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抵抗 100mΩテクノロジー ニクロムパッケージ/ケース 2818許容差 ±1%定格電力 7W温度係数 ±75ppm/℃シリーズ WSHM動作温度 Min -65℃動作温度 Max +170℃2818フォーマット電流検出抵抗器、WSHM、表面実装. WSHM2818パワーメタルストリップ抵抗器には優れた熱管理設計が採用されています。このシリーズは、高電力の電流検出用途向けです。WAHM2818抵抗器は、優れた電気特性を維持した上で、高い「電力/パッケージサイズ」比を提供します。. 特長と利点:. 低いインダクタンス( 5nH)及び7 Wの電力容量を小型の2818サイズパッケージに収納 低い抵抗値(1 m 100 m). 用途:. 自動車: 電子制御(エンジン制御、空調、アンチロックブレーキなど)、ブラシレスDCモータ制御(電子制御パワーステアリング、電動: ウォータポンプ、オイルポンプ、空調など)、電気及びハイブリッド制御(バッテリ管理) 産業: 石油 ガス井の掘削(ダウンホールテスト 測定機器)、空調 ヒートポンプ(インバータ制御) 消費者製品: 空調 ヒートポンプ(インバータ制御)、白物家電(インバータ制御) コンピュータ: DC DCコンバータ、サーバー用のVRM、電力管理 安全

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 73.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm順方向ダイオード電圧 = 1.5VPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ P最大連続ドレイン電流 50 A最大ドレイン-ソース間電圧 60 Vパッケージタイプ TO-252AA実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 28 mチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 -3V最低ゲートしきい値電圧 -1V最大パワー消費 113 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V長さ 6.73mm動作温度 Min -55 ℃mm

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 345 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 108 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 75 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 2.5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 35 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 960 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm高さ = 1.02mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 5 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 150 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.4 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vシリーズ = TrenchFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.062 Oチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 34 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大パワー消費 = 3.2 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 5mm高さ = 1.55mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 7.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 49 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 4.2 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 25 nC @ 10 Vmm高さ = 1.55mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 41 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 5 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 35 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = PowerPAK 1212-8実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.8 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 52 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V幅 = 3.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 21 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 180 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 5.31mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 44 nC @ 10 Vmm高さ = 20.7mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 165 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.8 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 3700 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 9.02mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 40 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3.04mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 11 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 125000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSOP-6実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 3.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 74 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.41mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 19 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 150 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 10.67mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 42 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.22mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 3.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = TrenchFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.112 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vシリーズ = TrenchFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 71 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 19 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors

LED色 = 赤パッケージタイプ = 3 mm (T-1)実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1順方向電圧 = 2.6 V光度 = 180 mcdピン数 = 2レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 630 nmレンズ色 = 赤mmVishay 3 mmラジアルスルーホールLED

LED色 = 黄パッケージタイプ = 3 mm (T-1)実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1順方向電圧 = 3 V光度 = 10 mcdピン数 = 2ビュー角 = 60 °レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 594 nm寸法 = 3mmVishay TLHx4xxxシリーズ3 mm (T-1)ラジアルLED. VishayのTLHx4xxxシリーズは、3 mm着色拡散プラスチックパッケージの高効率LEDです。 このLEDは、広視野角で、オン / オフのコントラストがはっきりしています。TLHx4xxxの最適な用途には、ステータスライト、オン / オフインジケータ、バックグラウンド照明、読み取りライト、メンテナンスライト、マーキングライトなどがあります。. TLHx4xxx LEDの特長: 標準3 mmパッケージ(T-1) 小さい機械公差 DC及び高ピーク電流に最適 広視野角 光度による分類 色分類: 赤色、黄色、緑色、青色

