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RoHS10物質対応(183)
「抵抗 高電圧用」の検索結果
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 1.2 → 37 V， 3-Pin， LM317TGonsemi￥4,298税込￥4,728
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 2.2A●出力電圧 ： 1.2 → 37 V●ラインレギュレーション ： 0.04 %/V●ロードレギュレーション ： 25 mV●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220●ピン数 ： 3V●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 10.28 x 4.82 x 15.75mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●幅 ： 10.28mm●1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ● ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは●出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく●オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか●プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると●高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限●熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 910 mA 表面実装 パッケージSC-88 6 ピンonsemi￥45,980税込￥50,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 910 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 20 V●パッケージタイプ ： SC-88●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 6●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 440 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.5V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.6V●最大パワー消費 ： 550 mW●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±12 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 1mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 1.2 → 37 V， 8-Pin， LM317LBDR2Gonsemi￥37,980税込￥41,778
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ ： リニア電圧mA●出力電圧 ： 1.2 → 37 V●ラインレギュレーション ： 0.07 %/V●精度 ： ±4%●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 8V●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 5 x 4 x 1.5mm●高さ ： 1.5mm●幅 ： 4mm●1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ● ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは●出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく●オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか●プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると●高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限●熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 1.2 → 37 V， 3+Tab-Pin， LM317MSTT3Gonsemi￥149税込￥164
1袋(2個)
予約販売
仕様●出力電流 Max ： 250mA●出力数 ： 1●ラインレギュレーション ： 0.07 %/V●ロードレギュレーション ： 1.5 %%●極性 ： 正●パッケージタイプ ： SOT-223●ピン数 ： 3+TabV●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 6.5 x 3.5 x 1.57mm●高さ ： 1.57mm●幅 ： 3.5mm●1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ● ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは●出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく●オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか●プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると●高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限●熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi オペアンプ， 表面実装， 2回路， ±2電源， 単一電源， MC33272ADR2Gonsemi￥259税込￥285
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●電源タイプ ： ±2電源， 単一電源●回路数 ： 2●ピン数 ： 8●標準シングル供給電圧 ： 3 → 36 V●標準ゲイン帯域幅積 ： 24MHz●標準デュアル供給電圧 ： ±1.5 → ±18V●標準スルーレート ： 10V/μs●最大動作周波数 ： 100 kHz●動作温度 Min ： -40℃●レール to レール ： No●標準入力電圧ノイズ密度 ： 18nV/√Hz●MC33272A / 74A●NCV33272A / 74A●高スルーレート●低入力オフセット電圧●オペアンプ●ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC33272A / 74AとNCV33272A / 74Aのデュアルオペアンプ及びクワッドオペアンプは●バイポーラ入力と特許取得済みのZip-R-Trim素子を採用し●入力オフセット電圧を低減しています。 低入力電圧と高ゲイン帯域幅積が特長です。 デュアルダブレット周波数補償を使用して●スルーレートを上げながら●低入力ノイズ特性を維持しています。 すべてのNPN出力段で不感帯クロスオーバー歪みがなく●大きな出力電圧スイングと優れた位相 / ゲインマージンを特長としています。また●低オープンループ高周波数出力インピーダンスでソースとシンクが対称的なAC周波数性能を発揮します。. 100 μV (標準)にトリムされた入力オフセット電圧 低入力バイアス電流: 300 nA 低入力オフセット電流: 3.0 nA 高入力抵抗: 16 MΩ 低ノイズ: 18 nV/√Hz @ 1 kHz 高ゲイン帯域幅積 24 MHz @ 100 kHz 高スルーレート: 10 V/μsRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 250 mA 表面実装 パッケージSOT-363 6 ピンonsemi￥39,980税込￥43,978
