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Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

小信号PNPトランジスタ、Diodes Inc

汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

汎用PNPトランジスタ、1.5 A超、Diodes Inc

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 500。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 45 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.5 x 2.5 x 1.5mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-89。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 130 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 175 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +200 ℃mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 600 mW。最小DC電流ゲイン = 200。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 20 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3 x 1.4 x 1.1mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 130 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 175 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 4.01 x 4.77 x 2.41mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 6 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 3 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 150 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 130 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Diodes Inc 汎用NPNトランジスタ、1.5A超

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 2 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SM。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.75 W。最小DC電流ゲイン = 400， 200。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 150 MHz。ピン数 = 8。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。Diodes Inc デュアル NPN/PNP トランジスタ

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.7 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = 絶縁型。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 150 MHz。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。Diodes Inc デュアル NPN/PNP トランジスタ