45ページ目: VISHAYのすべての商品

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 3Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。動作温度 Max = +125℃。誘電正接 = 6%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3528-21。等価直列抵抗 = 2.5Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.5mm。奥行き = 2.8mm。高さ = 1.9mm。寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.9mm。シリーズ = 293D。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 100μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 7343-31。等価直列抵抗 = 125mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 7.3mm。奥行き = 4.3mm。高さ = 2.8mm。寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mm。シリーズ = TR3。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 100μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 7343-31。等価直列抵抗 = 100mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 7.3mm。奥行き = 4.3mm。高さ = 2.8mm。寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。誘電正接 = 8%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 100μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 7343-31。等価直列抵抗 = 80mΩ。許容差 = ±20%。長さ = 7.3mm。奥行き = 4.3mm。高さ = 2.8mm。寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +20%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 100μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 7343-31。等価直列抵抗 = 150mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 7.3mm。奥行き = 4.3mm。高さ = 2.8mm。寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 100μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 6032-28。等価直列抵抗 = 200mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 6mm。奥行き = 3.2mm。高さ = 2.5mm。寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。誘電正接 = 8%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 100μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 6032-28。等価直列抵抗 = 100mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 6mm。奥行き = 3.2mm。高さ = 2.5mm。寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 1μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 7.5Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 1μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 7.6Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。動作温度 Max = +125℃。誘電正接 = 4%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 1μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 9.3Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = 293D。動作温度 Max = +125℃。許容差(マイナス) = -10%。293Dシリーズ. Vishay 293DシリーズTANTAMOUNTR産業等級コンデンサはソリッドタンタルを採用し、100 % つや消しスズ終端処理及び表面実装されています。 293Dシリーズは安定した電気特性、高い信頼性、長寿命を実現し、体積効率が必要な環境に適しています。. 性能 / 電気的特性. 動作温度： -55 → +125 ° C ( 85 ° C 超、電圧ディレーティングが必要)。静電容量範囲： 0.10 → 1000 μ F 。静電容量許容差： ± 5 % 、 ± 10 % 、 ± 20 % 100 % サージ電流テスト済み( D 及び E ケースコード)、定格電圧： 4 → 75 V dc. 特長. 成形ケースは6つのケースコードで用意 - 終端： 100% つや消しスズ標準、スズ / 鉛使用可能 - 「大量」自動ピックアンドプレース装置に対応 - EIA-535-BAAC の機械的要件およびパフォーマンス要件に適合しています - EIA-717 に適合しています - 耐湿性レベル 1 - 光文字認識認定済み - 準拠した終端. 用途. - 産業用 - 通信インフラ - 汎用

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 7343-31。等価直列抵抗 = 250mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 7.3mm。奥行き = 4.3mm。高さ = 2.8mm。寸法 = 7.3 x 4.3 x 2.8mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 6032-28。等価直列抵抗 = 450mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 6mm。奥行き = 3.2mm。高さ = 2.5mm。寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。誘電正接 = 6%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 20V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3528-21。等価直列抵抗 = 1Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.5mm。奥行き = 2.8mm。高さ = 1.9mm。寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.9mm。シリーズ = TR3。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 6032-28。等価直列抵抗 = 600mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 6mm。奥行き = 3.2mm。高さ = 2.5mm。寸法 = 6 x 3.2 x 2.5mm。シリーズ = TR3。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(マイナス) = -10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3528-21。等価直列抵抗 = 800mΩ。許容差 = ±10%。長さ = 3.5mm。奥行き = 2.8mm。高さ = 1.9mm。寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.9mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-18。等価直列抵抗 = 1.8Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.6mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.6mm。シリーズ = TR3。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。TR3シリーズ. ソリッドタンタル表面実装コンデンサTANTAMOUNTR、成形ケースと低ESR

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 1.5μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3528-12。等価直列抵抗 = 8.8Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.5mm。奥行き = 2.8mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.2mm。シリーズ = TMCU。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +10%。Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， Ultra Flat Low ProfileSmall size， low profile Terminations: Case UA: 100 % matte tin Case UB: Ni / Pd / Au APPLICATIONS Industrial General purpose Undefined

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 15μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-12。等価直列抵抗 = 2.9Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.2mm。シリーズ = TMCU。動作温度 Max = +125℃。誘電体材料 = タンタル%

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 10μF。電圧 = 6.3V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 2012-12。等価直列抵抗 = 5.3Ω。許容差 = ±10%。長さ = 2mm。奥行き = 1.25mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 2 x 1.25 x 1.2mm。シリーズ = TMCP。電解質の種類 = ソリッド℃。誘電体材料 = タンタル%