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 250 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-363●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 6●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 2.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.5V●最大パワー消費 ： 2.72 W●トランジスタ構成 ： 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 1.35mm●高さ ： 1mm●デュアルNチャンネルMOSFET●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 2.5 A 表面実装 パッケージWDFN 6 ピンonsemi￥999税込￥1,099
1セット(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： WDFN●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 6●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 250 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 2.3 W●トランジスタ構成 ： 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 ： -8 V， +8 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 0.75mm●デュアルNチャンネルMOSFET●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi バッファ，ラインドライバ表面実装， 20-Pin， MC74HC245ADTGonsemi￥6,698税込￥7,368
1セット(75個)
7日以内出荷
仕様●ロジックタイプ ： トランシーバ●インターフェース ： バッファ&ラインドライバIC●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： TSSOP●ピン数 ： 20●高レベル出力電流 Max ： 35mA●低レベル出力電流 Max ： -35mA●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 165ns●寸法 ： 6.6 x 4.5 x 1.05mm●動作供給電圧 Min ： -0.5 V●伝播遅延テスト条件 ： 50pF●高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC245A のピン配置は LS245 と同一です。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。HC245A は●データバス間の双方向非同期通信に使用される 3 ステート非反転トランシーバです。このデバイスにはアクティブロー出力イネーブルピンがあり● I/O ポートをハイインピーダンス状態にするために使用します。Direction コントロールは●データが A から B ●または B から A のどちらに流れるかを決定します出力駆動能力： 15 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL との直接インターフェイスで出力 動作電圧範囲： 2 ～ 6 V 低入力電流： 1 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 308 FET または 77 等価 GatesRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 1.2 → 37 V， 3-Pin， LM317MABDTGonsemi￥3,398税込￥3,738
1セット(75個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 500mA●出力電圧 ： 1.2 → 37 V●ラインレギュレーション ： 0.04 %/V●ロードレギュレーション ： 25 mV●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DPAK●ピン数 ： 3V●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 6.73 x 6.22 x 2.25mm●入力電圧 Max ： 40 Vmm●幅 ： 6.22mm●LM317M は●調整可能な 3 端子ポジティブリニア電圧レギュレータで● 1.2 → 37 V の出力電圧範囲で 500 mA を超える電流を供給できますこのリニア電圧レギュレータは●非常に使いやすく●出力電圧を設定するのに 2 つの外部抵抗器のみが必要です。さらに●内部電流制限●サーマルシャットダウン●安全領域補償を採用しているため●本質的に防爆性があります。LM317M は●ローカルのカード規則などのさまざまな用途で使用できます。このリニア電圧レギュレータは●特にシンプルな調整可能スイッチングレギュレータ●プログラマブル出力レギュレータ●又は調整と出力の間に固定抵抗器を接続することで● LM317M は高精度電流レギュレータとして使用することもできます。出力電流: 500 mA超 出力は 1.2 → 37 V の範囲で調整可能です 内部の熱的過負荷保護 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作 多数の固定電圧のストッキングを除去します 工場管理の変更が必要な車載などの用途には先頭に「 NCV 」の文字を使用しますRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 2.4 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥2,398税込￥2,638
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.4 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 110 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.4V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.6V●最大パワー消費 ： 480 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±12 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 1.01mm●NチャンネルパワーMOSFET●30 V●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 1.2 → 37 V， 3-Pin， LM317MABTGonsemi￥1,498税込￥1,648
1袋(20個)
7日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ ： リニア電圧mA●出力電圧 ： 1.2 → 37 V●ラインレギュレーション ： 0.07 %/V●精度 ： 2%●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220●ピン数 ： 3V●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 10.28 x 4.82 x 15.75mm●動作温度 Max ： +125 ℃mm●長さ ： 10.28mm●1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ● ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは●出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく●オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか●プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると●高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限●熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 2.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥759税込￥835
