29ページ目: VISHAYのすべての商品

抵抗 6.65kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±1%。定格電力 0.25W。温度係数 ±100ppm/℃。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206 CRCWシリーズ表面実装固定抵抗器 1 (ペーパーT/R) (0 → 9.09 kΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 1206パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 68kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0402 (1005M)。許容差 ±1%。定格電力 0.063W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0402 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 10 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0402パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

静電容量 = 220μF。電圧 = 450V dc。実装タイプ = スナップイン。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 35 x 30mm

静電容量 = 220μF。電圧 = 40V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 18mm

静電容量 = 22μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = アキシアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 4.5 (Dia.) x 10mm。長さ = 10mm。動作温度 Min = -40℃。直径 = 4.5mm。動作温度 Max = +85℃。寿命 = 3000h。許容差 = -10 to +50%。030 ASシリーズ. 想定寿命2000時間

静電容量 = 220μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 12mm。高さ = 12mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +125℃。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。146 RTIシリーズラジアル. ラジアルリード円筒型アルミケース、圧力リリーフとブルーPETスリーブによる絶縁 非常に低いESRと優れたリプル電流性能 産業、自動車、通信用の電源(SMPS、dc / dcコンバータ)に最適

静電容量 = 220μF。電圧 = 250V dc。実装タイプ = スナップイン。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 22 (Dia.) x 30mm。高さ = 30mm。動作温度 Min = -25℃。直径 = 22mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 10mm。許容差 = ±20%。159シリーズ. 159 PUL-SI極性付きアルミコンデンサ高出力超長寿命スナップイン. これらは非固体電解質です 低ESR、高リプル電流対応 高い信頼性 耐用寿命: 3000時間 → 5000時間 @ 105 ℃ 最大500 Vに対応 用途: 太陽光発電インバータ、汎用 / 産業用 / オーディオ / ビデオシステム、平滑化及びフィルタ処理、標準及びスイッチモードの電源、パルスシステム蓄電

静電容量 = 33000μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = スクリューターミナル。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 65 (Dia.) x 105mm。高さ = 105mm。動作温度 Min = -40℃。直径 = 65mm。動作温度 Max = +85℃。寿命 = 20000h。等価直列抵抗 = 8mΩ。106 PED-STシリーズ. Vishayの106 PED-STシリーズの電解コンデンサは、+85 ℃で最長20，000時間の長寿命を誇ります。また、ESRとESLがとても低いので、非常に高いリプル電流負荷に対応します。 これらのアルミ電解コンデンサは、絶縁された円筒ケースに密閉された非電解質で構成されており、充電と放電を防止します。 幅広い用途に対応し、フィルタリングと平滑化、パルスシステムにおける蓄電、産業システム、標準電源とスイッチモード電源、コンピュータと通信を含む用途に適しています。. 標準及びスイッチモードの電源に最適なPower Eurodinねじ端子 低ESR 低ESL 振動と衝撃に対する優れた耐性 高信頼性 シーリングによる圧力逃しを実現

静電容量 = 220μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 16mm。高さ = 16mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +105℃。寿命 = 6000h。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

静電容量 = 220μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = 表面実装。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 12.5 x 16mm

静電容量 = 220μF。電圧 = 50V dc。実装タイプ = 表面実装。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 (Dia.) x 13mm。高さ = 13mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 12.5mm。動作温度 Max = +125℃。寿命 = 2500 h， 3000 h， 300000 hmm。許容差 = ±20%。Vishay 146 CTIシリーズ. Vishay 146 CTIシリーズアルミSMD (チップ)コンデンサは高温及び低インピーダンス特性を備えています。 充電及び放電防止機能を備え、4ピン及び6ピンタイプは耐振性を備えています。 AEC-Q200認定Vishay 146 CTIコンデンサは、車載用途並びに高温リフローはんだ付けを使用するSMD技術で評価されています。 その他の用途は、産業、通信、平滑化、フィルタリング、バッファリングです。. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質、自己回復、ベースプレート付きSMDタイプ、鉛フリーリフローはんだ付け 充電及び放電防止、ピーク電流制限なし JEDEC J-STD-020に準拠した高温リフローはんだ付け 耐振性、4ピンタイプ及び6ピンタイプ AEC-Q200認定

静電容量 = 220μF。電圧 = 35V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 12mm

静電容量 = 220μF。電圧 = 400V dc。実装タイプ = スナップイン。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 25 (Dia.) x 40mm。高さ = 40mm。動作温度 Min = -25℃。直径 = 25mm。動作温度 Max = +85℃。寿命 = 5000h。許容差 = ±20%。157シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 小型スナップイン高電圧コンデンサ 最大500 V 長い有効寿命: 5000時間 @ 85 ℃ 用途: 汎用、産業用及びオーディオ / ビデオシステム、平滑化及びフィルタ処理、標準及びスイッチモードの電源、パルスシステム蓄電

