「エレメント」の検索結果

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3。高速スイッチングダイオードアレイ、MMBD4148シリーズ、Diodes Inc. ダイオード素子 x 5及びコモンカソード 低順方向電圧降下

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOD-523。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 2.2mm。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.8mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3mm。幅 = 1.4mm。高さ = 3mm。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

最大順方向電流 = 215mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 85V。パッケージタイプ = SOT-23。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。最大ダイオードキャパシタンス = 2pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

最大順方向電流 = 250mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 150V。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 5pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.8mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

最大順方向電流 = 3A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 1000V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 50pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.3mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.3mm。整流ダイオード、2 A → 40 A、Diodes Inc

最大順方向電流 = 5A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SMC。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 40pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 7.11mm。幅 = 6.22mm。高さ = 2.3mm。寸法 = 7.11 x 6.22 x 2.3mm。整流ダイオード、2 A → 40 A、Diodes Inc

ダイオード構成 = シリーズ。1チップ当たりのエレメント数 = 2。パッケージタイプ = SOT-523 (SC-89)。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 3V。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.7mm。幅 = 0.85mm。高さ = 0.8mm。寸法 = 1.7 x 0.85 x 0.8mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

最大順方向電流 = 6A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = PowerDI 5。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 975mV。最大ダイオードキャパシタンス = 375pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 5.45mm。幅 = 4.05mm。高さ = 1.15mm。寸法 = 5.45 x 4.05 x 1.15mm。整流ダイオード、2 A → 40 A、Diodes Inc

最大順方向電流 = 1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 600V。パッケージタイプ = SMB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 10pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 4.57mm。幅 = 3.94mm。高さ = 2.3mm。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.3mm。整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

最大順方向電流 = 1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 200V。パッケージタイプ = SMB。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2mV。最大ダイオードキャパシタンス = 27pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +175 ℃。長さ = 4.57mm。幅 = 3.94mm。高さ = 2.3mm。寸法 = 4.57 x 3.94 x 2.3mm。整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

最大順方向電流 = 150mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

最大順方向電流 = 1A。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 50V。パッケージタイプ = DO-41。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピン数 = 2V。最大ダイオードキャパシタンス = 15pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 5.21mm。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.21mm。直径 = 2.72mm。整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Diodes Inc

最大順方向電流 = 500mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 75V。パッケージタイプ = SOD-323。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 = 1.25V。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.8mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.1mm。寸法 = 1.8 x 1.4 x 1.1mm。小信号スイッチングダイオード、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、Diodes Inc

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = SMA。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 100mA。最大ツェナーインピーダンス = 2Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 4.6 x 2.92 x 2.1mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、SMAZシリーズ、Diodes Inc