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.2 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 60 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 155 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.5V●最大パワー消費 ： 900 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 1.01mm●ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET 60VRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 1.2 → 37 V， 3-Pin， LM317BTGonsemi￥3,298税込￥3,628
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●レギュレータタイプ ： リニア電圧A●出力電圧 ： 1.2 → 37 V●ラインレギュレーション ： 0.04 %/V●ロードレギュレーション ： 0.5 %●実装タイプ ： スルーホール●パッケージタイプ ： TO-220●ピン数 ： 3V●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 10.28 x 4.82 x 9.28mm●動作温度 Min ： -40 ℃mm●長さ ： 10.28mm●1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ● ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは●出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく●オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか●プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると●高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限●熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装 パッケージSOT-523 (SC-89) 3 ピンonsemi￥33,980税込￥37,378
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 915 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 20 V●パッケージタイプ ： SOT-523 (SC-89)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 950 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.1V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.45V●最大パワー消費 ： 300 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±6 V●幅 ： 0.95mm●高さ ： 0.8mm●20 V 915mA 小信号 MOSFET 230 m Ω ●シングル N チャンネル SC-89 ● ESD 保護機能付き低 RDS ( on )により●システム効率が向上します 低しきい値電圧● 1.5 V 定格 ESD保護ゲート 用途: 負荷 / 電源スイッチ 電源変換回路 バッテリマネージメント 携帯電話● PDA ●デジタルカメラ●ポケットベルなどの携帯機器RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi オペアンプ， 表面実装， 2回路， 単一電源， MC33072ADR2Gonsemi￥729税込￥802
1セット(5個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●電源タイプ ： 単一電源●回路数 ： 2●ピン数 ： 8●標準シングル供給電圧 ： 3 → 44 V●標準ゲイン帯域幅積 ： 4.5MHz●標準スルーレート ： 13V/μs●最大動作周波数 ： 100 kHz●動作温度 Min ： -40 ℃●レール to レール ： No●標準入力電圧ノイズ密度 ： 32nV/√Hz●ON Semiconductor MC33071/2/4 ● MC34071/2/4 ● NCV33072/4シリーズ オペアンプ 単電源： 3 → 44 V. ON Semiconductor MC33071 / 72 / 74 ● MC34071 / 72 / 74 ● NCV33072 / 74A シリーズは●シングル/デュアル/クワッドオペアンプを提供しております。4.5 MHz のゲイン帯域幅● 13 V/ μs のスルーレートを備え● JFET デバイス技術を使用せずに短時間で設定することができます。 このシリーズはスプリット電源で動作できますが●コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) が含まれるため●単電源での動作にも適しています。このオペアンプは●高入力抵抗●低入力オフセット電圧●高ゲインを特長としています。これらの製品は●プラスチック製の DIP ● SOIC ● TSSOP 表面実装パッケージで提供されます。. 高速セトリング時間(0.1%)：1.1 μs 幅広い単電源電圧範囲： 3 → 44 V コモンモードの入力電圧範囲にグランド電位 (VEE) を含む 低入力オフセット電圧：3mV以下(A Suffix) 出力電圧スイング： -14.7 → +14 V ( ± 15 V 電源) 大容量駆動能力：0pF → 10000pF 低全高調波歪み： 0.02 % 優れた位相差：60 ° 優れたゲインマージン：12dB 出力短絡保護回路RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi HCシリーズ フリップフロップ 表面実装 20-Pin SOIConsemi￥2,798税込￥3,078
1セット(38個)
7日以内出荷
仕様●論理回路 ： HC●ロジックタイプ ： D タイプ●出力タイプ ： CMOS●極性 ： 非反転●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 20●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 220 ns @ 50 pF●動作供給電圧 Max ： 6 Vmm●高さ ： 2.4mm●高性能シリコンゲート CMOS ： MC74HC273A は● LS273 とピン配列が同一です。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。このデバイスは●コモンクロック入力とリセット入力を備えた 8 個の D フリップフロップで構成されています。各フリップフロップには●クロック入力の低 - 高遷移がロードされています。リセットは非同期でアクティブローです。出力駆動能力： 10 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL への直接インターフェイス出力 動作電圧範囲： 2.0 ～ 6.0V 低入力電流： 1.0 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 264 FET または 66 等価 GatesRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi シュミットトリガインバータ NAND シュミットトリガ 74onsemi￥2,798税込￥3,078