LED色 = 黄パッケージタイプ = 3 mm (T-1)実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1順方向電圧 = 3 V光度 = 3 mcdピン数 = 2ビュー角 = 60 °レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 594 nmレンズ色 = 黄mmVishay TLHx4xxxシリーズ3 mm (T-1)ラジアルLED. VishayのTLHx4xxxシリーズは、3 mm着色拡散プラスチックパッケージの高効率LEDです。 このLEDは、広視野角で、オン / オフのコントラストがはっきりしています。TLHx4xxxの最適な用途には、ステータスライト、オン / オフインジケータ、バックグラウンド照明、読み取りライト、メンテナンスライト、マーキングライトなどがあります。. TLHx4xxx LEDの特長: 標準3 mmパッケージ(T-1) 小さい機械公差 DC及び高ピーク電流に最適 広視野角 光度による分類 色分類: 赤色、黄色、緑色、青色

LED色 = 赤パッケージタイプ = 3 mm (T-1)実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1順方向電圧 = 3 V光度 = 15 mcdピン数 = 2ビュー角 = 60 °レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 630 nm寸法 = 3mmVishay TLUx24xx (1.8 mm) / TLUx44xx (3 mm) / TLUx53xx (5 mm) / TLUx54xx (5 mm) / TLUx64xx (5 mm)シリーズLED

LED色 = 赤パッケージタイプ = 3 mm (T-1)実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1順方向電圧 = 2.4 V光度 = 1.2 mcdピン数 = 2ビュー角 = 50 °レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 625 nmレンズ色 = 赤mmVishay TLLG/R/Y440x、TLLG/Y540xシリーズLED. VishayのTLLG/R/Y440xシリーズ及びTLLG/Y540xシリーズは、着色拡散パッケージに収められた低電流LEDです。 低い消費電力で高輝度出力を提供します。. 標準3 mmパッケージ(TLLG/R/Y440x)、5 mmパッケージ(TLLG/Y540x) 低電流 低消費電力 視野角: 50 ° CMOS/MOS対応 輝度カテゴリ化済み 赤、黄、緑色

LED色 = 赤パッケージタイプ = 3 mm (T-1)実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1順方向電圧 = 3 V光度 = 5 mcdピン数 = 2ビュー角 = 60 °レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 625 nmレンズ色 = 赤mmVishay TLHx4xxxシリーズ3 mm (T-1)ラジアルLED. VishayのTLHx4xxxシリーズは、3 mm着色拡散プラスチックパッケージの高効率LEDです。 このLEDは、広視野角で、オン / オフのコントラストがはっきりしています。TLHx4xxxの最適な用途には、ステータスライト、オン / オフインジケータ、バックグラウンド照明、読み取りライト、メンテナンスライト、マーキングライトなどがあります。. TLHx4xxx LEDの特長: 標準3 mmパッケージ(T-1) 小さい機械公差 DC及び高ピーク電流に最適 広視野角 光度による分類 色分類: 赤色、黄色、緑色、青色

LED色 = 赤パッケージタイプ = 3 mm (T-1)実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1順方向電圧 = 2.2 V光度 = 200 mcdピン数 = 2ビュー角 = ±16 °レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 648 nmレンズ色 = 赤mmVishay 3 mmラジアルスルーホールLED

LED色 = 赤パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)実装タイプ = スルーホール実装LED数 = 1順方向電圧 = 2 V光度 = 10 mcdピン数 = 2ビュー角 = 60 °レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 625 nmレンズ色 = 赤mmVishay 3 mmラジアルスルーホールLED

LED色 = 赤パッケージタイプ = PLCC 2実装タイプ = 表面実装LED数 = 1順方向電圧 = 2.6 V光度 = 1.4 cdピン数 = 2輝度フラックス = 3 mlmレンズ形状 = 砲弾型主波長 = 631 nm寸法 = 3 x 2.8 x 1.75mmVishay VLMx33シリーズLED. Vishay Semiconductor製のVLMx33シリーズは、VLMx31シリーズに基づいた高度なLEDです。 VLMx33 LEDは大型のチップを使用して設計されているので、50 mAの駆動電流にも耐えます。 VLMx33 LEDは、白色の熱可塑樹脂に埋め込まれたリードフレームで構成された標準のPLCC-2パッケージに収納されています。LED内部の反射板は、透明のエポキシで充填されています。 VLMx33 LEDに適した用途: 交通標識 / 信号、屋内照明、屋外照明、ダッシュボード照明、インジケータ及びバックライト. VLMx33 LEDの特長: - 標準PLCC-2パッケージ - AllnGaPテクノロジー -視野角: 120 °

