「鉛」の検索結果

トランジスタタイプ = NPN。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 3 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。この NPN バイポーラトランジスタは、汎用 VHF / UHF 用途向けに設計され、 SOT-23 表面実装パッケージに収められています。このデバイスは、低電力の表面実装用途に最適です。低 RDS ( on )：高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します 基板スペースを節約する小型 SOT-23 表面実装パッケージ 鉛フリーパッケージが提供される場合があります。G サフィックスは鉛フリーリード仕上げを示します 品番の先頭が「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です

パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。パワー MOSFET 170 mA 、 100 V 、 N チャンネル SOT-23品番の先頭が「 BVSS 」の場合は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 4μs。絶縁電圧 = 5000 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FOD。特殊機能 = AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能、高い動作温度。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。標準上昇時間 = 100μs。絶縁電圧 = 5000 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 20μs。シリーズ = FOD。特殊機能 = AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能、高い動作温度。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。出力デバイス = フォトトランジスタ。最大順方向電圧 = 1.4V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 4。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = AC。標準上昇時間 = 4μs。絶縁電圧 = 5000 V ac。論理出力 = あり。最大電流変換率 = 600%。標準降下時間 = 3μs。シリーズ = FOD。特殊機能 = AC入力応答、鉛フリーIRリフローはんだ付けに使用可能。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SOD-323。ピン数 = 2。最大ダイオードキャパシタンス = 2pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 1.8mm。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。寸法 = 1.8 x 1.35 x 1mm。自動車規格 = AEC-Q101mW。このスイッチングダイオードは、高速スイッチング用途向けに設計されています。鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 600 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1.5 W。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、中電力用途向けに設計された TO-92 パッケージに収納されています。鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 8 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 350 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 350 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.53 x 4.83 x 15.75mm。バイポーラパワートランジスタは、オーディオアンプの高周波ドライバとして使用するように設計されています。高電流利得帯域幅積 TO-220 コンパクトパッケージ これらのデバイスは鉛フリーです

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-23。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ショットキーダイオードは、主に高効率 UHF / VHF 検出器用途向けに設計されています。他の多くの高速スイッチング RF 及びデジタル用途に容易に適応できます。ショットキーダイオードは、低コスト、大容量、産業 / 商業要件向けの安価なプラスチックパッケージに収められています。少数キャリアの寿命が極めて低い 非常に低い静電容量 低い逆漏洩電流 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

ロジックタイプ = マルチプレクサ。実装タイプ = 表面実装。エレメント数 = 1。ゲートあたりの入力数 = 4。パッケージタイプ = SOIC-NB の略。ピン数 = 16。論理回路 = ECL。入力タイプ = シングルエンド。動作供給電圧 Max = -5.7 V ( NECL )、 5.7 V ( PECL。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 710ps。動作供給電圧 Min = -4.2 V ( NECL )、 4.2 V ( PECL )。幅 = 4mm。4 ： 1 マルチプレクサ又は 2 ： 1 マルチプレクサとして便利 シングルエンド動作用 VBB 出力 PECL モード動作範囲： VCC = 4.2 → 5.7 V ( VEE = 0 V NECL モード動作範囲： VCC = 0 V ( VEE = -4.2 → -5.7 V D および SEL の入力プルダウン抵抗内蔵。 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 W。最小DC電流ゲイン = 120。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。鉛フリーパッケージを用意

最大順方向電流 = 200mA。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SOT-23。ピン数 = 3。最大ダイオードキャパシタンス = 4pF。動作温度 Min = -55 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 3.04mm。幅 = 1.4mm。高さ = 1.01mm。寸法 = 3.04 x 1.4 x 1.01mm。自動車規格 = AEC-Q101mW。このスイッチングダイオードは、高速スイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、自動挿入に最適な SOT-23 表面実装パッケージに収容されています。鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

標準ツェナー電圧 = 18V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±2%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 212Ω。最大逆漏れ電流 = 45nA。寸法 = 1.7 x 1.3 x 1mm。動作温度 Min = -65 ℃V。MM3Z18VB ： 18.0 V 、 200 mW 2 % ツェナー、 SOD323F広いツェナー電圧範囲選択範囲： 2.4 → 75 V ± 2 % の VZ 許容差選択( B シリーズ) 超小型で薄型の SMD パッケージ つや消しスズ( Sn )仕上げ、鉛フリー