1セット(55個)
7日以内出荷
仕様●ロジックタイプ ： NAND●入力タイプ ： シュミットトリガ●1チップ当たりのエレメント数 ： 4●シュミットトリガ入力 ： あり●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 190ns●高レベル出力電流 Max ： -25mA●低レベル出力電流 Max ： 25mA●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 14●寸法 ： 8.75 x 4 x 1.5mm●高さ ： 1.5mm●幅 ： 4mm●高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC132A は● LS132 とピン配列が同じです。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。HC2A を使用して●ノイズ耐性を強化したり●波形をゆっくり変化させたりすることができます。出力駆動能力： 10 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL との直接インターフェイスで出力 動作電圧範囲： 2.0 ～ 6.0V 低入力電流： 1.0 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 72 FET または 18 相当の GatesRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Pチャンネル MOSFET30 V 2.9 A 表面実装 パッケージSOT-223 3 ピンonsemi￥229,800税込￥252,780
1セット(4000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： P●最大連続ドレイン電流 ： 2.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SOT-223●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 150 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 3V●最大パワー消費 ： 3.13 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 3.7mm●高さ ： 1.65mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 VRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi シフト レジスタ 74HCシリーズ 8ステージ シフトレジスター， 16-Pin TSSOP 1 74onsemi￥54,980税込￥60,478
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●パッケージタイプ ： TSSOP●ロジックタイプ ： シフトレジスター●ステージ数 ： 8●論理回路 ： 74HC●実装タイプ ： 表面実装●動作/操作モード ： シリアル， パラレル - シリアル●エレメント数 ： 1●ピン数 ： 16●動作供給電圧 Min ： 2 V●動作供給電圧 Max ： 6 V●寸法 ： 5.1 x 4.5 x 1.2mm●リセットタイプ ： 非シンクロナス●MC74HC165A のピン配列は LS165 と同じです。このデバイス入力は●プルアップ抵抗を備えた標準 CMOS 出力と互換性があり● LSTTL 出力と互換性があります。このデバイスは●最後のステージからの相補出力を備えた 8 ビットシフトレジスタです。データは●並列またはシリアル形式でレジスタにロードできます。シリアルシフト/パラレルロード( bar )入力が低い場合●データは並列で非同期にロードされます。シリアルシフト / パラレルロード( bar )入力が高い場合●データはクロックまたはクロックインヒビットの立上りエッジに連続的にロードされます。2 つの独立したクロックソースを組み合わせるか●クロックインヒビットとして動作するクロック入力の 1 つを指定することにより● 2 入力またはクロックを使用できます。出力駆動能力： 10LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ●および TTL に直接インタフェースします 動作電圧範囲： 2 ～ 6V 低入力電流： 1mA CMOS デバイスの高ノイズ耐性特性 チップの複雑さ :286 FET または 71.5 GatesRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 電圧レギュレータ リニア電圧 1.2 → 37 V， 3-Pin， LM317MDTGonsemi￥2,898税込￥3,188
1セット(75個)
7日以内出荷
仕様●出力電流 Max ： 250mA●出力電圧 ： 1.2 → 37 V●ラインレギュレーション ： 0.07 %/V●ロードレギュレーション ： 1.5 %%●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DPAK●ピン数 ： 3V●出力タイプ ： 可変●寸法 ： 6.73 x 6.22 x 2.38mm●動作温度 Max ： +125 ℃mm●長さ ： 6.73mm●1.2 → 37 V リニア電圧レギュレータ● ON Semiconductor. ON SemiconductorのLM317シリーズは可変リニア電圧レギュレータです。この3端子正電圧レギュレータは●出力電圧範囲1.2 → 37 Vで1.5 A以上の出力電流を供給できます。LM317可変電圧レギュレータは使いやすく●オンカードレギュレーションなどの多様な用途に使用できるほか●プログラマブル出力レギュレータとしても使用できます。調整端子と出力端子の間に固定抵抗を入れると●高精度の電流レギュレータとして使用できます。. 出力電圧範囲: 1.25 → 37 V 出力電流: 1.5 A 短絡電流制限●熱保護及び安全領域補償 高電圧用途向けのフローティング動作
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 23 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥1,998税込￥2,198
1セット(10個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 23 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： DPAK (TO-252)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 56 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2V●最大パワー消費 ： 83 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●1チップ当たりのエレメント数 ： 1mm●高さ ： 2.38mm●NチャンネルパワーMOSFET●100 V → 1700 V●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 150 mA 表面実装 パッケージSC-75 3 ピンonsemi￥17,980税込￥19,778
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 150 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： SC-75●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 7.5 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.5V●最大パワー消費 ： 300 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -10 V， +10 V●幅 ： 0.9mm●高さ ： 0.8mm●NチャンネルMOSFET(ショットキーダイオード付)●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 抵抗内蔵トランジスタ， NPN， スルーホール， BU406Gonsemi￥3,298税込￥3,628
