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バッファ，ラインドライバ LVCシリーズ， 3ステート 非反転， 1.2～3.6V， 48-Pin TSSOP
nexperia￥269税込￥2961個8日以内出荷仕様ロジックファミリー：LVC 、 ロジック機能：バッファ， ラインドライバ 、 1チップ当たりのチャンネル数：16 、 入力タイプ：シングルエンド 、 出力タイプ：3ステート 、 極性：非反転 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：TSSOP 、 ピン数：48 、 高レベル出力電流 Max：-24mA 、 低レベル出力電流 Max：24mA 、 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：11 ns @ 1.2 V 、 寸法：12.6 x 6.2 x 1.05mm 、 高さ：1.05mm 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 74LVCHファミリ、Nexperia. 高速低電圧CMOSテクノロジロジック 動作電圧: 1.2 → 3.6 V (許容電圧 / 出力は5 V) 入力のバスホールド機能により大規模なプルアップが不要 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ LVCシリーズ， 3ステート 反転， 1.65～5.5V， 8-Pin TSSOP
nexperia￥1,198税込￥1,3181袋(30個)7日以内出荷仕様ロジックファミリー：LVC●ロジック機能：バッファ， ラインドライバ●1チップ当たりのチャンネル数：2●入力タイプ：シュミットトリガ●出力タイプ：3ステート●極性：反転●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：TSSOP●ピン数：8●高レベル出力電流 Max：-32mA●低レベル出力電流 Max：32mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：11.9 ns@ 30 pF， 6.9 ns@ 50 pF●寸法：3.1 x 3.1 x 0.95mm●高さ：0.95mm●動作供給電圧 Min：1.65 VRoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ LVCシリーズ 非反転， 5-Pin TSSOP
nexperia￥17,980税込￥19,7781リール(3000個)7日以内出荷仕様ロジックファミリー：LVC 、 ロジック機能：バッファ 、 1チップ当たりのチャンネル数：1 、 入力タイプ：CMOS 、 出力タイプ：オープンドレイン 、 極性：非反転 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：TSSOP 、 ピン数：5 、 低レベル出力電流 Max：30mA 、 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：8.4 ns @ 1.65 V 、 寸法：2.25 x 1.35 x 1mm 、 高さ：1mm 、 動作温度 Min：-40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応バッファ，ラインドライバ LVCシリーズ 非反転， 1.65～5.5V， 5-Pin TSSOP
nexperia￥1,398税込￥1,5381セット(200個)7日以内出荷仕様ロジックファミリー：LVC●ロジック機能：バッファ●1チップ当たりのチャンネル数：1●入力タイプ：CMOS●出力タイプ：オープンドレイン●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：TSSOP●ピン数：5●低レベル出力電流 Max：30mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：8.4 ns@ 1.65 V●寸法：2.25 x 1.35 x 1mm●高さ：1mm●幅：1.35mmRoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ HCシリーズ， 3ステート， 2～6V， 5-Pin TSSOP
nexperia￥1,298税込￥1,4281セット(100個)7日以内出荷仕様ロジックファミリー：HC●入力タイプ：CMOS●出力タイプ：3ステート●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：TSSOP●ピン数：5●高レベル出力電流 Max：-7.8mA●低レベル出力電流 Max：7.8mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：150 ns@ 50 pF●寸法：2.25 x 1.35 x 1mm●高さ：1mm●動作供給電圧 Min：2 V●74HC1G / 74HC2Gシリーズ、Nexperia. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ AHCTシリーズ， 3ステート， 4.5～5.5V， 5-Pin TSSOP
nexperia￥779税込￥8571セット(100個)8日以内出荷仕様ロジックファミリー：AHCT●入力タイプ：TTL●出力タイプ：3ステート●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：TSSOP●ピン数：5●高レベル出力電流 Max：-8mA●低レベル出力電流 Max：8mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：9.5 ns@ 50 pF●寸法：2.25 x 1.35 x 1mm●高さ：1mm●動作供給電圧 Min：4.5 V●74HCT1G / 74HCT2G / 74HCT3Gファミリ、Nexperia. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ 74LVCシリーズ， 3ステート 非反転， 5-Pin TSSOP
nexperia￥969～税込￥1,066～1袋(100個)ほか7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ 74LVCシリーズ 非反転， 14-Pin SOIC
nexperia￥1,398税込￥1,5381袋(57個)8日以内出荷仕様ロジックファミリー：74LVC●ロジック機能：バッファ●1チップ当たりのチャンネル数：6●入力タイプ：CMOS， LVTTL●出力タイプ：オープンドレイン●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：SOIC●ピン数：14●低レベル出力電流 Max：32mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：6.5ns●寸法：8.75 x 4 x 1.45mm●高さ：1.45mm●動作供給電圧 Min：1.65 VRoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ 74HCシリーズ， 3ステート 非反転， 20-Pin TSSOP