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 200 mW。パッケージタイプ = SOD-323F。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = ±5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 376Ω。最大逆漏れ電流 = 900nA。寸法 = 1.7 x 1.3 x 1mm。順方向電流 = 10mA。MM3Z5V6C ： 5.6 V 200 mW 5 % ツェナー、 SOD323F広いツェナー電圧範囲選択範囲： 2.4 → 75 V ± 5 % の VZ 許容差選択( C シリーズ) 超小型で薄型の SMD パッケージ つや消しスズ( Sn )仕上げ、鉛フリー 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 225 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。この小型表面実装 MOSFET の低 RDS ( on )は、電力損失を最小限に抑え、消費電力を節約し、小型の電力管理回路での使用に最適です。主な用途は、 dc コンバータ、ポータブル及びバッテリ駆動製品(コンピュータ、プリンタ、 PCMCIA カード、携帯電話、コードレス電話など)の電源管理などです。低 RDS ( on )：高効率を実現し、バッテリ寿命を延長します 基板スペースを節約する小型 SOT-23 表面実装パッケージ 鉛フリーパッケージを用意 用途 DC-DC コンバータ 電力管理

レギュレータタイプ = リニア電圧A。出力電圧 = 15 V。ラインレギュレーション = 20 mV。ロードレギュレーション = 25 mV%。極性 = 正。静止電流 = 3.5mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 10.28 x 4.82 x 30.02mm。動作温度 Min = 0 ℃mm。幅 = 4.82mm。MC7815リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductorのリニア電圧レギュレータは、2 %又は4 %の公差で15 Vの固定電圧を出力します。 MC7815正電圧レギュレータには、安全動作領域補償が組み込まれています。また、内部の電流制限及びサーマルシャットダウン過負荷保護の機能も備えています。 出力を調整する場合を除き、外部コンポーネントは不要です。 このデバイスは、電子産業におけるさまざまな用途に適しています。. 出力電圧: 15 V 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 200 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、中電力の表面実装用途向けに設計された SOT-223 パッケージに収められています。鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 200 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2.2 x 1.35 x 0.9mm。NPN バイポーラトランジスタは、汎用アンプ用途向けに設計されています。低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-323/SC-70 パッケージに収められています。鉛フリーパッケージを用意 用途: ESD保護 極性反転保護 データライン保護 誘導負荷保護 ステアリングロジック

ダイオード構成 シングル。1チップ当たりのエレメント数 1。パッケージタイプ ケース 59-10。ピン数 2V。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 250 mW。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 5 V。ラインレギュレーション = 50 mV。ロードレギュレーション = 100 mV。極性 = 正。静止電流 = 0.8mA。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.22mm。7805リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. この注目の ON Semiconductor リニア電圧レギュレータのファミリは 7805 ファミリに属しています。これらの製品はモノリシック集積回路で、ローカルやカード上のレギュレーションをはじめとする幅広い用途向けに固定電圧レギュレータとして設計されています。この7805正電圧レギュレータは外部コンポーネントを必要とせず、内部サーマル過負荷保護及び電流制限、安全動作領域補償を統合しています。. 出力電圧: 5 V 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償 鉛フリーパッケージを用意 出力電圧の公差: 2 %及び4 %

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = 12 V。ラインレギュレーション = 50 mV。ロードレギュレーション = 240 mV。極性 = 正。静止電流 = 6mA。ピン数 = 3。パワーレーティング = 5W。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。幅 = 6.22mm。MC78M00 / MC78M00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC78M00 / MC78M00A リニア電圧レギュレータは、内部電流制限、サーマルシャットダウン、及び出力トランジスタ安全動作領域保護機能を組み合わせた堅牢なデバイスです。 ローカル、オンカード電圧調整などさまざまな用途で使用できます。 5 V、8 V、12 V、15 V、18 V、20 V、24 Vのモデルを用意しています。いずれも出力電流は最大500 mAで、最適なヒートシンクが搭載されています。. 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計され、デバイスの取り付け面をヒートシンク又はシャーシから電気的に絶縁する必要があります。電気的に普及した TIP122 および TIP127 に類似しています 100 VCEO ( sus ) 定格コレクタ電流： 5 A 分離ワッシャは不要です システムコストの削減 高 DC 電流ゲイン： 2000 (最小) @ IC = 3 ADC 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -45 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 150 mW。最小DC電流ゲイン = 420。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2.2 x 1.35 x 0.9mm。PNP バイポーラ・トランジスタは、汎用アンプ・アプリケーション用に設計されています。低電力表面実装用途向けに設計された SOT-323/SC-70 パッケージに収められています。独自のサイトおよび制御変更要件を必要とする自動車およびその他のアプリケーション用の S および NSV プレフィックス、 PPAP 対応 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