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 400 V●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 60 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 6 V●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Max ： +150 ℃mm●このバイポーラトランジスタは、 TV や CRT の水平方向の偏向出力段用の電圧高速トランジスタです。高電圧： VCEV ： 330 又は 400 V 高速スイッチング速度： tf ： 750 ns (最大) 低飽和電圧： VCE ( sat ) ： 1 V (最大) @ 5 A 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi トランジスタ， NPN， スルーホール， 8 A， 2N6043Gonsemi￥4,998税込￥5,498
1セット(50個)
7日以内出荷
仕様●トランジスタタイプ ： NPN●最大DCコレクタ電流 ： 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 ： 60 V dc●パッケージタイプ ： TO-220●実装タイプ ： スルーホール●最大パワー消費 ： 75 W●トランジスタ構成 ： シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 ： 60 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 ： 5 V dc●最大動作周波数 ： 1 MHz●ピン数 ： 3●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●寸法 ： 10.53×4.83×15.75mm●8 A 、 100 V NPN ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプと低速度スイッチング用途向けに設計されています。2N60402N6042 ( PNP )、及び 2N60432N6045 ( NPN )はコンプリメンタリデバイスです。高 DC 電流ゲイン - hFE ： 2500 (標準) @ IC ： 4.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - @100 mAdc-VCEO ( sus ) ： 60 V dc (最小) - 2N60402N6043VCEO ( sus ) ： 80 V dc (最小) - 2N60412N6044VCEO ( sus ) ： 100 V dc (最小) - 2N60422N6045 低コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) ： 2.0 V dc (最大) @ IC ： 4.0 ADC - 2N6040412N604344 VCE (飽和) ： 2.0 V dc (最大) @ IC ： 3.0 ADC - 2N60422N6045 ベースエミッタシャント抵抗器を内蔵したモノリシック構造 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流用 ブリッジダイオード 単相 25A， 50V， 29 x 29 x 11.23mm， GBPC25005onsemi￥1,798税込￥1,978
1袋(2個)
5日以内出荷
UL #E258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 25シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流25 A ガラス不動態化ダイ構造 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 ファストン端子
仕様ピーク平均順方向電流 = 25Aピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = スクリュー マウントパッケージタイプ = GBPCピン数 = 4回路構成 = シングルピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A動作温度 Max = +150 ℃動作温度 Min = -55 ℃ピーク順方向電圧 = 1.1Vピーク逆電流 = 500μA寸法 = 29 x 29 x 11.23mm高さ = 11.23mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 10 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥479税込￥527
1袋(5個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V幅 = 6.1mm高さ = 2.3mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 10 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥699税込￥769
1袋(5個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vシリーズ = QFET実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 6.1mm高さ = 2.3mmQFETR NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET300 V 28 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi￥129,800税込￥142,780
1セット(800個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 28 A最大ドレイン-ソース間電圧 300 Vシリーズ UniFET実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 129 mΩチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 250 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V幅 11.33mm動作温度 Min -55 ℃mmUniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET250 V 6.2 A 表面実装 パッケージDPAK (TO-252) 3 ピンonsemi￥1,298税込￥1,428
1セット(10個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ N最大連続ドレイン電流 6.2 A最大ドレイン-ソース間電圧 250 Vシリーズ UniFET実装タイプ 表面実装ピン数 3最大ドレイン-ソース間抵抗 570 Ωチャンネルモード エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 3V最大パワー消費 56 Wトランジスタ構成 シングル最大ゲート-ソース間電圧 -20 V， +20 V幅 6.22mm動作温度 Min -55 ℃mmUniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 5 A 表面実装 パッケージMicroFET 2 x 2 6 ピンonsemi￥1,098税込￥1,208
1袋(5個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 114 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 1.4 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V長さ = 2mm高さ = 0.75mmPowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 6 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi￥2,798税込￥3,078
