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RoHS10物質対応(35)
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Dual N-Ch MOSFET SC-89-6 20V 396 mohms @VISHAY￥1,598～税込￥1,758～
1袋(50個)ほか
7日以内出荷
仕様MOSFETRoHS指令(10物質対応)対応
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFETVISHAY￥2,298税込￥2,528
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)RoHS指令(10物質対応)対応
MOSFET P-ChannelVISHAY￥14,980税込￥16,478
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay デュアル Pチャンネル パワーMOSFETVISHAY￥1,298～税込￥1,428～
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様デュアルPチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor実装タイプ表面実装チャンネルタイプPチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Vishay N+Pチャンネル パワーMOSFETVISHAY￥1,698～税込￥1,868～
1袋(5個)ほか
7日以内出荷
仕様デュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor実装タイプ表面実装チャンネルタイプN， Pチャンネルモードエンハンスメント型カテゴリーパワーMOSFET
Vishay ショットキーバリアダイオード， コモンカソード， 60A， 100V， 3-Pin TO-220ABVISHAY￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = コモンカソード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ABダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 790mV長さ = 10.54mm幅 = 4.7mm高さ = 15.32mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 320ATMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBS(R))整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長RoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 18 A， 8 ピン パッケージPowerPAK SOVISHAY￥1,998税込￥2,198
1袋(20個)
翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 18 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = PowerPAK SO実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 48 W幅 = 5mmPチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 30 V， 6 A， 3 ピン パッケージSOT-23VISHAY￥1,698税込￥1,868
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1.2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2.5 W寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.02mmNチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay N+Pチャンネル パワーMOSFET， 20 V， 400 mA， 700 mA， 6 ピン パッケージSOT-363 (SC-88)VISHAY￥1,298税込￥1,428
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 400 mA， 700 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.48 Ω， 578 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = 絶縁型チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 340 mW標準入力キャパシタンス @ Vds = 38 pF @ 10 V、43 pF @ -10 VデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル MOSFET， 20 V， 6 A， 3 ピン パッケージSOT-23 SQ Rugged シリーズVISHAY￥1,398税込￥1,538
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7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 54 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 2 W1チップ当たりのエレメント数 = 1AEC-Q101. NチャンネルMOSFET、車載用SQ高耐久性シリーズ、Vishay Semiconductor. Vishay SemiconductorのMOSFET SQ シリーズは、高い耐久性と信頼性を必要とするすべての車載用途に対応した設計です。. SQ高耐久性シリーズMOSFETの利点. AEC-Q101認定 ジャンクション温度: 最高+175 ℃ 低オン抵抗n / pチャンネルTrenchFET(R)技術 画期的な省スペースのパッケージオプションRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay MOSFET， 40 V， 8 A， 8 ピン パッケージSOICVISHAY￥1,098税込￥1,208
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7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 27 mΩ， 34 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 3.2 W標準ターンオン遅延時間 = 11 ns， 42 nsデュアルN/PチャンネルMOSFET、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay デュアル Nチャンネル トレンチ型 パワーMOSFET， 60 V， 6.5 A， 8 ピン パッケージSOICVISHAY￥859税込￥945
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翌々日出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 52 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 3.7 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 840 pF @ 30 VデュアルNチャンネルMOSFET、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.2 A， 8 ピン パッケージPowerPAK SOVISHAY￥1,898税込￥2,088
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = PowerPAK SO実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 1800 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 85 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥969税込￥1,066
1個
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 85 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.5 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 250 W寸法 = 10.41 x 4.7 x 9.01mmNチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 200 V， 57 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥3,198税込￥3,518
1袋(5個)
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 57 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 3.75 W動作温度 Max = +175 ℃NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 1.8 A， 3 ピン パッケージIPAK (TO-251)VISHAY￥299税込￥329
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = IPAK (TO-251)実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W標準ターンオフ遅延時間 = 25 nsPチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 400 V， 3.7 A， 3 ピン パッケージTO-220FPVISHAY￥379税込￥417
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1Ω最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220FP実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 VNチャンネルMOSFET、300 → 400 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Pチャンネル パワーMOSFET， 60 V， 6.7 A， 3 ピン パッケージTO-220ABVISHAY￥199税込￥219
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 6.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 43 W動作温度 Max = +175 ℃PチャンネルMOSFET、30 → 80 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
Vishay Nチャンネル パワーMOSFET， 600 V， 16 A， 3 ピン パッケージTO-247ACVISHAY￥639税込￥703
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 16 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V， +30 Vパッケージタイプ = TO-247AC実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 280 W標準ターンオン遅延時間 = 17 nsNチャンネルMOSFET、600 → 1000 V、Vishay SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
