「sc-03 100v」の検索結果

最大順方向電流 = 215mA。1チップ当たりのエレメント数 = 2。最大逆電圧 = 100V。パッケージタイプ = SC-70。ピン数 = 3。最大ダイオードキャパシタンス = 1.5pF。動作温度 Min = -65 ℃。動作温度 Max = +150 ℃。長さ = 2.2mm。幅 = 1.35mm。高さ = 1mm。寸法 = 2.2 x 1.35 x 1mm。パワー消費 = 300mW

実装タイプ = 表面実装。パッケージタイプ = SOT-416 (SC-75)。最大連続 順方向電流 = 100mA。ピーク逆繰返し電圧 = 80V。ダイオード構成 = コモンアノード。整流タイプ = スイッチング。ダイオードタイプ = 整流器。ピン数 = 3。最大順方向降下電圧 = 1.2V。1チップ当たりのエレメント数 = 2。ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクション。ピーク逆回復時間 = 10ns。ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 2A。メーカー品番がS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.7mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SC-75。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 300 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 1.65 x 0.9 x 0.8mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)。実装タイプ = 表面実装。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。標準抵抗比 = 0.12mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. デュアル抵抗デジタルNPNトランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.5 x 3.5 x 1.6mm。小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 100 mA。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V。パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 310 mW。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。標準抵抗比 = 0.047kΩ。このシリーズのデジタルトランジスタは、単一デバイスと外部抵抗バイアスネットワークを置き換えるように設計されています。バイアス抵抗トランジスタ( BRT )には、 2 つの抵抗器、シリーズベース抵抗器、ベースエミッタ抵抗器で構成されるモノリシックバイアスネットワークを備えたシングルトランジスタが含まれています。BRT は、これらの個々のコンポーネントを 1 つのデバイスに統合することで、それらを排除します。BRT を使用することで、システムコストと基板スペースの両方を削減できます。回路設計の簡素化 基板スペースの削減 コンポーネント数を削減します 品番の先頭が「 S 」 / 「 NSV 」の製品は、固有のサイトや制御変更の要件及び PPAP 対応を必要とする車載用途やその他の用途に最適です 鉛フリー、ハロゲンフリー / BFRフリー