nexperia￥2,898税込￥3,1881セット(75個)7日以内出荷仕様ロジックファミリー：74HC 、 ロジック機能：バッファ， ラインドライバ 、 1チップ当たりのチャンネル数：8 、 入力タイプ：CMOS 、 出力タイプ：3ステート 、 極性：非反転 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：TSSOP 、 ピン数：20 、 高レベル出力電流 Max：-7.8mA 、 低レベル出力電流 Max：7.8mA 、 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：165ns 、 寸法：6.6 x 4.5 x 0.95mm 、 高さ：0.95mm 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 74HCファミリインバータ / バッファ、Nexperia. NXPの74HCファミリCMOSロジックICのインバータ / バッファ製品です。 74HCファミリはシリコンゲートCMOS技術を使用して、LSTTLファミリと同様の動作速度を達成しますが、標準のCMOS集積回路よりも消費電力量が低いです。. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ 74HCシリーズ， 3ステート 非反転， 20-Pin SOIC
nexperia￥2,298～税込￥2,528～1袋(50個)ほか7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ 74HCTシリーズ， 3ステート 非反転， 4.5～5.5V， 20-Pin SOIC
nexperia￥77,980～税込￥85,778～1リール(2000個)7日以内出荷RoHS指令(10物質対応)対応
バッファ，ラインドライバ 74AHCシリーズ， 3ステート 非反転， 5-Pin TSSOP
nexperia￥21,980税込￥24,1781リール(3000個)8日以内出荷仕様ロジックファミリー：74AHC 、 ロジック機能：バッファ， ラインドライバ 、 1チップ当たりのチャンネル数：1 、 入力タイプ：CMOS 、 出力タイプ：3ステート 、 極性：非反転 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：TSSOP 、 ピン数：5 、 高レベル出力電流 Max：-8mA 、 低レベル出力電流 Max：8mA 、 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：14.5ns 、 寸法：2.25 x 1.35 x 1mm 、 高さ：1mm 、 動作温度 Min：-40 ℃ 、 74AHC1G / 74AHC2Gファミリ、Nexperia. シングル及びデュアルゲートのパッケージ CMOS入力 / CMOS出力 動作電圧: 2 → 5.5RoHS指令(10物質対応)対応バッファ，ラインドライバ 74AHCシリーズ， 3ステート 非反転， 2～5.5V， 5-Pin TSSOP
nexperia￥339税込￥3731袋(30個)8日以内出荷仕様ロジックファミリー：74AHC●ロジック機能：バッファ， ラインドライバ●1チップ当たりのチャンネル数：1●入力タイプ：CMOS●出力タイプ：3ステート●極性：非反転●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：TSSOP●ピン数：5●高レベル出力電流 Max：-8mA●低レベル出力電流 Max：8mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：14.5ns●寸法：2.25 x 1.35 x 1mm●高さ：1mm●動作供給電圧 Min：2 V●74AHC1G / 74AHC2Gファミリ、Nexperia. シングル及びデュアルゲートのパッケージ CMOS入力 / CMOS出力 動作電圧: 2 → 5.5RoHS指令(10物質対応)対応
バッファ & ラインドライバコンビネーション 74LVCシリーズ 非反転， 6-Pin SC-88
nexperia￥31,980税込￥35,1781リール(3000個)7日以内出荷仕様ロジックファミリー：74LVC 、 ロジック機能：バッファ 、 1チップ当たりのチャンネル数：2 、 入力タイプ：シュミットトリガ 、 出力タイプ：オープンドレイン 、 極性：非反転 、 実装タイプ：表面実装 、 パッケージタイプ：SC-88 、 ピン数：6 、 低レベル出力電流 Max：32mA 、 最大伝播遅延時間 @ 最大 CL：8.4 ns @ 50 pF 、 寸法：2.2 x 1.35 x 1mm 、 高さ：1mm 、 動作温度 Min：-40 ℃RoHS指令(10物質対応)対応
Switching diode，High Speed 75V .2A，SOT23
nexperia￥2,498税込￥2,7481袋(250個)7日以内出荷仕様ダイオード構成：シングル1チップ当たりのエレメント数：1実装タイプ：表面実装パッケージタイプ：SOT-23ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクションピン数：3最大順方向降下電圧：1.25V長さ：3mm幅：1.4mm高さ：1.1mm動作温度 Min：-65 ℃小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応 低漏洩及び高電圧のタイプを用意 高スイッチング速度 低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応
Single Schottky dio，30V，200mA，1PS76SB10
nexperia￥14,980税込￥16,4781セット(3000個)7日以内出荷仕様ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Schottky Barrier 2 Dio，30V，200mA
nexperia￥26,980税込￥29,6781セット(3000個)7日以内出荷仕様ショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia NPN トランジスタ， 80 V， 1 A， 3-Pin SOT-89
nexperia￥1,998税込￥2,1981袋(100個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = SOT-89実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1.35 W最小DC電流ゲイン = 63トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 180 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 2.6mm汎用NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP LVC バッファ 非反転， 6ピン SC-88
