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ピーク平均順方向電流 = 500mA。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 4.95mm。幅 = 4.2mm。UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器

ピーク平均順方向電流 = 500mA。ピーク逆繰返し電圧 = 100V。実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOIC。ピン数 = 4。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 4.95mm。高さ = 2.7mm。UL、E258596. ON Semiconductor MB1S-MB8S ブリッジ整流器

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = DO-41。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.25V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 75ns。直径 = 2.7mm。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、1 A → 1.5 A、ON Semiconductor

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC-W。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 300A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 500μA。長さ = 29mm。幅 = 29mm。基板実装用ブリッジ整流器、GBPC-W 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 基板実装用ワイヤリード構造

ピーク平均順方向電流 = 35A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = GBPC 4L。ピン数 = 4。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。回路構成 = シングル。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 400A。動作温度 Max = +150 ℃。動作温度 Min = -55 ℃。ピーク順方向電圧 = 1.1V。ピーク逆電流 = 5μA。寸法 = 29 x 29 x 11.23mm。幅 = 29mm。UL E-258596. プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 35シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流35 A ガラス不動態化ジャンクション 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 ファストン端子

標準ツェナー電圧 = 27V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 9.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 35Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = DO-214AA (SMB)。最大連続 順方向電流 = 1A。ピーク逆繰返し電圧 = 400V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 1.05V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ピーク逆回復時間 = 75ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 35A。Ultrafast 整流器は、コンパクトなサイズと重量がシステムに不可欠な、表面実装用途の高電圧、高周波整流、又はフリーホイーリング / 保護ダイオードに最適です。J 字形リード付きの小型コンパクトな表面実装可能パッケージです 自動処理用の角形パッケージです 耐熱ガラス不動態化ジャンクション 低順方向電圧降下( 0.71 → 1.05 V 、最大 @ 1.0 A 、 TJ = 150 ° C ) 機械的特性： ケース：エポキシ、成形 重量：約 95 mg 仕上げ：すべての外面に耐腐食性、 Terminal Leads は容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード及び取り付け表面温度：最大 260 ° C ( 10 秒間) 極性：極性バンドでカソードリードを表示 鉛フリーパッケージです

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 16A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = 汎用。ダイオードタイプ = 超高速整流器。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AB。最大連続 順方向電流 = 16A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = コモンカソード。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 975mV。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 200V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 2。最大順方向降下電圧 = 975mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON Semiconductor

チャンネルタイプ = P。最大連続ドレイン電流 = 55 A。最大ドレイン-ソース間電圧 = 35 V。シリーズ = PowerTrench。実装タイプ = 表面実装。ピン数 = 3。最大ドレイン-ソース間抵抗 = 19 mΩ。チャンネルモード = エンハンスメント型。最低ゲートしきい値電圧 = 1V。最大パワー消費 = 57 W。トランジスタ構成 = シングル。最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 V。幅 = 6.22mm。高さ = 2.39mm。自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 8A。ピーク逆繰返し電圧 = 600V。整流タイプ = ファストリカバリー。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 100A。Ultrafast 整流器は、スイッチング電源、インバータ、還流ダイオードとして使用するように設計されています。超高速 35 ナノ秒回復時間 動作ジャンクション温度： 175 C 一般的な TO-220 パッケージ @1/8 インチ 耐熱ガラス不動態化ジャンクション 600 V までの高電圧に対応 低漏洩電流仕様 @ 150 C ケース温度 現在のディレーティングは、ケースと周囲温度の両方で行われます 機械的特性： ケース：エポキシ、成形 重量：約 1.9 グラム 仕上げ：すべての外面に耐腐食性、 Terminal Leads は容易にはんだ付け可能 はんだ付けのリード温度：最大 260 ° C ( 10 秒間) プラスチックチューブ 1 個につき 50 個出荷 マーキング： UH860

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220AC。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 250V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 2。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキー。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = TO-220。最大連続 順方向電流 = 40A。ピーク逆繰返し電圧 = 250V。ダイオード構成 = シングル。整流タイプ = ショットキー整流器。ダイオードタイプ = ショットキー。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 970mV。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ダイオードテクノロジー = ショットキーバリア。ピーク逆回復時間 = 35ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 150A。メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ON Semiconductor ショットキーバリアダイオードです. この ON Semiconductor ショットキーパワー整流器は、バリア金属を使用したショットキーバリア原理を採用し、最高の順方向電圧降下 - 逆電流交換を実現しています。小型軽量であることが重要なあらゆる表面実装用途向けの、低電圧、高周波整流、還流、極性保護ダイオードに適しています。. 鉛フリー 自動化された最適なボードアセンブリ向けに設計 ストレス保護ガード エポキシ成形ケース 11.7mg の軽量パッケージ

トランジスタタイプ = PNP。最大連続コレクタ電流 = 25 A (連続)， 40 A (ピーク)。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。ピン数 = 3。トランジスタ構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最小DC電流ゲイン = 15。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V dc。最大コレクタカットオフ電流 = 1mA。幅 = 4.9mm。このバイポーラトランジスタは、汎用パワーアンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。TIP35A 、 TIP35B 、 TIP35C ( NPN )、 TIP36A 、 TIP36B 、 TIP36C ( PNP )は補助装置です。コレクタ電流： 25 A 低漏洩電流： ICEO = 1.0 mA @ 30 及び 60 V 優れた DC ゲイン hFE = 40 (標準) @ 15 A 高電流ゲイン帯域幅製品 鉛フリーパッケージを用意

実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = IGBT， MOSFET。最大順方向電圧 = 1.8V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 8。パッケージタイプ = PDIP。標準上昇時間 = 60ns。最大入力電流 = 16 mA。絶縁電圧 = 5 kVrms。論理出力 = あり。標準降下時間 = 60ns。シリーズ = FOD。35kv/ μ s の最小コモンモード除去を特徴とする高ノイズ耐性 2.5 A Peak 出力電流駆動機能により、ほとんどの 800 V / 20 A IGBT に対応しています 出力段で P チャンネル MOSFET を使用することで、電源レールの近くで出力電圧スイングが可能になります 幅広い供給電圧範囲： 15 → 30 V 高速スイッチング速度 最大伝搬遅延： 400 ns 最大パルス幅歪み： 100 ns 低電圧ロックアウト( UVLO )(ヒステリシスあり 産業用拡張温度範囲： -40 → 100 ° C RDS ( ON )： 3 Ω (標準)の低消費電力を実現します >8.0 mm クリアランスおよび沿面距離 ( オプション「 T 」 ) 無停電電源 産業用インバータ 絶縁 IGBT / パワー MOSFET ゲートドライブ 誘導加熱 用途 AC-DC 加盟店用電源 エネルギーの生成と分配 産業用モータ 無停電電源