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抵抗 10mΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0402 (1005M)。許容差 ±1%。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0402 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 10 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0402パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 = 12kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0207.。許容差 = ±1%。定格電力 = 0.4W。温度係数 = ±50ppm/K。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = MMB。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。EN140401-803. MMB 0207 - 業務用. アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 10Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0102。許容差 = ±1%。定格電力 = 0.2W。温度係数 = ±50ppm/℃。シリーズ = MMU0102。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。EN140401-803. MMU 0102 - 業務用. アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 10mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 0805 (2012M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 0.5W。温度係数 = ±110ppm/℃。シリーズ = WSLP。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。0805型WSLP0805..18シリーズ - 1 %. WSLP0805…18シリーズのチップ抵抗器は、低抵抗で高出力のソリューションを実現します。 フットプリントサイズ比に対して優れたこう高出力(1 W)を発揮し、このシリーズは最低0.005 Ωの抵抗値で使用できます。 総溶接構造で製造されたこの高出力抵抗器には、TCRが低いマンガン銅合金又は固体金属ニッケルクロム素子が使われています。. 用途. WSLP0805高出力抵抗器は、パワーアンプ、シャント、装置、スイッチング、リニア電源などのパルス及び電流検知用途に最適です。. 電流検知低熱EMF: >；3 μV/℃ 低インダクタンス値: 0.5 → 5 nH 低い抵抗温度係数

抵抗 = 2.2Ω。テクノロジー = 金属皮膜。パッケージ/ケース = TO-252。許容差 = ±5%。定格電力 = 25W。温度係数 = ±150ppm/℃。シリーズ = DTO25。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +150℃。Vishay DTO25表面実装厚膜電力抵抗器. Vishay DTO25電力抵抗器は、厚膜素子とスズめっき銅の接続部で構成されています。0.016 → 700 kΩの幅広い抵抗を備えたこのシリーズは無誘導性で、抵抗は金属タブから絶縁されています。これらのVishay電力抵抗器は、AEC-Q200認定済みで車載用途に適しています。. 特長と利点:. 表面実装抵抗器 TO-252 (DPAK)パッケージ AEC-Q200認定 25 W @ 25 ℃. 用途:. 車載、産業及び軍事用途

抵抗 12Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0603 (1608M)。許容差 ±1%。定格電力 0.1W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0603 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (0 → 9.53 kΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0603パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 安定性 H05VR/R 1 @ 1000 時間 70 C 2 mm ピッチのパッケージオプションで 0603 サイズに対応 物理的なニッケルバリア層でのはんだコンタクトを強化する 鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応しています はんだ付け処理が含まれています メタルグレーズで高品質セラミックを採用 AEC-Q200 認定. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 = 10MΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0204 ( MELF 0204 )。許容差 = ±1%。定格電力 = 0.25W。温度係数 = ±50ppm/℃。シリーズ = MMA0204。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。EN140401-803. MMA 0204 - 業務用. アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 100Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±5%。定格電力 0.125W。温度係数 ±200ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805パルス防止厚膜チップ抵抗器、CRCW IF e3シリーズ 0.125 W. 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 100kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0603 (1608M)。許容差 ±1%。定格電力 0.25W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0603 CRCW高出力厚膜チップ抵抗器. VishayのCRCWシリーズ抵抗器は、優れたパルス負荷耐量を誇る標準的な厚膜表面実装(SMD)抵抗器です。0603パッケージは厚さがわずか0.45 mmで、高品質セラミックボディにメタルグレーズが施されています。出力定格の向上と信頼性の高い安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続)により、CRCWシリーズのSMD抵抗器はさまざまな用途に最適です。 . 特長と利点.優れたパルス負荷耐量 定格電力の向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) ニッケルバリヤ層の鉛(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、鉛(Pb)フリー及び鉛含有のはんだ付けに対応

抵抗 = 10kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。許容差 = ±0.5%。定格電力 = 0.15W。温度係数 = ±25ppm/K。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = MCT AT。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +175℃。MCS 0402 、 MCT 0603 、 MCU 0805 、 MCA 1206 業務用薄膜フラットチップ抵抗器は、信頼性と安定性が重要視される現代の業務用電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途は、通信、医療機器、ハイエンドコンピュータ、オーディオ / ビデオ電子機器などです。優れた総合的な安定性：クラス 0.5 業務用抵抗値許容差： ± 0.5 % 及び ± 1 % 損失 p70 はサイズ 1206 で最大 0.4 W となっています 耐硫化性 用途 自動車 電気通信 医療機器 産業機器

