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仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:28 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:39 nC @ 10 V シリーズUniFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)対応 特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ パッケージD2PAK (TO-263) 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)250W チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)300 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)129 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30 トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
659 税込725
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:39 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:11.7 nC @ 10 V シリーズPowerTrench ピン数(ピン)8 RoHS指令(10物質対応)対応 特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A パッケージPQFN8 実装タイプ表面実装 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)73 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1個
299 税込329
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