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実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ DO-214AB (SMC)。最大連続 順方向電流 4A。ピーク逆繰返し電圧 40V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 500mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 80A。ON Semiショットキーバリア整流器、3 A、20 30 40 V. このシリーズのON Semiconductor ショットキーパワー整流器 は、パワーダイオード内でショットキーバリア技術を採用しています。これらの3 A整流器は、さまざまな電圧オプションが用意されているコンパクトなデバイスです。 これらのショットキーパワー整流器は、J字形リード付きのSMC表面実装パッケージで提供されます。ケースは成形エポキシ製で、寸法は7.94 5.84 2.13 mmです。パッケージの外面には、腐食性に対する耐性が備わっています。 特長: 安定した酸化物不動態化ジャンクション 低順方向電圧降下 逆アバランシェエネルギー過渡に対する優れた耐性 ガードリングによりストレス保護 何に使用しますか? これらのショットキーパワー整流器は、低電圧、高周波の整流に最適です。また、還流ダイオード及び極性保護ダイオードとして使用することもできます。これらの製品は、サイズと重量が重要とされる用途に最適です。角型パッケージは、自動処理に適しています。 ジャンクション動作温度 -65 +150 整流順方向電流 A (110 ℃)又は4 (105 ℃) 種類: MBRS320T3G 20 SBRS8320T3G 20 MBRS330T3G 30 NRVBS330T3G 30 MBRS340T3G 40 SBRS8340T3G 40 V
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
3,898 税込4,288
7日以内出荷

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計され、デバイスの取り付け面をヒートシンク又はシャーシから電気的に絶縁する必要があります。電気的に普及した TIP122 および TIP127 に類似しています 100 VCEO ( sus ) 定格コレクタ電流: 5 A 分離ワッシャは不要です システムコストの削減 高 DC 電流ゲイン: 2000 (最小) @ IC = 3 ADC 鉛フリーパッケージを用意
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
7,098 税込7,808
7日以内出荷

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 70V。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。最大ダイオードキャパシタンス = 2.5pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。パワー消費 = 300mW。コモンカソードスイッチングダイオードは、超高速スイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(250個)
1,498 税込1,648
7日以内出荷

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 350 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.53 x 4.83 x 15.75mm。バイポーラパワートランジスタは、オーディオアンプの高周波ドライバとして使用するように設計されています。高電流利得帯域幅積 TO-220 コンパクトパッケージ これらのデバイスは鉛フリーです
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
6,998 税込7,698
7日以内出荷

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SOD-923。ピン数 = 2。最大ダイオードキャパシタンス = 2pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 0.85mm。幅 = 0.65mm。高さ = 0.43mm。寸法 = 0.85 x 0.65 x 0.43mm。パワー消費 = 710mW。BAS16P2T5G スイッチング・ダイオードは、メーカーの代表的な 3 リード SOT-23 デバイスのスピン・オフです。アプリケーションの切り替え用に設計されており、 SOD-923 表面実装パッケージに収納されています。このデバイスは、基板スペースが限られている低消費電力の表面実装用途に最適です。超小型 SOD-923 パッケージ スペースに制約のあるボードに取り付けられます 用途 高速スイッチングアプリケーション 最終製品 ワイヤレスハンドセット
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(8000個)
36,980 税込40,678
7日以内出荷

管理数 = 1。最大リセット閾値電圧 = 1.29V。最小リセット閾値電圧 = 1.24V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = マイクロ。ピン数 = 8。寸法 = 3.1 x 3.1 x 0.95mm。最大リセット閾値電圧 = 4V。動作供給電圧 Max = 40 V。自動車規格 = AEC-Q100V。自動車用 NCV バージョン 一意のモード選択入力により、チャネルプログラミングが可能です 過電圧、低電圧、窓電圧検出 正 / 負電圧検出 2.0 V で完全に機能し、正の電圧検出に使用し、負の電圧検出には 4.0 V を使用します 電流制限保護付き 2.54 V リファレンスをピン配列しています 低待機電流 オープンコレクタ出力により、デバイスの柔軟性が向上 鉛フリーパッケージを用意 用途 電子ボディ 制動 インフォテイメント インストルメントクラスタ ナギブーター 乗員の快適性 乗員保護 パワートレイン
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,998 税込2,198
7日以内出荷

