仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:28 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:39 nC @ 10 V
シリーズUniFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ
パッケージD2PAK (TO-263)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)250W
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)300
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)129
最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30
トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
¥659
税込¥725
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:39 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:11.7 nC @ 10 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A
パッケージPQFN8
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)73
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20
トランジスタ構成シングル
1個
¥299
税込¥329
5日以内出荷
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