nexperia￥529税込￥5821袋(40個)8日以内出荷仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = バッファーチャンネル数 = 2シュミットトリガ入力 = あり入力タイプ = シュミットトリガー出力タイプ = シングルエンド極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-88ピン数 = 6高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13.1ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Min = 1.65 VRoHS指令(10物質対応)対応
NXP 74 LVCシリーズ バッファ / コンバータ， 3ステート 非反転， 1.2～5.5 V， 6-Pin SC-88
nexperia￥319税込￥3511袋(10個)8日以内出荷仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = トランシーバ1チップ当たりのチャンネル数 = 1入力タイプ = シングルエンド出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SC-88ピン数 = 6高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 31.8ns寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作供給電圧 Min = 1.2 VRoHS指令(10物質対応)対応
NXP LVC バッファ 非反転， 5ピン TSSOP
nexperia￥569税込￥6261袋(75個)8日以内出荷仕様ロジックファミリー = LVCロジック機能 = バッファーチャンネル数 = 1シュミットトリガ入力 = あり入力タイプ = シュミットトリガー出力タイプ = シングルエンド極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 14ns寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm動作供給電圧 Max = 5.5 VRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia デュアル NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 6-Pin SOT-457 (SC-74)
nexperia￥1,998税込￥2,1981袋(25個)3日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-457 (SC-74)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 200トランジスタ構成 = カレントミラー最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 61チップ当たりのエレメント数 = 2幅 = 1.7mm汎用NPNトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーバリアダイオード， 2A， 30V， 2-Pin SOD-123
nexperia￥1,398税込￥1,5381袋(30個)8日以内出荷仕様最大連続 順方向電流 = 2A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 420mV長さ = 2.8mm幅 = 1.9mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -55 ℃ショットキーバリアダイオード、2A → 8A、NXP Semiconductors. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 単方向 ESD保護ダイオード， 2-Pin SOD-323
nexperia￥1,598税込￥1,7581袋(50個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル最小ブレークダウン電圧 = 5.8V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 100nAPESDxxxU1シリーズ、超低静電容量双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 静電容量が非常に低い双方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収納されており、1本のデータラインを保護するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
NXP ツェナーダイオード， 5.6V， 1 W， 2-Pin SOD-123F
nexperia￥1,998税込￥2,1981袋(75個)8日以内出荷仕様標準ツェナー電圧 = 5.6V実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = SOD-123Fツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 2.5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 2.7mm寸法 = 2.7 x 1.7 x 1.2mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード500 mW、NZHシリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル MOSFET， 30 V， 100 A， 3 ピン パッケージTO-220AB
nexperia￥2,598税込￥2,8581袋(4個)8日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.15V最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 170 W高さ = 16mmNチャンネルMOSFET、最大30 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル MOSFET， 30 V， 100 A， 4 ピン パッケージSOT-669
nexperia￥1,298税込￥1,4281袋(5個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.95V最低ゲートしきい値電圧 = 1.05V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-669実装タイプ = 表面実装ピン数 = 4チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 215 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 5093 pF @ 15 VNチャンネルMOSFET、最大30 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Pチャンネル MOSFET， 20 V， 1 A， 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70)
