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200V/1.5A定格の一般整流用ダイオードです。※生産中止になった日立製のパワーダイオードV03C、V06Cのメーカー推奨代替品です。

検出スペクトル = 赤外線， 可視光標準降下時間 = 5μs標準上昇時間 = 6μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 800μA最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = ±40 °極性 = NPNピン数 = 3実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = TO-18寸法 = 4.7 x 5.2mmコレクター電流 = 50mA直径 = 4.7mm高さ = 5.2mmBPW76A及びBPW76Bシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのBPW76A及びBPW76Bシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタのファミリです。 これらの製品は、ガラスウィンドウ付きのハーメチックシールドTO-18パッケージです。 可視光線及び赤外線両方の放射を感知します。 BPW76A及びBPW76Bフォトトランジスタは、電子機器の制御及び駆動回路の検出器として理想的な製品です。. BPW76A / BPW76Bフォトトランジスタの特長: TO-18パッケージ スルーホール取り付け 4.7 mm径 高感光性 高い放射感度 半輝度角度: 40 ° 動作温度範囲: -40 → +125 ℃

検出スペクトル = 赤外線， 可視光標準降下時間 = 5μs標準上昇時間 = 6μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 20000μA最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = 20 °極性 = NPNピン数 = 3実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = TO-18寸法 = 5.5 x 5.5 x 6.15mmコレクター電流 = 50mA感度スペクトルレンジ = 450 → 1080 nmnm幅 = 5.5mmBPW77NA及びBPW77NBシリーズフォトトランジスタ. Vishay SemiconductorのBPW77NA及びBPW77NBシリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタのファミリです。 これらの製品は、ガラスレンズ付きのハーメチックシールドTO-18パッケージです。 BPW77NA及びBPW77NB フォトトランジスタは、可視光及び赤外線両方の放射を感知します。 これらの製品は、電子機器の制御及び駆動回路の検出器として理想的な製品です。. BPW77NA / BPW77NBフォトトランジスタの特長: TO-18パッケージ 4.7 mm径 スルーホール取り付け 高感光性 高い放射感度 高速な応答時間 動作温度範囲: -40 → +125 ℃

チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 4.6 A最大ドレイン-ソース間電圧 80 Vパッケージタイプ SOT-23実装タイプ 表面実装ピン数 6最大ドレイン-ソース間抵抗 126 mチャンネルモード エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 3V最低ゲートしきい値電圧 1.2V最大パワー消費 3.6 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V長さ 3.1mm動作温度 Min -55 ℃mmTrenchFETRパワーMOSFET 材料の分類: 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチ LEDバックライトスイッチ DC/DCコンバータ ブーストコンバータ

ダイオード構成 = シングルV実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 80Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm標準電圧温度係数 = 0.12%/Kツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 Vシリーズ = D Series実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 3V最大パワー消費 = 104 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 V幅 = 4.65mm動作温度 Min = -55 ℃mmNチャンネルMOSFET、Dシリーズ高電圧、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 1000V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 16mm幅 = 16mmUL、E54214. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPCシリーズ、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化単相ブリッジ整流器 0.5 μA未満の標準赤外線 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 ファストン端子

検出スペクトル = 赤外線標準降下時間 = 5μs標準上昇時間 = 6μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 9000μA最大暗電流 = 50nA半値幅感度角度 = 30 °極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = 5 mm (T-1 3/4)寸法 = 5.75 x 5.75 x 8.6mmコレクター電流 = 50mA感度スペクトルレンジ = 900 → 980 nmnm幅 = 5.75mmBPV11シリーズフォトトランジスタ. Vishay Semiconductor BPV11シリーズのシリコンNPNフォトトランジスタファミリです。この製品は、透明又は黒色のプラスチック製5 mm (T-1 3/4)標準パッケージに収納されています。黒色パッケージには、周囲の可視光向けの昼光遮断フィルタが付いています。BPV11シリーズは、産業用の電子回路、測定、制御用の検出器として使用するのに適しています。. BPV11フォトトランジスタの特長: 5 mm (T-1 3/4)パッケージ スルーホール取り付け 3ピン 高い放射感度 高速な応答時間 半輝度角度: 30° 動作温度範囲: -40 → +100 ℃

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5 kVrms最大電流変換率 = 150%標準降下時間 = 4.7μsシリーズ = VOオプトカプラ、トランジスタ出力、VO6xxAシリーズ、Vishay Semiconductor. フォトトランジスタ出力を備えたVishay製の低入力電流オプトカプラVO615A、VO617A、VO618Aシリーズは、装置のユーザーを感電から守るとともに、システム内のマイクロプロセッサが電圧スパイクによる損傷を受けないように保護します。. VO617A及びVO618Aシリーズは最大5300 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO615Aシリーズは最大5000 Vrmsの電圧を絶縁します。 用途: ACアダプタ、スイッチモード電源、プログラマブルロジックコントローラ、産業用制御、電気通信システム、スマートメータ、オフィス機器、インターネットや太陽光による発電での絶縁 オプトカプラVO615A、VO617A、VO618Aの動作温度は最大で110 ℃です。