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 10μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3528-12。等価直列抵抗 = 2.8Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.5mm。奥行き = 2.8mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 3.5 x 2.8 x 1.2mm。シリーズ = TMCU。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 100nF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-12。等価直列抵抗 = 4。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.2mm。シリーズ = TMCU。動作温度 Max = +125℃。誘電体材料 = タンタル%

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 1μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 3216-12。等価直列抵抗 = 16.5Ω。許容差 = ±10%。長さ = 3.2mm。奥行き = 1.6mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 3.2 x 1.6 x 1.2mm。シリーズ = TMCU。動作温度 Max = +125℃。許容差(プラス) = +10%。Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， Ultra Flat Low ProfileSmall size， low profile Terminations: Case UA: 100 % matte tin Case UB: Ni / Pd / Au APPLICATIONS Industrial General purpose Undefined

テクノロジー = タンタル。静電容量 = 100nF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。パッケージ/ケース = 2012-12。等価直列抵抗 = 33Ω。許容差 = ±10%。長さ = 2mm。奥行き = 1.25mm。高さ = 1.2mm。寸法 = 2 x 1.25 x 1.2mm。シリーズ = TMCP。動作温度 Max = +125℃。許容差(マイナス) = -10%。Solid Tantalum Surface Mount Chip Capacitors， Molded Case， 0805 SizeSmall size， suitable for high-density packaging Terminations: 100 % matte tin APPLICATIONS Industrial Audio and visual equipment General purpose

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 2.5mm。許容差 = ±20%。高さ = 9mm。寸法 = 5 (Dia.) x 9mm。シリーズ = 489D。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +20%。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 16V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。高さ = 12mm。寸法 = 4.5 (Dia.) x 12mm。シリーズ = 489D。電解質の種類 = ソリッド℃。直径 = 4.5mm。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 10V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 2.5mm。許容差 = ±20%。高さ = 7.5mm。寸法 = 4 (Dia.) x 7.5mm。シリーズ = 489D。動作温度 Max = +85℃。許容差(プラス) = +20%。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 1μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 5mm。許容差 = ±20%。高さ = 11.5mm。寸法 = 4 (Dia.) x 11.5mm。シリーズ = 489D。電解質の種類 = ソリッド℃。直径 = 4mm。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 1μF。電圧 = 35V dc。実装タイプ = スルーホール。リード間隔 = 2.5mm。許容差 = ±20%。高さ = 7.5mm。寸法 = 4 (Dia.) x 7.5mm。シリーズ = 489D。動作温度 Max = +85℃。許容差(プラス) = +20%。489Dシリーズ. ソリッドタンタルラジアルコンデンサ カプセル化されたハードオレンジエポキシ樹脂 高周波数での低インピーダンス及びESR

テクノロジー = 二酸化マンガン。静電容量 = 10μF。電圧 = 25V dc。実装タイプ = 表面実装。等価直列抵抗 = 1.5Ω。許容差 = ±10%。長さ = 4mm。奥行き = 2.8mm。高さ = 1.9mm。寸法 = 4 x 2.8 x 1.9mm。シリーズ = 595D。電解質の種類 = ソリッド℃。許容差(プラス) = +10%。タンタルワイヤリブで確認できるアノード(+ve)端子. 595Dシリーズ. Vishay 595Dソリッドタンタルコンデンサは、低プロファイルのTantamount表面実装チップで、コンフォーマルコーティングが施されています。 595Dシリーズは、幅広い静電容量と電圧等級を用意しているので、低ESR及び最大CVが実現します。この製品は幅広い用途に適しています。 タンタルコンデンサは体積効率、安定した電気特性、高い信頼性、長寿命が重要視される用途に最適です。. 表面実装 高温定格

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = IPAK (TO-251)。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 36 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。長さ = 6.73mm。高さ = 6.22mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.3 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 5.31mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.4 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 1000 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 11 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 7.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-247AC。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 190 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 15.87mm。高さ = 20.7mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 4.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 125 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 1.8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 54 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 10.41mm。高さ = 9.01mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 9.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 170 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。幅 = 9.65mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 3.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 74 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。幅 = 4.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。NチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 6.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V。パッケージタイプ = TO-220FP。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 520 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 2V。最大パワー消費 = 60 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V。標準ゲートチャージ @ Vgs = 52 nC V @ 10。高さ = 9.8mm。NチャンネルMOSFET、500 V、Vishay Semiconductor