nexperia￥1,698税込￥1,8681袋(50個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 1.15V最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.67 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 280 pF @ -10 VPチャンネルMOSFET、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
NXP ツェナーダイオード， 6.2V， 300 mW， 2-Pin SOD-323
nexperia￥579税込￥6371リール(100個)7日以内出荷仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 300 mWパッケージタイプ = SOD-323ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 2%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 1.8mm寸法 = 1.8 x 1.35 x 1.05mm幅 = 1.35mmツェナーダイオード300 mW、BZX384シリーズ、Nexperia. ツェナー電圧公差: 2 % (BZX384-B)、約5 % (BZX384-C) 表面実装ケース: SOD-323 (SC-76)RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Pチャンネル MOSFET， 50 V， 150 mA， 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70)
nexperia￥1,398税込￥1,5381リール(100個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 150 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 310 mW標準ターンオフ遅延時間 = 48 nsPチャンネルMOSFET、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia デュアル Nチャンネル MOSFET， 60 V， 320 mA， 6 ピン パッケージSOT-363 (SC-88)
nexperia￥1,298税込￥1,4281リール(40個)8日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 320 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 320 mW標準ターンオン遅延時間 = 2 nsデュアルNチャンネルMOSFET、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル MOSFET， 60 V， 360 mA， 3 ピン パッケージSOT-23
nexperia￥1,198税込￥1,3181リール(50個)欠品中仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.6V最低ゲートしきい値電圧 = 0.48V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW動作温度 Max = +150 ℃NチャンネルMOSFET、60 → 80 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia Nチャンネル MOSFET， 60 V， 360 mA， 3 ピン パッケージSOT-23
nexperia￥999税込￥1,0991リール(100個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 360 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V最低ゲートしきい値電圧 = 0.9V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 420 mW標準ゲートチャージ @ Vgs = 0.72 nC @ 4.5 VNチャンネルMOSFET、60 → 80 V、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia PNP トランジスタ， 45 V， 500mA， 3-Pin SOT-23
nexperia￥1,498税込￥1,6481リール(200個)10日以内出荷仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 250 mW最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 1.4mm汎用PNPトランジスタ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia ショットキーダイオード， 120mA， 40V， 3-Pin SOT-323 (SC-70)，エレメント数 2， シリーズ
nexperia￥1,398税込￥1,5381リール(100個)8日以内出荷仕様ダイオード構成 = シリーズ1チップ当たりのエレメント数 = 2最大逆電圧 = 40Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)ダイオードテクノロジー = ショットキー最大順方向降下電圧 = 1V最大ダイオードキャパシタンス = 5pF動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 2.2mm幅 = 1.35mm高さ = 1.1mm寸法 = 2.2 x 1.35 x 1.1mmショットキーバリアダイオード、最大120 mA、Nexperia. 高効率 超小型低プロファイルの表面実装パッケージ 低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化 低静電容量 電力スイッチングロスを最小に抑制 低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応
Nexperia 4チャンネル TVSダイオードアレイ， 6-Pin SOT-457 (SC-74)
nexperia￥1,898税込￥2,0881袋(25個)8日以内出荷仕様ダイオード構成 = コンプレックスアレイ実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-457 (SC-74)ピン数 = 6ESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 4ESD電圧 = 8kVPRTR5V0Uシリーズ、超低静電容量レールツーレールESD保護ダイオード、Nexperia. 超低静電容量レールツーレール静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められています。 このデバイスは、高速データラインや高周波信号ラインをESDやその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応
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