静電容量 = 33000μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = スクリューターミナル。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 50 (Dia.) x 105mm。高さ = 105mm。動作温度 Min = -40℃。直径 = 50mm。動作温度 Max = +85℃。寿命 = 10000h。許容差 = ±20%。終端処理用のねじとワッシャが付属しています。. 101 PHR-STシリーズ. Vishay 101 PHR-STシリーズアルミ電解コンデンサには有極ねじ止め端子が備わっています。 101 PHR-STシリーズは、バッファ処理、フィルタ処理、モータ駆動、インバータ、UPS、パルス電源などの幅広い用途に適しています。. 長期の耐用寿命 非固体電解質 高リプル電流 ブルースリーブで絶縁

静電容量 = 220μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 x 30mm

静電容量 = 220μF。電圧 = 63V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 30mm

静電容量 = 220μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 (Dia.) x 12mm。高さ = 12mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 10mm。動作温度 Max = +105℃。寿命 = 4000h。許容差 = ±20%。CEI384-4 L.L. 、耐候性カテゴリ CEI68 55/105/56 、 DIN40040 FMF. 135 シリーズ

静電容量 = 220μF。電圧 = 40V dc。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 10 x 25mm

静電容量 = 22μF。電圧 = 450V dc。実装タイプ = アキシアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 15 (Dia.) x 30mm。高さ = 30mm。動作温度 Min = -40℃。直径 = 15mm。動作温度 Max = +85℃。リード間隔 = 35mm。許容差 = -10 → +50%。042-043 ASH シリーズ. 想定寿命2000時間

静電容量 = 220μF。電圧 = 63V dc。実装タイプ = ラジアル、 スルーホール。テクノロジー = アルミ電解。寸法 = 12.5 (Dia.) x 20mm。高さ = 20mm。動作温度 Min = -55℃。直径 = 12.5mm。動作温度 Max = +105℃。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。CEI384-4 / CECC30300. 136シリーズ. 極性付きアルミ電解コンデンサ、非固体電解質. 非常に低いインピーダンスと低ESR 非常に長い有効寿命: 4000 → 10 000 時間 @ 105 ℃ 非常に高い信頼性 優れたリプル電流性能 ラジアルリード、円筒型アルミケース、圧力逃し弁付き、ブルースリーブで絶縁 充電及び放電防止 用途: 一般産業用の電源(SMPS、DC/DCコンバータ)、EDP、オーディオ / ビデオ、通信、平滑化、フィルタリング及びバッファリング

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 64.3V。最小ブレークダウン電圧 = 34.2V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 62A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SM6Tシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 53.3V。最小ブレークダウン電圧 = 36.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 33V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 7.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 137V。最小ブレークダウン電圧 = 95V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = 1.5KE。最大逆スタンドオフ電圧 = 85.5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 10.9A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 5.3 (Dia.) x 9.5mm。テスト電流 = 1mA。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 209V。最小ブレークダウン電圧 = 144V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 130V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 7.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1300V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.65V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 48.4V。最小ブレークダウン電圧 = 33.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 30V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 12.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 38.6A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 10.3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.09mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 274V。最小ブレークダウン電圧 = 190V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 171V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 2.2A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT単方向600 W、P6SMBシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 10.5V。最小ブレークダウン電圧 = 6.45V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = 1.5KE。最大逆スタンドオフ電圧 = 5.8V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 143A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 5.3mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル単方向1500 W、Vishay Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1.5A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.4V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 1000V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 38.9V。最小ブレークダウン電圧 = 26.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 24V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 15.4A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 28.8V。最小ブレークダウン電圧 = 17.8V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 16V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 20.8A。ESD保護 = あり。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 3.94mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 9.2V。最小ブレークダウン電圧 = 6.4V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SMC。最大逆スタンドオフ電圧 = 5V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 163A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 6.22mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル。最大クランピング電圧 = 58.1V。最小ブレークダウン電圧 = 40V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = P600。最大逆スタンドオフ電圧 = 36V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 5000W。最大ピークパルス電流 = 86.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。テスト電流 = 5mA。Vishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 25.2V。最小ブレークダウン電圧 = 17.1V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = 1.5KE。最大逆スタンドオフ電圧 = 15.3V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 1500W。最大ピークパルス電流 = 59.5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃mm。幅 = 5.3mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、アキシャル単方向1500 W、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-57。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = アバランシェ。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.07V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 25ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A。超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

方向性タイプ = 単方向。最大クランピング電圧 = 96.8V。最小ブレークダウン電圧 = 66.7V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大逆スタンドオフ電圧 = 60V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 400W。最大ピークパルス電流 = 4.1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。幅 = 2.79mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向。最大クランピング電圧 = 77.4V。最小ブレークダウン電圧 = 53.3V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大逆スタンドオフ電圧 = 48V。ピン数 = 2。ピークパルスパワー消費 = 600W。最大ピークパルス電流 = 7.8A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃mm。高さ = 2.24mm。TRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