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = PDIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5 kVrms最大電流変換率 = 320%最小電流伝送率 = 160%シリーズ = VOオプトカプラ、トランジスタ出力、VO6xxAシリーズ、Vishay Semiconductor. フォトトランジスタ出力を備えたVishay製の低入力電流オプトカプラVO615A、VO617A、VO618Aシリーズは、装置のユーザーを感電から守るとともに、システム内のマイクロプロセッサが電圧スパイクによる損傷を受けないように保護します。. VO617A及びVO618Aシリーズは最大5300 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO615Aシリーズは最大5000 Vrmsの電圧を絶縁します。 用途: ACアダプタ、スイッチモード電源、プログラマブルロジックコントローラ、産業用制御、電気通信システム、スマートメータ、オフィス機器、インターネットや太陽光による発電での絶縁 オプトカプラVO615A、VO617A、VO618Aの動作温度は最大で110 ℃です。

静電容量 = 1000μF電圧 = 16V dc実装タイプ = ラジアル、 スルーホールテクノロジー = アルミ電解寸法 = 10 (Dia.) x 20mm高さ = 20mm動作温度 Min = -55℃直径 = 10mm動作温度 Max = +105℃リード間隔 = 5mm自動車規格 = AEC-Q200AIEC60384-4/EN130300 です。 耐候性カテゴリ： IEC60068-2-6 / 105 / 56. 150 シリーズです. ミニチュアラジアル非固体電解コンデンサ 低インピーダンス及び高リプル電流 サービス寿命： 4000 → 10000 時間 @ 105 ° C

ピーク平均順方向電流 = 200Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = パネルマウントパッケージタイプ = INT-A-PAKピン数 = 6ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 1.5kA動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -40 ℃ピーク順方向電圧 = 1.49Vピーク逆電流 = 10mA長さ = 94mm幅 = 35mmULファイルNo.E78996. Vishay Semiconductor ねじ端子付き三相ブリッジ整流器 VS-160MTシリーズ. 業界標準のINT-A-PAK電源モジュール 高熱伝導性パッケージ、電気絶縁ケース 優れた電力体積比 絶縁電圧： 4000 Vrms

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.7 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3.04mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 10.3V最小ブレークダウン電圧 = 6.67V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)最大逆スタンドオフ電圧 = 6Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 58.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃mm幅 = 3.94mmTRANSZORBR過渡電圧サプレッサ、SMT単方向600 W、SMBJシリーズ、Vishay Semiconductor. 特長:. 低プロファイルパッケージ 自動配置に最適 ガラス不動態化チップジャンクション 単方向および双方向で使用可能 10/1000 μ s 波形で 600 W の Peak パルス電力性能、反復率(デューティサイクル)： 0.01 % 優れたクランプ能力 応答時間が非常に短い 低インクリメンタルサージ耐性 MSL レベル 1 ( J-STD-020 準拠)、 LF 最大 Peak 260 ° C に対応. 用途:. 繊細な電子機器を電圧から保護するために使用します 誘導負荷スイッチング及び照明によって発生する過渡現象 民生用センサユニットの IC 、 MOSFET 、信号ライン コンピュータ、産業、通信

実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.65Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SMD入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4.6μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5300 Vrms最大電流変換率 = 125%標準降下時間 = 15μsシリーズ = VOオプトカプラ、トランジスタ出力、VO6xxAシリーズ、Vishay Semiconductor. フォトトランジスタ出力を備えたVishay製の低入力電流オプトカプラVO615A、VO617A、VO618Aシリーズは、装置のユーザーを感電から守るとともに、システム内のマイクロプロセッサが電圧スパイクによる損傷を受けないように保護します。. VO617A及びVO618Aシリーズは最大5300 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO615Aシリーズは最大5000 Vrmsの電圧を絶縁します。 用途: ACアダプタ、スイッチモード電源、プログラマブルロジックコントローラ、産業用制御、電気通信システム、スマートメータ、オフィス機器、インターネットや太陽光による発電での絶縁 オプトカプラVO615A、VO617A、VO618Aの動作温度は最大で110 ℃です。

実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.6Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 3μs最大入力電流 = 60 mA絶縁電圧 = 5 kVrms最大電流変換率 = 125%標準降下時間 = 4.7μsシリーズ = VOオプトカプラ、トランジスタ出力、VO6xxAシリーズ、Vishay Semiconductor. フォトトランジスタ出力を備えたVishay製の低入力電流オプトカプラVO615A、VO617A、VO618Aシリーズは、装置のユーザーを感電から守るとともに、システム内のマイクロプロセッサが電圧スパイクによる損傷を受けないように保護します。. VO617A及びVO618Aシリーズは最大5300 Vrmsの電圧を絶縁します。 VO615Aシリーズは最大5000 Vrmsの電圧を絶縁します。 用途: ACアダプタ、スイッチモード電源、プログラマブルロジックコントローラ、産業用制御、電気通信システム、スマートメータ、オフィス機器、インターネットや太陽光による発電での絶縁 オプトカプラVO615A、VO617A、VO618Aの動作温度は最大で110 ℃です。

