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テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 100μF電圧 = 10V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 7343-31等価直列抵抗 = 80mΩ許容差 = ±10%長さ = 7.3mm奥行き = 4.3mm高さ = 2.8mm寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mmシリーズ = TR3電解質の種類 = ソリッド℃許容差(マイナス) = -10%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 100μF電圧 = 10V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 6032-28等価直列抵抗 = 200mΩ許容差 = ±10%長さ = 6mm奥行き = 3.2mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mmシリーズ = TR3動作温度 Max = +125℃誘電正接 = 8%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 100μF電圧 = 10V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 6032-28等価直列抵抗 = 100mΩ許容差 = ±10%長さ = 6mm奥行き = 3.2mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mmシリーズ = TR3動作温度 Max = +125℃許容差(プラス) = +10%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 1μF電圧 = 35V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3528-21等価直列抵抗 = 5Ω許容差 = ±10%長さ = 3.5mm奥行き = 2.8mm高さ = 1.9mm寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.9mmシリーズ = 293D電解質の種類 = ソリッド℃許容差(プラス) = +10%293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 1μF電圧 = 35V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3216-18等価直列抵抗 = 7.5Ω許容差 = ±10%長さ = 3.2mm奥行き = 1.6mm高さ = 1.6mm寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mmシリーズ = 293D動作温度 Max = +125℃許容差(プラス) = +10%293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 1μF電圧 = 25V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3216-18等価直列抵抗 = 7.6Ω許容差 = ±10%長さ = 3.2mm奥行き = 1.6mm高さ = 1.6mm寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mmシリーズ = 293D動作温度 Max = +125℃誘電正接 = 4%293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 10μF電圧 = 35V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 7343-31等価直列抵抗 = 250mΩ許容差 = ±10%長さ = 7.3mm奥行き = 4.3mm高さ = 2.8mm寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mmシリーズ = TR3動作温度 Max = +125℃許容差(プラス) = +10%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 10μF電圧 = 35V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 6032-28等価直列抵抗 = 450mΩ許容差 = ±10%長さ = 6mm奥行き = 3.2mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mmシリーズ = TR3動作温度 Max = +125℃誘電正接 = 6%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 10μF電圧 = 25V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 6032-28等価直列抵抗 = 300mΩ許容差 = ±10%長さ = 6mm奥行き = 3.2mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mmシリーズ = TR3電解質の種類 = ソリッド℃許容差(プラス) = +10%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 10μF電圧 = 20V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3528-21等価直列抵抗 = 1Ω許容差 = ±10%長さ = 3.5mm奥行き = 2.8mm高さ = 1.9mm寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.9mmシリーズ = TR3電解質の種類 = ソリッド℃許容差(プラス) = +10%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 10μF電圧 = 16V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 6032-28等価直列抵抗 = 600mΩ許容差 = ±10%長さ = 6mm奥行き = 3.2mm高さ = 2.5mm寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mmシリーズ = TR3電解質の種類 = ソリッド℃許容差(マイナス) = -10%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 10μF電圧 = 16V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3528-21等価直列抵抗 = 800mΩ許容差 = ±10%長さ = 3.5mm奥行き = 2.8mm高さ = 1.9mm寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.9mmシリーズ = TR3動作温度 Max = +125℃許容差(プラス) = +10%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 10μF電圧 = 10V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3216-18等価直列抵抗 = 1.8Ω許容差 = ±10%長さ = 3.2mm奥行き = 1.6mm高さ = 1.6mm寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mmシリーズ = TR3動作温度 Max = +125℃許容差(プラス) = +10%TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = タンタル静電容量 = 1.5μF電圧 = 25V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3528-12等価直列抵抗 = 8.8Ω許容差 = ±10%長さ = 3.5mm奥行き = 2.8mm高さ = 1.2mm寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.2mmシリーズ = TMCU電解質の種類 = ソリッド℃許容差(プラス) = +10%Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， Ultra Flat Low ProfileSmall size， low profile Terminations: Case UA: 100 % matte tin Case UB: Ni / Pd / Au APPLICATIONS Industrial General purpose Undefined

テクノロジー = タンタル静電容量 = 15μF電圧 = 10V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3216-12等価直列抵抗 = 2.9Ω許容差 = ±10%長さ = 3.2mm奥行き = 1.6mm高さ = 1.2mm寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.2mmシリーズ = TMCU動作温度 Max = +125℃誘電体材料 = タンタル%

テクノロジー = タンタル静電容量 = 10μF電圧 = 6.3V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 2012-12等価直列抵抗 = 5.3Ω許容差 = ±10%長さ = 2mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.2mm寸法 = 2 x 1.25 x 1.2mmシリーズ = TMCP電解質の種類 = ソリッド℃誘電体材料 = タンタル%

