「ain 0.5」の検索結果

ピン数 = 10。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = UMLP。寸法 = 1.4 x 1.8 x 0.5mm。動作温度 Min = -40 ℃。USBスイッチ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = FXL。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = MicroPak。ピン数 = 10。寸法 = 2.1 x 1.6 x 0.5mm。低レベル出力電流 Max = 24mA。高レベル出力電流 Max = -24mA。伝播遅延テスト条件 = 15pF。動作供給電圧 Max = 3.6 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1.1 V。動作温度 Min = -40 ℃。電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = FXMA。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = UMLP。ピン数 = 8。寸法 = 1.4 x 1.2 x 0.525mm。低レベル出力電流 Max = 50mA。高レベル出力電流 Max = -50mA。伝播遅延テスト条件 = 50pF。動作供給電圧 Max = 5.5 V。動作温度 Max = +85 ℃。動作供給電圧 Min = 1.65 V。動作温度 Min = -40 ℃。電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 24V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 10.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 25Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

論理回路 = 74ACT。ロジックタイプ = バッファ， ドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 20。高レベル出力電流 Max = 24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 12.5 ns @ 50 pF。寸法 = 6.5 x 4.4 x 0.9mm。動作供給電圧 Min = 4.5 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74ACTファミリ、Fairchild Semiconductor. アドバンスドCMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 互換性: 入力TTL、出力CMOS

チャンネルタイプ = N。最大連続ドレイン電流 = 220 mA。最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-23。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V。最大パワー消費 = 350 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V， +12 V。長さ = 2.92mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。Fairchild Semiconductor 強化モードNチャンネルMOSFET. 強化モードフィールド効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自の高セル密度DMOS技術を使用して製造されています。この高密度プロセスは、オンステート抵抗を最小限に抑え、頑丈で信頼性の高い性能と高速スイッチングを実現するように設計されています。

論理回路 = LCX。ロジックタイプ = バッファ， ラインドライバ。インターフェース = バッファ&ラインドライバIC。入力タイプ = シングルエンド。出力タイプ = 3ステート。極性 = 非反転。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = TSSOP。ピン数 = 14。高レベル出力電流 Max = -24mA。低レベル出力電流 Max = 24mA。最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6.5 ns @ 2.7 V。寸法 = 5 x 4.4 x 0.9mm。動作供給電圧 Min = 2 V。伝播遅延テスト条件 = 50pF。74LCXファミリ、Fairchild Semiconductor. 高性能高速(低電圧) CMOSロジック 動作電圧範囲: 2.0 → 3.6 V 5 V許容入力 / 出力

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 1.6 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 115 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V。最低ゲートしきい値電圧 = 0.4V。最大パワー消費 = 500 mW。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V， +8 V。幅 = 1.4mm。動作温度 Min = -55 ℃mm。PowerTrenchR PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrenchR MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrenchR MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrenchR MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。