実装タイプ 表面実装。パッケージタイプ SOD-123。最大連続 順方向電流 500mA。ピーク逆繰返し電圧 20V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ ショットキー整流器。ダイオードタイプ ショットキー。ピン数 2。最大順方向降下電圧 385mV。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 5.5A。ON Semiショットキーバリア整流器、0.5 A、20 V. この ON Semiconductor 0.5 Aショットキーパワー整流器 は、ショットキーバリア技術を採用したパワー整流器です。バリア金属は、順方向電圧降下と逆電流の最適なトレードオフを特長としています。 このデバイスは、SOD-123プラスチックパッケージで提供されます。すべての外面には、腐食性に対する耐性が備わっています。この小型のパッケージは、基板の自動アセンブリに適しています。 特長: ストレス保護ガードリング 低順方向電圧 カソードバンドで極性を識別 何に使用しますか? このショットキーパワー整流器は、低電圧、高周波の整流用途に最適です。また、34 MELFスタイルパッケージの代替品としても使用できます。「SBR8」で始まる品番は、固有のサイトや制御の変更を必要とする、車載用途やその他の用途向けに設計された製品です。 種類: MBR0520LT1G SBR80520LT1G MBR0520LT3G SBR80520LT3G
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,598 税込1,758
7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -100 V●パッケージタイプ : TO-218●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 125 W●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 15.2×4.9×20.35mm●10 A 、 100 V NPN バイポーラパワートランジスタは、コンプリメンタリの汎用アンプ用途で出力デバイスとして使用します。BDV65B ( NPN )及び BDV64B ( PNP )は、コンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン HFE : 1000 (最小) @ 5 ADC ベースエミッタシャント抵抗器を内蔵したモノリシック構造 鉛フリーパッケージで提供されます。ここに記載されている仕様は、標準デバイスと鉛フリーデバイスの両方に適用されます RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(30個)
9,998 税込10,998
7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 4 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 80 V dc●パッケージタイプ : TO-225●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 40 W●最小DC電流ゲイン : 20●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 80 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●パワー 4A 、 80V バイポーラ NPN トランジスタは、パワーアンプおよびスイッチング回路に使用されます。このトランジスタは、優れた安全エリア制限を備えており、 PNP2N51942N5195 を補完するものですこれらのデバイスは鉛フリーです RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
2,298 税込2,528
7日以内出荷

仕様●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOD-123●最大連続 順方向電流 : 500mA●ピーク逆繰返し電圧 : 20V●ダイオード構成 : シングル●整流タイプ : ショットキー整流器●ダイオードタイプ : ショットキー●ピン数 : 2●最大順方向降下電圧 : 385mV●1チップ当たりのエレメント数 : 1●ダイオードテクノロジー : ショットキーバリア●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 5.5A●ON Semiショットキーバリア整流器、0.5 A、20 V. この ON Semiconductor 0.5 Aショットキーパワー整流器 は、ショットキーバリア技術を採用したパワー整流器です。バリア金属は、順方向電圧降下と逆電流の最適なトレードオフを特長としています。 このデバイスは、SOD-123プラスチックパッケージで提供されます。すべての外面には、腐食性に対する耐性が備わっています。この小型のパッケージは、基板の自動アセンブリに適しています。 特長: ストレス保護ガードリング 低順方向電圧 カソードバンドで極性を識別 何に使用しますか? このショットキーパワー整流器は、低電圧、高周波の整流用途に最適です。また、34 MELFスタイルパッケージの代替品としても使用できます。「SBR8」で始まる品番は、固有のサイトや制御の変更を必要とする、車載用途やその他の用途向けに設計された製品です。 種類: MBR0520LT1G SBR80520LT1G MBR0520LT3G SBR80520LT3G RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(3000個)
27,980 税込30,778
7日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大DCコレクタ電流 : 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 40 V●パッケージタイプ : TO-225●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 15 W●最小DC電流ゲイン : 45●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 25 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 8 V dc●最大動作周波数 : 10 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 7.8×3×11.1mm●バイポーラ・パワー・トランジスタは、低電圧、低消費電力、高利得オーディオ・アンプ・アプリケーション向けに設計されています。MJE200 ( NPN )と MJE210 ( PNP )は、補完的なデバイスです。高 DC 電流ゲイン 低コレクタ-エミッタ飽和電圧 高電流利得帯域幅製品 低漏洩のための環形構造 これらのデバイスは鉛フリーです RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
2,998 税込3,298
翌々日出荷