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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥189
税込¥208
欠品中
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W標準ターンオフ遅延時間 = 25 nsPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥299
税込¥329
翌々日出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 50 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 73.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。幅 = 6.22mm。順方向ダイオード電圧 = 1.5V。PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 278 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 3094 pF @ 10 VNチャンネルMOSFET、Dシリーズ高電圧、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥699
税込¥769
翌々日出荷
MOSFET・モスフェット
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
RoHS指令(10物質対応)対応
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 12 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 71 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 19 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V。幅 = 1.7mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(10個)
¥759
税込¥835
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 11.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V。シリーズ = ThunderFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 31 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最大パワー消費 = 5.7 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V。長さ = 5mm。高さ = 1.5mm。NチャンネルMOSFET、中電圧 / ThunderFETR、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥159,800
税込¥175,780
7日以内出荷
仕様MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
チャンネルモードエンハンスメント型
仕様デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN, P
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
最大負荷電流 = 150 mA。取り付けタイプ = 表面実装。最大負荷電圧 = 350 V。接点構成 = SPDT, SPST。出力装置 = MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
¥28,980
税込¥31,878
7日以内出荷
最大負荷電流 = 200 mA。取り付けタイプ = 表面実装。最大負荷電圧 = 200 V。接点構成 = SPST-NO。出力装置 = MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
1個
¥859
税込¥945
7日以内出荷
最大負荷電流 = 0.25 A。取り付けタイプ = 基板実装。最大負荷電圧 = 350 V。最大電圧制御 = 1.5 V。ターミナルタイプ = 表面実装。出力装置 = MOSFET。定格電圧範囲 = 350V ac。寸法 = 8.7 x 6.5 x 3.81mm。奥行き = 6.5mm。オプトカプラ、ソリッドステートリレー(フォトMOSFET)、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥3,298
税込¥3,628
翌々日出荷
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)
RoHS指令(10物質対応)対応
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 2.7 A。最大ドレイン-ソース間電圧 150 V。パッケージタイプ SOIC。実装タイプ 表面実装。ピン数 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 95 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 2V。最大パワー消費 3 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V。幅 4mm。動作温度 Min -55 ℃mm。ハロゲンフリー TrenchFETRパワーMOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,798
税込¥1,978
7日以内出荷
仕様デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
チャンネルモードエンハンスメント型
カテゴリーパワーMOSFET
実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = MOSFET。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = SMD。入力電流タイプ = DC。シリーズ = LH
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
¥999
税込¥1,099
7日以内出荷
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 2.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 20 V。パッケージタイプ SOT-23。実装タイプ 表面実装。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 75 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 0.85V。最低ゲートしきい値電圧 0.4V。最大パワー消費 0.71 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±8 V。幅 1.4mm。動作温度 Min -55 ℃mm。ハロゲンフリー TrenchFETRパワーMOSFET 100 %耐久性テスト済み 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチング DC/DCコンバータ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥1,398
税込¥1,538
7日以内出荷
実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = MOSFET。最大順方向電圧 = 1.6V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = SOP。最大入力電流 = 50 mA。絶縁電圧 = 4.5 kVrms。論理出力 = あり。シリーズ = VOM
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥2,498
税込¥2,748
7日以内出荷
仕様MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 4.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 80 V。パッケージタイプ SOT-23。実装タイプ 表面実装。ピン数 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 126 m。チャンネルモード エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 3V。最低ゲートしきい値電圧 1.2V。最大パワー消費 3.6 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 ±20 V。長さ 3.1mm。動作温度 Min -55 ℃mm。TrenchFETRパワーMOSFET 材料の分類: 用途 ポータブルデバイス用負荷スイッチ LEDバックライトスイッチ DC/DCコンバータ ブーストコンバータ
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥1,698
税込¥1,868
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IGBT
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
仕様MOSFET
RoHS指令(10物質対応)対応
仕様チャンネルタイプ = N, P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ, 34 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 3.2 W標準ターンオン遅延時間 = 11 ns, 42 nsデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
¥1,198
税込¥1,318
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.2 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.062 O。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(2500個)
¥119,800
税込¥131,780
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 8 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 6。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.0192 O。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
¥1,698
税込¥1,868
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 3.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.112 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
¥1,298
税込¥1,428
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 7.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.04 O。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
¥73,980
税込¥81,378
7日以内出荷
チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 29 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V。シリーズ = TrenchFET。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 8。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.0077 O。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V。1チップ当たりのエレメント数 = 1
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
¥1,898
税込¥2,088
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