テクノロジー = タンタル静電容量 = 10μF電圧 = 16V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3528-12等価直列抵抗 = 2.8Ω許容差 = ±10%長さ = 3.5mm奥行き = 2.8mm高さ = 1.2mm寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.2mmシリーズ = TMCU動作温度 Max = +125℃許容差(プラス) = +10%

テクノロジー = タンタル静電容量 = 100nF電圧 = 35V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3216-12等価直列抵抗 = 4許容差 = ±10%長さ = 3.2mm奥行き = 1.6mm高さ = 1.2mm寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.2mmシリーズ = TMCU動作温度 Max = +125℃誘電体材料 = タンタル%

テクノロジー = タンタル静電容量 = 1μF電圧 = 25V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 3216-12等価直列抵抗 = 16.5Ω許容差 = ±10%長さ = 3.2mm奥行き = 1.6mm高さ = 1.2mm寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.2mmシリーズ = TMCU動作温度 Max = +125℃許容差(プラス) = +10%Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， Ultra Flat Low ProfileSmall size， low profile Terminations: Case UA: 100 % matte tin Case UB: Ni / Pd / Au APPLICATIONS Industrial General purpose Undefined

テクノロジー = タンタル静電容量 = 100nF電圧 = 25V dc実装タイプ = 表面実装パッケージ/ケース = 2012-12等価直列抵抗 = 33Ω許容差 = ±10%長さ = 2mm奥行き = 1.25mm高さ = 1.2mm寸法 = 2 x 1.25 x 1.2mmシリーズ = TMCP動作温度 Max = +125℃許容差(マイナス) = -10%Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， 0805 SizeSmall size， suitable for high-density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial Audio and visual equipment General purpose

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 10μF電圧 = 35V dc実装タイプ = スルーホールリード間隔 = 5mm許容差 = ±20%高さ = 15mm寸法 = 6 (Dia.) x 15mmシリーズ = 489D動作温度 Max = +85℃直径 = 6mm489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 10μF電圧 = 25V dc実装タイプ = スルーホールリード間隔 = 2.5mm許容差 = ±20%高さ = 9mm寸法 = 5 (Dia.) x 9mmシリーズ = 489D電解質の種類 = ソリッド℃許容差(プラス) = +20%489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 10μF電圧 = 16V dc実装タイプ = スルーホールリード間隔 = 5mm許容差 = ±20%高さ = 12mm寸法 = 4.5 (Dia.) x 12mmシリーズ = 489D電解質の種類 = ソリッド℃直径 = 4.5mm489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 10μF電圧 = 10V dc実装タイプ = スルーホールリード間隔 = 2.5mm許容差 = ±20%高さ = 7.5mm寸法 = 4 (Dia.) x 7.5mmシリーズ = 489D動作温度 Max = +85℃許容差(プラス) = +20%489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 1μF電圧 = 35V dc実装タイプ = スルーホールリード間隔 = 5mm許容差 = ±20%高さ = 11.5mm寸法 = 4 (Dia.) x 11.5mmシリーズ = 489D電解質の種類 = ソリッド℃直径 = 4mm489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 1μF電圧 = 35V dc実装タイプ = スルーホールリード間隔 = 2.5mm許容差 = ±20%高さ = 7.5mm寸法 = 4 (Dia.) x 7.5mmシリーズ = 489D動作温度 Max = +85℃許容差(プラス) = +20%489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン静電容量 = 10μF電圧 = 25V dc実装タイプ = 表面実装等価直列抵抗 = 1.5Ω許容差 = ±10%長さ = 4mm奥行き = 2.8mm高さ = 1.9mm寸法 = 4 x 2.8 x 1.9mmシリーズ = 595D電解質の種類 = ソリッド℃許容差(プラス) = +10%タンタルワイヤリブで確認できるアノード(+ve)端子. 595Dシリーズ. Vishay 595Dソリッドタンタルコンデンサは、低プロファイルのTantamount表面実装チップで、コンフォーマルコーティングが施されています。 595Dシリーズは、幅広い静電容量と電圧等級を用意しているので、低ESR及び最大CVが実現します。この製品は幅広い用途に適しています。 タンタルコンデンサは体積効率、安定した電気特性、高い信頼性、長寿命が重要視される用途に最適です。. 表面実装 高温定格

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V長さ = 6.73mm高さ = 6.22mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 190 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 7.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 190 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 15.87mm高さ = 20.7mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 4.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 54 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 170 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 9.65mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 74 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 60 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10高さ = 9.8mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm高さ = 9.01mmNチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 550 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 66 nC @ 10 V動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 50 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 36 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor