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Nexperia NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥209税込￥230
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN1チップ当たりのエレメント数 = 1最大連続コレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V標準入力抵抗 = 10 kΩ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ピン数 = 3最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.15 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V標準抵抗比 = 1動作温度 Min = -65 ℃デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥519税込￥571
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥539税込￥593
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1高さ = 1mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード， シリーズ， 225mA， 250V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥369税込￥406
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 250V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 50ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 12 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥349税込￥384
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 12 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 500 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥499税込￥549
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin UMTnexperia￥379税込￥417
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = UMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 65 V， 100mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥569税込￥626
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥399税込￥439
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V小信号PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥279税込￥307
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， シリーズ， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-323 (SC-70)nexperia￥519税込￥571
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 3長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5ns動作温度 Min = -65 ℃ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin UMTnexperia￥229税込￥252
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = UMT実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 200 mW最小DC電流ゲイン = 40トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1寸法 = 1 x 2.2 x 1.35mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 250 V， 50 mA， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥349税込￥384
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 50 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 Vパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 60 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm高電圧トランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Quad XOR Logic Gate 2-Input CMOS SOIC14nexperia￥1,498税込￥1,648
1本(57個)
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仕様実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOピン数 = 14動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃長さ = 8.75mm幅 = 4mm高さ = 1.45mm寸法 = 8.75 x 4 x 1.45RoHS指令(10物質対応)対応
NXP トリプル2:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5 V， 16-Pin SOICnexperia￥50税込￥55
1個
7日以内出荷
仕様構成 = トリプル2:1パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 5 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル， シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±2.5V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 3最大パワー消費 = 500 mW74HCファミリデコーダ / マルチプレクサ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのデコーダ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、及びアナログスイッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP ABT バッファ 非反転， 14ピン SOICnexperia￥78税込￥86
1個
翌々日出荷
仕様ロジックファミリー = ABTロジック機能 = バッファ， ラインドライバチャンネル数 = 4シュミットトリガ入力 = なし入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 64mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 4.6 ns @ 5 V寸法 = 8.75 x 4 x 1.45mm高さ = 1.45mm74ABTファミリ、Nexperia. アドバンスドBiCMOSテクノロジロジック 動作電圧: 4.5 → 5.0 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力TTLRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， コモンアノード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥129税込￥142
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 18V， 500 mW， 2-Pin SOD27 (DO-35)nexperia￥469税込￥516
1袋(100個)
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD27 (DO-35)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±2 %， ±5 %ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 225 Ω @ 1 mA長さ = 4.25mm直径 = 1.85mm寸法 = 1.85 (Dia.) x 4.25mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 2チャンネル 双方向 ESD保護ダイオード， 230W， 41V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥58,980税込￥64,878
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様方向性タイプ = 相方向最大クランピング電圧 = 41V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 230W最大ピークパルス電流 = 5AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃テスト電流 = 1mAPESDxxxL2シリーズ、低静電容量二重双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向二重静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、最大2本の信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
NXP スイッチングダイオード， 250mA， 100V， 2-Pin SOD-523nexperia￥10,980税込￥12,078
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク逆電流 = 500nA小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
NXP スイッチングダイオード， 200mA， 75V， 2-Pin SOD-323，エレメント数 1， シングルnexperia￥17,980税込￥19,778
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様最大順方向電流 = 200mA1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1.05mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ， 60 V， 600 mA， 4-Pin SOT-223 (SC-73)nexperia￥339税込￥373
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.15 W最小DC電流ゲイン = 50トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 200 MHzピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.6 V汎用PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 40 V， 600 mA， 4-Pin SOT-223 (SC-73)nexperia￥70税込￥77
1個
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.15 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃汎用NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP トリプル2:1 マルチプレクサ / デマルチプレクサ 5 V， 16-Pin SOICnexperia￥1,698税込￥1,868