抵抗 = 100Ω。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = 0603 (1608M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 0.12W。温度係数 = ±50ppm/K。シリーズ = MCT。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。MCS 0402 、 MCT 0603 、 MCU 0805 、 MCA 1206 業務用薄膜フラットチップ抵抗器は、信頼性と安定性が重要視される現代の業務用電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途は、通信、医療機器、ハイエンドコンピュータ、オーディオ / ビデオ電子機器などです。優れた総合的な安定性：クラス 0.5 業務用抵抗値許容差： ± 0.5 % 及び ± 1 % 損失 p70 はサイズ 1206 で最大 0.4 W となっています 耐硫化性 用途 自動車 電気通信 医療機器 産業機器

抵抗 100kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±1%。定格電力 0.5W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.75 W. 優れたパルス負荷機能 定格電力を向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 10kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±1%。定格電力 0.5W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.75 W. 優れたパルス負荷機能 定格電力を向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 10kΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0805 (2012M)。許容差 ±1%。定格電力 0.5W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0805高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.33 W. パルス防止の高出力厚膜チップ抵抗器シリーズは、信頼性、安定性、高い出力定格、優れたパルス負荷性能が重要視される電力測定電子機器のほとんどの分野に最適です。主な用途には、車載機器のバッテリ管理システムなどがあります。. 特長. 優れたパルス負荷耐量 定格電力の向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) ニッケルバリヤ層の鉛(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、鉛( Pb )フリー及び鉛フリーに対応 はんだ付けプロセスを含む. 用途. 自動化 産業用

抵抗 100Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 1206 (3216M)。許容差 ±1%。定格電力 0.5W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。1206高出力厚膜チップ抵抗器、CRCW HP e3シリーズ 0.75 W. 優れたパルス負荷機能 定格電力を向上 両面にプリントされた抵抗素子 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純スズめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 100Ω。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 2010 (5025M)。許容差 ±1%。定格電力 0.75W。温度係数 ±100ppm/℃。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。2010型CRCWシリーズ 1 (ペーパーT/R) (10 → 100 kΩ). 高品質セラミックにメタルグレーズ グレーズ上を保護 優れた安定性(ΔR/R 1 (70 ℃で1000時間)) ニッケルバリヤ層のリード(Pb)フリーはんだコンタクト 純すずめっきにより、リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 100mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 1206 (3216M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 0.25W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSL。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。1206型WSLシリーズ. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(1 mΩまで削減) 総溶接構造

抵抗 = 100kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0207.。許容差 = ±2%。定格電力 = 0.4W。シリーズ = CMB 0207。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。CMB 0207シリーズ. 高度なパルス負荷機能により、サージパルスからのシグナルや本線入力から回路を保護 高レベルの電磁波干渉や静電気放電にさらされる回路にも最適 用途は、自動車、通信、産業及び医療機器のあらゆる分野など

抵抗 10MΩ。テクノロジー 厚膜。パッケージ/ケース 0603 (1608M)。許容差 ±1%。定格電力 0.1W。温度係数 ±100ppm/K。自動車規格 AEC-Q200。シリーズ CRCW。動作温度 Min -55℃。動作温度 Max +155℃。0603 CRCWシリーズ表面実装抵抗器 1 (ペーパーT/R) (10 kΩ 10 MΩ). VishayのCRCWシリーズは、表面実装厚膜抵抗器で構成されています。これらのSMD抵抗器は、高品質セラミック製で、メタルグレーズが施されています。純スズめっきはんだコンタクトでは、鉛含有はんだ又は鉛フリーはんだを使用できます。. 特長と利点:. 0603パッケージサイズ 抵抗値の範囲が0 → 10 MΩのモデルを用意 保護オーバーグレーズ 優れた安定性(+70 ℃でΔR/R 1 %が1000時間持続) 広い動作温度範囲: -55 +155 許容差: ±1 %. 用途:. これらのSMD抵抗器は、電気通信機器、カメラ、コンピュータなど、さまざまな用途に適しています。 AEC-Q200認定済みで、車載用途にも適しています。

抵抗 = 100mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 2010 (5025M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 0.5W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSL。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。2010型WSLシリーズ. 非常に高いパワー / フットプリント比率(1 Wを1206パッケージで達成) スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出及びパルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(0.001 Ωまで削減) 総溶接構造

抵抗 = 10kΩ。テクノロジー = 薄膜。パッケージ/ケース = MELF 0102。許容差 = ±1%。定格電力 = 0.2W。温度係数 = ±50ppm/℃。シリーズ = MMU0102。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +125℃。EN140401-803. MMU 0102 - 業務用. アドバンスド薄膜テクノロジ クラス0.25を超える高い総合安定性 圧入スチールキャップ、すずめっきニッケルバリヤ ニッケルバリヤ層の純Sn終端処理 リード(Pb)フリー及びリード含有はんだプロセスに対応