LED色 = 緑，黄パッケージタイプ = 1608 (0603)実装タイプ = 表面実装LED数 = 1順方向電圧 = 2.4 V光度 = 35 mcdピン数 = 2ビュー角 = 130 °レンズ形状 = 長方形主波長 = 571 nm寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mmVishay VLMx1300シリーズLED. Vishay SemiconductorのVLMx1300シリーズは、高輝度0603チップLEDです。 このチップLEDファミリは、設計の柔軟性を考慮したコンパクトな表面実装(SMT)パッケージ設計になっています。 VLMx1300は、小型パッケージでより高い性能を発揮します。 この0603チップLEDは、厳しい環境でも高輝度と高い信頼性を確保する必要のある製品に最適です。 VLMx1300チップLEDに適した用途には、バックライト付きキーパッド、ナビゲーションシステム、携帯電話ディスプレイ、産業用制御システムディスプレイ、小型カラーエフェクト、交通情報ディスプレイなどがあります。. VLMx1300チップLEDの特長: - 薄型チップLEDパッケージ: 1.6 x 0.8 x 0.8 mm - 高輝度 - AllnGaP / InGaN技術 - 広い視野角: 130 °

LED色 = 赤パッケージタイプ = PLCC 2実装タイプ = 表面実装LED数 = 1順方向電圧 = 2.9 V光度 = 1.1 mcdピン数 = 2ビュー角 = 120 °レンズ形状 = 砲弾型主波長 = 625 nmレンズ色 = クリアmmVishay VLMx31シリーズLED. VLMx31シリーズのLEDは、標準のPLCC-2又はPLCC-3パッケージ入りです。 丸型のフラットトップ表面実装(SMT) LEDです。 VLMx31 LEDは、狭い輝度と色の選択肢を必要とする用途に最適です。 熱可塑樹脂に埋め込まれたリードフレームで作成されています。VLMx31 LEDには反射板が使用されており、透明なエポキシが充填されています。 このシリーズに適した用途には、自動車、通信、インジケータ、バックライト、そして一般用途が含まれます。. VLMx31 LEDの特長: - 標準PLCCパッケージ - 低プロファイルのパッケージ - 非拡散レンズ - 低消費電力 - カテゴリ化された輝度

LED色 = 黄パッケージタイプ = 1608 (0603)実装タイプ = 表面実装LED数 = 1順方向電圧 = 2.4 V光度 = 180 mcdピン数 = 2ビュー角 = 130 °レンズ形状 = 長方形主波長 = 597 nm寸法 = 1.6 x 0.8 x 0.8mmVishay VLMx1300シリーズLED. Vishay SemiconductorのVLMx1300シリーズは、高輝度0603チップLEDです。 このチップLEDファミリは、設計の柔軟性を考慮したコンパクトな表面実装(SMT)パッケージ設計になっています。 VLMx1300は、小型パッケージでより高い性能を発揮します。 この0603チップLEDは、厳しい環境でも高輝度と高い信頼性を確保する必要のある製品に最適です。 VLMx1300チップLEDに適した用途には、バックライト付きキーパッド、ナビゲーションシステム、携帯電話ディスプレイ、産業用制御システムディスプレイ、小型カラーエフェクト、交通情報ディスプレイなどがあります。. VLMx1300チップLEDの特長: - 薄型チップLEDパッケージ: 1.6 x 0.8 x 0.8 mm - 高輝度 - AllnGaP / InGaN技術 - 広い視野角: 130 °