1本(50個)
7日以内出荷
仕様構成 = トリプル2:1パッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 5 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル， シングル入力信号タイプ = 差動出力信号タイプ = 差動標準デュアル供給電圧 = ±2.5V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 3最大パワー消費 = 500 mW74HCファミリデコーダ / マルチプレクサ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのデコーダ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ、及びアナログスイッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 HCシリーズ デュアル モノステーブルマルチバイブレータ， 5.2mA， 2～6 V， 16-Pin SOICnexperia￥1,498税込￥1,648
1本(50個)
7日以内出荷
仕様ロジックファミリー = HCロジック機能 = モノステーブルマルチバイブレータ1チップ当たりのエレメント数 = 2高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA最小パルス幅 = 17 ns最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 255 ns @ 2 V最大静止電流 = 0.008mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 16寸法 = 10 x 4 x 1.45mm高さ = 1.45mm長さ = 10mm動作供給電圧 Min = 2 V74HCファミリ、Nexperia. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 HCシリーズ フリップフロップIC 2～6 V， 14-Pin SOICnexperia￥1,298税込￥1,428
1本(57個)
翌々日出荷
仕様ロジックファミリー = HCロジック機能 = D タイプ入力タイプ = シングルエンド出力信号タイプ = 差動トリガータイプ = 正エッジ極性 = 反転， 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14セット/リセット = Yes1チップ当たりのエレメント数 = 2最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 265 ns @ 2 V寸法 = 8.75 x 4 x 1.45mm動作供給電圧 Min = 2 V74HCファミリフリップフロップ / ラッチ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのフリップフロップ / ラッチ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP Nチャンネル MOSFET， 60 V， 360 mA， 3 ピン パッケージSOT-23nexperia￥12,980税込￥14,278
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.4V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW動作温度 Min = -55 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード， シリーズ， 215mA， 100V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥6,198税込￥6,818
1リール(3000個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 3最大順方向降下電圧 = 1.25V長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 4nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 4A小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 2.4V， 500 mW， 2-Pin MiniMELFnexperia￥299税込￥329
1袋(25個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = MiniMELFツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA長さ = 3.7mm寸法 = 3.7 x 1.6 x 1.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZV55シリーズ、Nexperia. NXP 500 mW表面実装(SMT) Zenerダイオード、幅広い範囲の絶縁破壊電圧。RoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 LVCシリーズ バッファ / ラインドライバ， 3ステート 非反転， 1.65～5.5 V， 5-Pin TSSOPnexperia￥399税込￥439
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = バッファ， ラインドライバ1チップ当たりのチャンネル数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.3 ns @ 2.7 V寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 LVCシリーズ バッファ / ラインドライバ， 3ステート 非反転， 1.65～5.5 V， 5-Pin TSSOPnexperia￥389税込￥428
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = バッファ， ラインドライバ1チップ当たりのチャンネル数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.5 ns @ 2.7 V寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74LVC1GX04GW 水晶発振器ドライバnexperia￥519税込￥571
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ロジックファミリー = 74LVC実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMTピン数 = 6寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1mm動作温度 Max = +125 ℃動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 LVCシリーズ インバータ(NOTゲート)， 32mA， 1.65～5.5 V， 5-Pin TSSOPnexperia￥379税込￥417
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.2 ns @ 5 V， 3 ns @ 3.3 V， 3.2 ns @ 2.7 V高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Max = 5.5 V74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 4チャンネル ESD保護アレイ， 6-Pin TSOPnexperia￥349税込￥384
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仕様ダイオード構成 = コンプレックスアレイ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSOPピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 4動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃幅 = 1.7mmシリアルデータバスESD保護. 静電気放電(ESD)保護対象: DVI、HDMI、IEEE1394、USB、イーサネット、ビデオライン。. 超低静電容量 2 / 4線ESD保護 IEC61000-4-2レベル4規格に適合RoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 LVCシリーズ ロジックゲート， 32mA， 1.65～5.5 V， 5-Pin TSSOP 2-入力nexperia￥359税込￥395
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仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 LVCシリーズ ロジックゲート， 32mA， 1.65～5.5 V， 5-Pin TSSOP 2-入力nexperia￥389税込￥428
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仕様ロジック機能 = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -32mA動作供給電圧 Min = 1.65 V低レベル出力電流 Max = 32mA動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 LVCシリーズ インバータ， 32mA， 1.65～5.5 V， 5-Pin TSSOPnexperia￥399税込￥439
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仕様ロジック機能 = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.3 ns @ 2.7 V高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジック シングルゲートパッケージ 動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ツェナーダイオード， 2.4V， 250 mW， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia￥899税込￥989
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仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mWパッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 3テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA長さ = 3mm寸法 = 3 x 1.4 x 1mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード250 mW、BZX84シリーズ、NXP SemiconductorsRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia スイッチングダイオード， 250mA， 200V， 2-Pin SOD-323，エレメント数 1， シングルnexperia￥579税込￥637
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仕様最大順方向電流 = 250mA実装タイプ = 表面実装最大逆電圧 = 200Vパッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1.05mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1.05mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia デュアル NPN トランジスタ， 30 V， 100mA， 4-Pin SOT-143Bnexperia￥3,198税込￥3,518
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-143B実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = カレントミラー最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 2幅 = 1.4mm小信号NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応