抵抗 = 100kΩ。テクノロジー = 厚膜。パッケージ/ケース = 2512 (6432M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±100ppm/℃。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = CRCW。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。2512型CRCWシリーズ - 1 % (ペーパーT/R) (1 Ω → 1 MΩ). 特長 安定性すき間換気装置 = 1000 時間( 70 ° C )で 1% 0603 サイズに対応した 2 mm ピッチパッケージオプション ニッケルバリア層の純スズはんだコンタクトにより、鉛( Pb )フリー及び鉛含有はんだプロセスに対応 高品質セラミックにメタルグレーズ AEC-Q200 認定

抵抗 = 10kΩ。テクノロジー = 厚膜。パッケージ/ケース = 2512 (6432M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±100ppm/℃。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = CRCW。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。2512型CRCWシリーズ - 1 % (ペーパーT/R) (1 Ω → 1 MΩ). 特長 安定性すき間換気装置 = 1000 時間( 70 ° C )で 1% 0603 サイズに対応した 2 mm ピッチパッケージオプション ニッケルバリア層の純スズはんだコンタクトにより、鉛( Pb )フリー及び鉛含有はんだプロセスに対応 高品質セラミックにメタルグレーズ AEC-Q200 認定

抵抗 = 100Ω。テクノロジー = 厚膜。パッケージ/ケース = 2512 (6432M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±100ppm/℃。自動車規格 = AEC-Q200。シリーズ = CRCW。動作温度 Min = -55℃。動作温度 Max = +155℃。2512型CRCWシリーズ - 1 % (ペーパーT/R) (1 Ω → 1 MΩ). 特長 安定性すき間換気装置 = 1000 時間( 70 ° C )で 1% 0603 サイズに対応した 2 mm ピッチパッケージオプション ニッケルバリア層の純スズはんだコンタクトにより、鉛( Pb )フリー及び鉛含有はんだプロセスに対応 高品質セラミックにメタルグレーズ AEC-Q200 認定

抵抗 = 100mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 2512 (6432M)。許容差 = ±1%。定格電力 = 1W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSL。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +170℃。2512型WSLシリーズ. 非常に高いパワー / フットプリント比率(1 Wを1206パッケージで達成) スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出及びパルス用途に最適 独自の処理テクニックにより非常に低い抵抗値を達成(0.001 Ωまで削減) 総溶接構造

抵抗 = 100mΩ。テクノロジー = メタルストリップ。パッケージ/ケース = 4257 ( 11070M。許容差 = ±1%。定格電力 = 2W。温度係数 = ±75ppm/℃。シリーズ = WSR2。動作温度 Min = -65℃。動作温度 Max = +275℃。WSR2パワーメタルStripR 2 W. スイッチング及びリニア電源、計装機器、パワーアンプなど、あらゆるタイプの電流検出、電圧分割、パルス用途に最適

抵抗 100mΩ。テクノロジー ニクロム。パッケージ/ケース 2818。許容差 ±1%。定格電力 7W。温度係数 ±75ppm/℃。シリーズ WSHM。動作温度 Min -65℃。動作温度 Max +170℃。2818フォーマット電流検出抵抗器、WSHM、表面実装. WSHM2818パワーメタルストリップ抵抗器には優れた熱管理設計が採用されています。このシリーズは、高電力の電流検出用途向けです。WAHM2818抵抗器は、優れた電気特性を維持した上で、高い「電力/パッケージサイズ」比を提供します。. 特長と利点:. 低いインダクタンス( 5nH)及び7 Wの電力容量を小型の2818サイズパッケージに収納 低い抵抗値(1 m 100 m). 用途:. 自動車: 電子制御(エンジン制御、空調、アンチロックブレーキなど)、ブラシレスDCモータ制御(電子制御パワーステアリング、電動: ウォータポンプ、オイルポンプ、空調など)、電気及びハイブリッド制御(バッテリ管理) 産業: 石油 ガス井の掘削(ダウンホールテスト 測定機器)、空調 ヒートポンプ(インバータ制御) 消費者製品: 空調 ヒートポンプ(インバータ制御)、白物家電(インバータ制御) コンピュータ: DC DCコンバータ、サーバー用のVRM、電力管理 安全

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 73.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 6.22mm。順方向ダイオード電圧 = 1.5V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ P。最大連続ドレイン電流 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 60 V。パッケージタイプ TO-252AA。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 28 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 -3V。最低ゲートしきい値電圧 -1V。最大パワー消費 113 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V。長さ 6.73mm。動作温度 Min -55 ℃mm

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V。最大パワー消費 = 2.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.9 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 1 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 4.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 960 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。高さ = 1.02mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 5mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.062 O。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 49 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 4.2 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm。高さ = 1.55mm。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。パッケージタイプ = SOIC。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 5 W。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 35 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = PowerPAK 1212-8。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 52 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。幅 = 3.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 21 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 180 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor