32ページ目: VISHAYのすべての商品

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 19.9V最小ブレークダウン電圧 = 13.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 30.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm高さ = 2.24mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 10 x 4 x 1.55mm動作温度 Max = +85 ℃アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 11V最小ブレークダウン電圧 = 4.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = μSMP最大逆スタンドオフ電圧 = 3.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 100W最大ピークパルス電流 = 75AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 1.4mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向100 W、MSPシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-64最大連続 順方向電流 = 3.5Aピーク逆繰返し電圧 = 200Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 30nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 90A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 92 V，121V最小ブレークダウン電圧 = 64.6V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214ABピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W1チップ当たりのエレメント数 = 1

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 48.4V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 31A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 12.9V最小ブレークダウン電圧 = 8.33V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 7.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 46.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-57最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 1000Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 11.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.24mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 69.4V最小ブレークダウン電圧 = 47.8V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = P600最大逆スタンドオフ電圧 = 43Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 5000W最大ピークパルス電流 = 72A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm直径 = 9.1mmVishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 53.5V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 11.2AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向600 W、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-214AA (SMBJ)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 16.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 10 x 4 x 1.55mm動作温度 Min = -40 ℃アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 24.4V最小ブレークダウン電圧 = 16.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 15Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 16.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-57最大連続 順方向電流 = 1Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 2.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 30nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A超高速回復整流器、1 A、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 11.2V最小ブレークダウン電圧 = 7.22V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 6.5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 35.7A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.087mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ピン数 = 16実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIP寸法 = 21.33 x 7.11 x 3.81mm動作温度 Min = -40 ℃アナログスイッチ(シングル)、Vishay Semiconductor. 低電力と高速を組み合せた高性能のアナログスイッチです。 このスイッチは幅広いダイナミックレンジを備え、信号誤差と歪みが小さいので、高精度のテスト機器、ガイダンス / 制御システム、バッテリ駆動のシステムなどの多様な用途に最適です。

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 93.6V最小ブレークダウン電圧 = 64.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 58Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 4.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.5 x 2.79 x 2.09mm高さ = 2.09mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 45.4V最小ブレークダウン電圧 = 31.1V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 28Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 33A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.42mm高さ = 2.42mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 10 x 4 x 1.55mm動作温度 Min = -40 ℃アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 10 x 4 x 1.55mm動作温度 Min = -40 ℃アナログスイッチ(デュアル)、Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor製のアナログスイッチ及びマルチプレクサは高性能で、幅広い用途に適しています。

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 53.3V最小ブレークダウン電圧 = 36.7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 33Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 28.1A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

ピン数 = 16実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOIC寸法 = 10 x 4 x 1.55mm動作温度 Min = -40 ℃アナログスイッチ(クワッド)、DG2xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-215AA最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.21mmテスト電流 = 10mATRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBGシリーズ、Vishay Semiconductor. 低プロファイルのDO-215AA (SMBG)パッケージ 優れたクランプ機能 超高速応答時間 低インクリメンタルサージを備えた低抵抗

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 58.1V最小ブレークダウン電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)最大逆スタンドオフ電圧 = 36Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 25.8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向1500 W、SMCJシリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = SOD-57最大連続 順方向電流 = 2Aピーク逆繰返し電圧 = 100Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.07V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 25nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 50A超高速回復整流器(2 → 5 A)、Vishay Semiconductor. 特長 ガラス不動態化チップジャンクション、 超高速の逆回復時間、 低順方向電圧降下、 低スイッチング損失、高効率 高順方向サージ機能、 はんだ耐熱性：最大 275 ° C 10 秒( JESD 22-B106 準拠) 代表的用途 家電製品、コンピュータ、通信機器向けのスイッチングモードコンバータ及びインバータで、高周波整流及び転流用途に使用されます。 機械データ ケース ： DO-201AD 成形化合物は UL94V-0 難燃性等級、ベース品番 -E3 - RoHS 適合(商用グレード) 端子 ：つや消しスズめっきリード、 J-STD-002 及び JESD 22-B102 準拠のはんだ付けに対応、末尾が E3 の製品は JESD 201 クラス 1A ウィスカ試験に合格 極性： カラーバンドでカソード端を表示

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 9.2V最小ブレークダウン電圧 = 6.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 65.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大連続 順方向電流 = 1.5Aピーク逆繰返し電圧 = 1600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = アバランシェダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.15V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 4μsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A標準回復整流器、1.5 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。. 高さ1 mmの低プロファイル アバランシェ整流

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 42.1V最小ブレークダウン電圧 = 28.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 26Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 14.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃幅 = 3.8mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 64.5V最小ブレークダウン電圧 = 44.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 40Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 6.2A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃寸法 = 4.5 x 2.79 x 2.087mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

ピン数 = 16実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIP寸法 = 21.33 x 7.11 x 3.81mm動作温度 Min = -40 ℃アナログスイッチ(クワッド)、DG4xxシリーズ、Vishay Semiconductor. 高精度と低消費電力を特長としたクワッドアナログスイッチは、テスト装置やコンピュータ周辺機器などの用途に適しています。 単電源での操作も可能なこのスイッチは、ポータブル計器にも適しています。

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 19.9V最小ブレークダウン電圧 = 13.3V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = P600最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 5000W最大ピークパルス電流 = 251A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +175 ℃mm幅 = 9.1mmVishay Semiconductor TRANSZORBR 過渡電圧サプレッサ アキシャル 単方向 5，000W. ガラス不動態化ジャンクションを備えた P600 パッケージ 優れたクランプ機能 高速な応答時間 低インクリメンタルサージ抵抗 車載規格 AEC-Q101 認定

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 48.4V最小ブレークダウン電圧 = 33.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 30Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 8.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 双方向最大クランピング電圧 = 77.4V最小ブレークダウン電圧 = 53.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SMC最大逆スタンドオフ電圧 = 48Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 1500W最大ピークパルス電流 = 19.4A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 6.22mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサSMT双方向1500 W、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 29.2V最小ブレークダウン電圧 = 20V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 18Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 20.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 4.7mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 42.1V最小ブレークダウン電圧 = 28.9V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 26Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 9.5A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm高さ = 2.09mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 19.9V最小ブレークダウン電圧 = 13.3V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)最大逆スタンドオフ電圧 = 12Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 400W最大ピークパルス電流 = 20.1A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 2.79mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向400 W、SMAJシリーズ、Vishay Semiconductor

抵抗 4.75kΩテクノロジー 薄膜パッケージ/ケース 0603許容差 ±1%定格電力 0.1W0603 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (0 → 9.53 kΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0603パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 安定性 H05VR/R 1 @ 1000 時間 70 C 2 mm ピッチのパッケージオプションで 0603 サイズに対応 物理的なニッケルバリア層でのはんだコンタクトを強化する 鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応しています はんだ付け処理が含まれています メタルグレーズで高品質セラミックを採用 AEC-Q200 認定. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 4.32kΩテクノロジー 薄膜パッケージ/ケース 0805許容差 ±1%定格電力 0.125W0805 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (0 → 9.31 kΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0805パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 44.2kΩテクノロジー 厚膜パッケージ/ケース 0402 (1005M)許容差 ±1%定格電力 0.063W温度係数 ±100ppm/K自動車規格 AEC-Q200シリーズ CRCW動作温度 Min -55℃動作温度 Max +155℃0402 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 10 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0402パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。