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220AC最大連続 順方向電流 = 8Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 超高速整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.5V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 50nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 125A超高速回復整流器(6 → 12 A)、Vishay Semiconductor. Vishay社の超高速整流器では、逆回復時間が15 nsと非常に短く、電圧レベルも1500 Vになります。 主な用途: 低周波のスイッチモード電源(SMPS)、インバータ、還流ダイオードなどがあります。

ピーク平均順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 800V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GSIB-5Sピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 180A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 950mVピーク逆電流 = 10μA長さ = 30mm幅 = 4.6mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GSIB-5シリーズ、Vishay Semiconductor. GSIB-5シリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. 薄型シングルインラインGSIB-5パッケージ ガラス不動態化チップジャンクション 耐高サージ電流 2500 Vrmsの高い絶縁耐性ケース 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 550Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = TSOP-6実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 60 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 3.3 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 3.1mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 200V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = GBUピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 175A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1Vピーク逆電流 = 500μA長さ = 22.3mm幅 = 3.56mmULファイル番号E54214. SIL基板実装、GBUシリーズ、Vishay Semiconductor. GBUシリーズブリッジ整流器、SIL基板実装パッケージ入り、Vishay Semiconductor. ガラス不動態化ジャンクション 耐高サージ電流 1500 Vrmsの高いケース絶縁性 基板(PCB)スルーホール実装用のはんだピン

標準ツェナー電圧 = 15V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 110Ω最大逆漏れ電流 = 2μA寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 Vパッケージタイプ = SOT-23-3 (TO-236)実装タイプ = 表面実装

チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 8 Vパッケージタイプ = 6マイクロフット実装タイプ = 表面実装

チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = ±4.3 A， ±6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ， 140 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2.78 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm動作温度 Min = -55 ℃mmデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vシリーズ = TrenchFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.034 Oチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1V1チップ当たりのエレメント数 = 1

検出スペクトル = 赤外線標準降下時間 = 5μs標準上昇時間 = 6μsチャンネル数 = 1最大光電流 = 4000μA最大暗電流 = 100nA半値幅感度角度 = 74 °極性 = NPNピン数 = 2実装タイプ = スルーホール実装パッケージタイプ = 側方監視寸法 = 5 x 2.65 x 5mmコレクター電流 = 100mA感度スペクトルレンジ = 850 → 980 nmnm高さ = 5mmTEKT5400シリーズPINフォトダイオード. Vishay Semiconductor製のTEKT5400シリーズは、シリコンNPNフォトトランジスタです。 これらの製品は側方監視のスルーホールパッケージに収納されています。 これらの製品は、昼光フィルタを備え、周囲の可視光を遮断する黒色のプラスチック製パッケージに収納されています。 TEKT5400フォトトランジスタは、電子制御や駆動回路における検出器としての使用に最適です。. 特長と利点:. パッケージタイプ：リード付き パッケージ形態：サイドビューレンズ 寸法( L ；font face="symbol">；´ ；/font>； W ；font face="symbol">；´ ；/font>； H ；font face="symbol">；´ ；/font>； mm )： 5 ；font face="symbol">；´ ；/font>； 2.65 ；font face="symbol">；´ ；/font>； 5 高い放射感度 940 nm に適合する昼光遮断フィルタ エミッタ 高速な応答時間 半感度の角度：冷間距離 = ± 37 ° 赤外線エミッタシリーズ TSKS5400S と組み合わせたパッケージ. 用途:. 電子制御および駆動回路の検出器

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 Vシリーズ = TrenchFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 71 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 19 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.7mm動作温度 Min = -55 ℃mmPチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors

チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = TrenchFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.0192 Oチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 3V1チップ当たりのエレメント数 = 1

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = P600最大連続 順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 400Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 2.5μs直径 = 9.1mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

標準ツェナー電圧 = 4.7V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = Quadro MiniMelfツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 600Ω最大逆漏れ電流 = 10μA寸法 = 1.6 (Dia.) x 3.7mm標準電圧温度係数 = -0.05 %/℃， 0.02%/℃ツェナーダイオード500 mW、BZT55シリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 10V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MicroMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = <15Ω最大逆漏れ電流 = <2μA寸法 = 2 x 1.2 x 1.2mm動作温度 Max = +175 ℃%/Kツェナーダイオード500 mW、BZM55シリーズ、Vishay Semiconductor

実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = P600最大連続 順方向電流 = 6Aピーク逆繰返し電圧 = 600Vダイオード構成 = シングル整流タイプ = 汎用ダイオードタイプ = 整流器ピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V1チップ当たりのエレメント数 = 1ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピーク逆回復時間 = 2.5μs直径 = 9.1mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A標準回復整流器、2 → 10 A. 業界標準スタイルのパッケージに収納された、汎用で高効率の標準回復ダイオードです。

標準ツェナー電圧 = 5.1V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1300 mWパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 45mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm標準電圧温度係数 = 0.015%/℃ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 6.2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1300 mWパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 6%ピン数 = 2テスト電流 = 35mA最大ツェナーインピーダンス = 4Ω最大逆漏れ電流 = 1μA寸法 = 4.1 x 2.6 x 2.6mm標準電圧温度係数 = 0.033%/℃ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用