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実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ SOT-23。最大連続 順方向電流 400mA。ピーク逆繰返し電圧 20V。ダイオード構成 シリーズ。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 3。最大順方向降下電圧 430mV。1チップ当たりのエレメント数 2。ダイオードテクノロジー ショットキー。ピーク非繰返し順方向サージ電流 2A。DiodesZetex ショットキーバリアダイオード 300mA 1A. スーパーバリア整流器( SBR )ダイオードは、次世代の整流器です。この2端子デバイスは、同等のショットキーダイオードより順方向電圧( VF )が低くなっています。PN エピタキシャルダイオードの熱安定性と高い信頼性を備えています。

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.1 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 806 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V。長さ = 3.05mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PチャンネルMOSFET、40 → 90 V、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -400 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 50。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +200 ℃mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 225 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 500 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.1 x 3 x 1.4mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 300 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.65 x 6.7 x 3.7mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -400 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2000 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.65 x 6.7 x 3.7mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc

高電圧トランジスタ、Diodes Inc

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -400 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1000 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 50 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mm。高電圧トランジスタ、Diodes Inc