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標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 49mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。最大動作周波数 = 300 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -800 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 625 mW。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

ダイオード構成 シングル。1チップ当たりのエレメント数 1。パッケージタイプ DO-41。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピン数 2V。動作温度 Min -65 ℃。動作温度 Max +175 ℃。高さ 5.2mm。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。直径 2.7mm。ON Semi 1N4001-1N4007アキシャルリード標準回復整流器. このON Semiconductor製品シリーズは、一般的な低電力用途向けに特別に設計された標準整流器です。この製品は、外部表面に腐食耐性があり、端子リードが容易にはんだ付けできる仕上げが施されています。これにより、顧客に効果的で信頼性の高い製品を提供します。. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 25 仕上げ: 外面は耐食性、端子リードははんだ付け可能 はんだ付け用の鉛温度: 最大260 (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 主な用途. 高周波インバータ フリーホイールダイオード 極性保護ダイオード

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-41。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 20V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 750mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 25A。ON Semi 1N5817 / 8 / 9アキシャルリード整流器. このシリーズは、金属-シリコンのパワーダイオードで構成されています。これらのダイオードは、クロムバリア金属、酸化物不動態化、金属オーバーラップコンタクトの形で提供されます。. 特長:. 超低VF 低い蓄積電荷 多数キャリア伝導 低電力損失 / 高効率. 特長:. ケース: エポキシ、成形 重量: 0.4 g 仕上げ: すべての外面に耐腐食性、端子リードは容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度: 最高260 ℃ (10秒間) 極性: 極性バンドでカソードを表示. 代表的用途:. 高周波数インバータ 還流ダイオード 極性保護ダイオード

レギュレータタイプ = リニア電圧mA。出力電圧 = -5V。ラインレギュレーション = 150 mV。ロードレギュレーション = 60 mV。極性 = 負。パッケージタイプ = TO-92。ピン数 = 3。出力タイプ = 固定。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。高さ = 5.33mm。幅 = 4.19mm。MC79L00リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON Semiconductor の MC79L00 シリーズリニア電圧レギュレータは、負電圧レギュレータです。 このファミリの製品の出力電圧は固定で、5 V、12 V又は15 Vです。 外部デバイスを必要とせず、100 mAの出力電流を必要とする用途に適しています。 ON SemiconductorのMC79L00シリーズは、短絡電流制限機能や熱過負荷保護を内蔵した、強固な集積回路(IC)です。 主な用途には、オンカード調整や、小さな出力電流の負電圧レベルが要求される場合などがあります。 外部デバイスがなくても動作します。. 鉛フリーパッケージを用意

標準ツェナー電圧 = 39V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = DO-15。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 30mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

チャンネルタイプ N。最大連続ドレイン電流 18 A。最大ドレイン-ソース間電圧 500 V。シリーズ UniFET。実装タイプ スルーホール。ピン数 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 265 mΩ。チャンネルモード エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 3V。最大パワー消費 38.5 W。トランジスタ構成 シングル。最大ゲート-ソース間電圧 -30 V， +30 V。長さ 10.16mm。高さ 9.19mm。UniFET NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート ソースESDダイオードにより、UniFET-II MOSFETは2000 HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFET MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。

最大連続コレクタ電流 = 80 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 650 V。最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V。最大パワー消費 = 366 W。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。チャンネルタイプ = N。ピン数 = 3。スイッチングスピード = 1MHz。トランジスタ構成 = シングル。寸法 = 16.26 x 5.3 x 21.08mm。動作温度 Min = -55 ℃。IGBTディスクリート、ON Semiconductor. モータ駆動とスイッチング用途向けの絶縁型ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。論理出力 = あり。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor

実装タイプ スルーホール。パッケージタイプ DO-41。最大連続 順方向電流 1A。ピーク逆繰返し電圧 1000V。ダイオード構成 シングル。整流タイプ スイッチング。ダイオードタイプ 整流器。ピン数 2。最大順方向降下電圧 1.7V。1チップ当たりのエレメント数 1。ダイオードテクノロジー シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 75ns。直径 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 30A。ON Semi UF4001-UF4007 高速整流器. ON Semiconductor UF4001 UF4007 シリーズは、DO-41(DO-240AL)プラスチックパッケージに収められた超高速整流器です。これらの1Aガラス不動態化接合整流器は、信頼性の高い汎用部品で、さまざまな用途に使用できます。. 特長： 低い順方向電圧降下 高サージ電流能力 大電流対応 ガラス不動態化接合整流器とは? これらのデバイスは、ダイオードの周囲に非活性化ガラスの層を備えています。ガラス不動態化接合整流器は、多くの場合、高い逆電圧抵抗を実現し、時に漏洩を軽減することができます。 動作ジャンクション温度はどのくらいですか? -65 +150 最大繰り返しの逆電圧は何ですか? UF4001 50 UF4002 100 UF4003 200 UF4004 400 UF4005 600 UF4006 800 UF4007 1000 V

標準ツェナー電圧 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 1。最大パワー消費 5 W。パッケージタイプ DO-15。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 220mA。最大ツェナーインピーダンス 1Ω。最大逆漏れ電流 1μA。寸法 8.89 3.68 3.68mm。動作温度 Min -65 ℃。ON Semiconductor ツェナーダイオード W Surmetic 1N5333 1N5346シリーズ. ON Semiconductorの1N53シリーズは、Surmetic40 アキシャルリード W ツェナーダイオードです。このアキシャルリードデバイスは、軸方向リードのトランスファー成形プラスチックパッケージの中に入っており、一般的なあらゆる環境条件から保護されます。この電圧レギュレータは、シリコン酸化物不動態化接合の優れた性能を反映して、限界を厳密化し動作特性を向上させます。外面は耐腐食性で、リードは容易にはんだ付けできます。. 用途. 産業用

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 40 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-204AA。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 160 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +200 ℃mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1.5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = TO-92。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 1 W。最小DC電流ゲイン = 120， 160。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

公称電圧 = 2.5 - 36V。パッケージタイプ = TO-92。基準タイプ = プログラマブル。立上がり精度 = ±4 %。実装タイプ = スルーホール。トポロジー = シャント。出力電流 Max = 100mA。入力電圧 Max = 37 V。出力電圧 Min = 2.495 V。出力電圧 Max = 36 V。ピン数 = 3。ラインレギュレーション = 53 mV。ロードレギュレーション = 25 mV。寸法 = 5.2 x 4.19 x 5.33mm。幅 = 4.19mm。電圧リファレンス、調節可能、ON Semiconductor

コンパレータタイプ = 汎用。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。電源タイプ = ±2電源， 単一電源。出力タイプ = オープンコレクタ。回路数 = 2。標準応答時間 = 1.3μs。ピン数 = 8。標準シングル供給電圧 = 3 → 28 V。寸法 = 5 x 4 x 1.5mm。長さ = 5mm。幅 = 4mm。高さ = 1.5mm。標準電圧ゲイン = 106.02 dB。コンパレータ、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 12V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 30Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 24V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 10.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 25Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = SOD-123。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm。動作温度 Max = +150 ℃。ツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123