31ページ目: VISHAYのすべての商品

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 209V最小ブレークダウン電圧 = 144V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 130Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 7.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = P600最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 5000W最大ピークパルス電流 = 129A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 9.1 x 9.1 x 9.1mm幅 = 9.1mmVishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 17V最小ブレークダウン電圧 = 11.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 10Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 35.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 48.4V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 12.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ピン数 = 16実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIP寸法 = 21.33 x 7.11 x 3.81mm動作温度 Max = +85 ℃アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 38.6AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 10.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.09mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 274V最小ブレークダウン電圧 = 190V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 171Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 2.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、P6SMBシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 10.5V最小ブレークダウン電圧 = 6.45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = 1.5KE最大逆スタンドオフ電圧 = 5.8Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 143A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm幅 = 5.3mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル単方向1500 W、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-57最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 38.9V最小ブレークダウン電圧 = 26.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 15.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 28.8V最小ブレークダウン電圧 = 17.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 16Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 20.8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 163A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 58.1V最小ブレークダウン電圧 = 40V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = P600最大逆スタンドオフ電圧 = 36Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 5000W最大ピークパルス電流 = 86.1A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃mmテスト電流 = 5mAVishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 25.2V最小ブレークダウン電圧 = 17.1V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = 1.5KE最大逆スタンドオフ電圧 = 15.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 59.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm幅 = 5.3mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル単方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 113V最小ブレークダウン電圧 = 77.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 70Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 13.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm高さ = 2.42mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-57最大連続 順方向電流 = 250mAピーク逆繰返し電圧 = 2000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 高速スイッチングダイオードピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 300nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20Aガラス不動態化ジャンクション高速スイッチングプラスチック整流器. 特長 信頼性の高い状態を実現する Superectifier 構造 キャビティフリーのガラス不動態化ジャンクション 高速スイッチングにより高効率を実現 低漏洩電流、標準 IR は 0.2 μ A 未満 高順方向サージ機能 はんだ耐熱性: 275 ℃で最大10秒間、JESD22-B106準拠 代表的用途 G2 グリッド CRT 、 TV 、スナバーの高電圧整流 カメラフラッシュサーキット 機械データ ケース： DO-204AL 、成形エポキシ(ガラスボディ) 成形化合物は UL94 V-0 難燃性等級に適合しています ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード 端子： つや消しスズめっきリード、はんだ付け可能 J-STD-002 及び JESD 22-B102 を搭載 E3 サフィックスは JESD 201 クラス 1A ウィスカテストに適合 極性： カラーバンドでカソード端を表示

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-57最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.07V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 25nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 96.8V最小ブレークダウン電圧 = 66.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 60Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 4.1A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 77.4V最小ブレークダウン電圧 = 53.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 48Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 7.8A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 19.9V最小ブレークダウン電圧 = 13.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 75.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.42mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 17V最小ブレークダウン電圧 = 11.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214ACピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W1チップ当たりのエレメント数 = 1

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 29.2V最小ブレークダウン電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 18Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 51.4AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 43.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 10 x 4 x 1.55mm動作温度 Min = -40 ℃アナログスイッチ(クワッド)、DG2xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 10 x 4 x 1.55mm動作温度 Max = +85 ℃アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 61.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 7.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 25nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ピン数 = 8実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 5 x 4 x 1.55mm動作温度 Min = -40 ℃アナログスイッチ(シングル)、Vishay Semiconductor. 低電力と高速を組み合せた高性能のアナログスイッチです。 このスイッチは幅広いダイナミックレンジを備え、信号誤差と歪みが小さいので、高精度のテスト機器、ガイダンス / 制御システム、バッテリ駆動のシステムなどの多様な用途に最適です。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 高速スイッチング整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.6V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 120nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30AVishay Semiconductor 高速リカバリ整流器 1.4 A → 20 A. 業界標準のパッケージスタイルの多用途で高効率の高速リカバリパワーダイオードです。

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 328V最小ブレークダウン電圧 = 209V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = 1.5KE最大逆スタンドオフ電圧 = 185Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 4.6A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm幅 = 5.3mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル単方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 27.6V最小ブレークダウン電圧 = 18.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 17Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 21.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 10.3V最小ブレークダウン電圧 = 6.67V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 6Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 58.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 243V最小ブレークダウン電圧 = 167V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 150Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 6.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 25nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 43.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ピン数 = 8実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 5 x 4 x 1.55mm動作温度 Max = +85 ℃アナログスイッチ(シングル)、Vishay Semiconductor. 低電力と高速を組み合せた高性能のアナログスイッチです。 このスイッチは幅広いダイナミックレンジを備え、信号誤差と歪みが小さいので、高精度のテスト機器、ガイダンス / 制御システム、バッテリ駆動のシステムなどの多様な用途に最適です。