ω。テクノロジー = 巻線。パッケージ/ケース = 2515。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±50ppm/℃。シリーズ = WSC。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +275℃。WSC2515巻線型1 W. Vishay WSC2515シリーズの表面実装型の抵抗器は、高い定格電力と優れた耐サージ性能を備えています。 これらの巻線抵抗器は、成形カプセル化とラップアラウンド終端が施された全溶接構造になっているので、さまざまな環境条件に対する保護機能と優れた安定性を発揮します。 AEC-Q200オプションとアイルトン・ペリー巻線付きの無誘導型を用意しています。

抵抗 604Ω。テクノロジー 薄膜。パッケージ/ケース 0805。許容差 ±1%。定格電力 0.125W。0805 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (0 → 9.31 kΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0805パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 82kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0603 (1608M)。許容差 ±1%。定格電力 0.1W。温度係数 ±100ppm/℃。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0603 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 10 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0603パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 68kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±1%。定格電力 0.25W。温度係数 ±100ppm/℃。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 5.6 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 1206パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 6.2kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0402 (1005M)。許容差 ±1%。定格電力 0.063W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0402 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 → 9.76 kΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0402 パッケージサイズ 抵抗値の範囲が Ω 10 Ω のものを用意。 保護オーバーグレーズ 優れた安定性( +70 C Δ R/R 1 が 1000 時間持続) 55 C +155 C の広い動作温度範囲 許容差 1% 0603 サイズに対応した mm ピッチパッケージオプション ニッケルバリア層の純スズはんだコンタクトにより、鉛( Pb )フリー及び鉛含有はんだプロセスに対応 高品質セラミックにメタルグレーズ AEC-Q200 認定. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。