ダイオード構成 シングル。1チップ当たりのエレメント数 1。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピン数 2V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

トランジスタタイプ = NPN/PNP。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-363。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 385 mW。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 2。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 500 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。最小DC電流ゲイン = 250。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。NPN バイポーラトランジスタは、リニア用途やスイッチング用途向けに設計されています。このデバイスは、低消費電力の表面実装用途向けに設計された SOT-23 パッケージで提供されます。鉛フリーパッケージを用意 品番の先頭は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途向けです 用途 ESD保護 極性反転保護 データライン保護 誘導負荷保護 ステアリングロジック

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力数 = 1。ラインレギュレーション = 50 mV。ロードレギュレーション = 100 mV。極性 = 正。パッケージタイプ = DPAK。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 6.73 x 6.22 x 2.38mm。動作温度 Min = -40 ℃mm。長さ = 6.73mm。MC78M00 / MC78M00Aリニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC78M00 / MC78M00A リニア電圧レギュレータは、内部電流制限、サーマルシャットダウン、及び出力トランジスタ安全動作領域保護機能を組み合わせた堅牢なデバイスです。 ローカル、オンカード電圧調整などさまざまな用途で使用できます。 5 V、8 V、12 V、15 V、18 V、20 V、24 Vのモデルを用意しています。いずれも出力電流は最大500 mAで、最適なヒートシンクが搭載されています。. 鉛フリーパッケージを用意

管理数 = 1。最大リセット閾値電圧 = 1.29V。最小リセット閾値電圧 = 1.24V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = マイクロ。ピン数 = 8。寸法 = 3.1 x 3.1 x 0.95mm。最大リセット閾値電圧 = 4V。動作供給電圧 Max = 40 V。自動車規格 = AEC-Q100V。自動車用 NCV バージョン 一意のモード選択入力により、チャネルプログラミングが可能です 過電圧、低電圧、窓電圧検出 正 / 負電圧検出 2.0 V で完全に機能し、正の電圧検出に使用し、負の電圧検出には 4.0 V を使用します 電流制限保護付き 2.54 V リファレンスをピン配列しています 低待機電流 オープンコレクタ出力により、デバイスの柔軟性が向上 鉛フリーパッケージを用意 用途 電子ボディ 制動 インフォテイメント インストルメントクラスタ ナギブーター 乗員の快適性 乗員保護 パワートレイン

ダイオード構成 シングル。1チップ当たりのエレメント数 1。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピン数 2V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = -5V。ラインレギュレーション = 150 mV。ロードレギュレーション = 60 mV。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。高さ = 5.33mm。幅 = 4.19mm。MC79L00リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC79L00 シリーズリニア電圧レギュレータは、負電圧レギュレータです。 このファミリの製品の出力電圧は固定で、5 V、12 V又は15 Vです。 外部デバイスを必要とせず、100 mAの出力電流を必要とする用途に適しています。 ON SemiconductorのMC79L00シリーズは、短絡電流制限機能や熱過負荷保護を内蔵した、強固な集積回路(IC)です。 主な用途には、オンカード調整や、小さな出力電流の負電圧レベルが要求される場合などがあります。 外部デバイスがなくても動作します。. 鉛フリーパッケージを用意

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AC (SMA)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 20V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 250V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

ダイオード構成 シングル。実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。最大順方向降下電圧 1.1V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 25 A (連続)， 40 A (ピーク)。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 15。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V dc。最大コレクタカットオフ電流 = 1mA。幅 = 4.9mm。このバイポーラトランジスタは、汎用パワーアンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。TIP35A 、 TIP35B 、 TIP35C ( NPN )、 TIP36A 、 TIP36B 、 TIP36C ( PNP )は補助装置です。コレクタ電流： 25 A 低漏洩電流： ICEO = 1.0 mA @ 30 及び 60 V 優れた DC ゲイン hFE = 40 (標準) @ 15 A 高電流ゲイン帯域幅製品 鉛フリーパッケージを用意

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 60A。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 980mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 350A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-323。最大連続 順方向電流 = 500mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキーダイオード。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 620mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-123。最大連続 順方向電流 = 2A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 940mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOD-123。最大連続 順方向電流 = 500mA。ピーク逆繰返し電圧 = 30V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 5.5A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