1袋(25個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 44 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.6 Wトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 4mm高さ = 1.5mmPowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Semis PowerTrench R MOSFET は、システム効率と電力密度を高めた、最適化された電源スイッチです。ゲート電荷量が小さく、逆回復が小さい、ソフトな逆回復ボディダイオードを組み合わせているため、 AC / DC 電源の同期整流の高速スイッチングに役立ちます。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 560 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥1,498税込￥1,648
1袋(100個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 560 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.4V最大パワー消費 = 690 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.04mm高さ = 1.01mmNチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.7 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥589税込￥648
1袋(10個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.4mm高さ = 0.94mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 12 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピンonsemi￥6,698税込￥7,368
1セット(50個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 48 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -15 V， +15 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 7.8 nC @ 5 Vmm高さ = 16.51mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 6.3A 表面実装 パッケージSSOT-6 6 ピンonsemi￥599税込￥659
1袋(10個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 6.3A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 36 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 1.6 Wトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V幅 = 1.7mm高さ = 1mmFairchild Semiconductor PowerTrenchR NチャンネルMOSFET 最大9.9 A
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET60 V 12 A 表面実装 パッケージSOIC 8 ピンonsemi￥1,698税込￥1,868
1袋(5個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 Vシリーズ = PowerTrench実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大パワー消費 = 2500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V標準ゲートチャージ @ Vgs = 34 nC @ 10 Vmm高さ = 1.5mmPowerTrenchR NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET30 V 560 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥71,980税込￥79,178
1セット(10000個)
7日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 560 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2 Ωチャンネルモード = エンハンスメント型最大ゲートしきい値電圧 = 1.4V最大パワー消費 = 830 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V長さ = 3.04mm高さ = 1.01mmNチャンネルパワーMOSFET、30 V、ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 1.3 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピンonsemi￥409税込￥450
1袋(5個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 1.3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 160 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.5V最大パワー消費 = 500 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = +8 V幅 = 1.4mm高さ = 0.94mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 12 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンonsemi￥4,698税込￥5,168
1セット(50個)
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 12 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大パワー消費 = 60000 mWトランジスタ構成 = シングル最大ゲート-ソース間電圧 = -10 V， +10 V幅 = 4.83mm高さ = 9.4mmFairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi N， Pチャンネル MOSFET25 V 460 mA， 680 mA 表面実装 パッケージSOT-23 6 ピンonsemi￥149税込￥164
1個
5日以内出荷
チャンネルタイプ = N， P最大連続ドレイン電流 = 460 mA， 680 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 25 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 6最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.1 Ω， 450 mΩチャンネルモード = エンハンスメント型最低ゲートしきい値電圧 = 0.65V最大パワー消費 = 900 mWトランジスタ構成 = 絶縁型最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V幅 = 1.7mm高さ = 1mmデジタルFET、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
