「ウェハー 300mm」の検索結果
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研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
製造方法CZ法
フタ・本体間の遮断を2重化し、パーティクルの進入を防止します。
主要部分には導電化材料を使用しています。
本体とトップフランジ部の取り付け部分を補強しています。
寸法D1(mm)44
アズワン品番2-5136-01
収納枚数(枚)26
溝ピッチ(mm)10
ウェハー径(Φmm)300
1個
￥151,200
税込￥166,320
63日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
抵抗値0.1～100Ω・cm
製造方法CZ法
位置【OF】110
方位【面】100
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
長さ(mm)(OF)47.5±2.5
抵抗値0.1～100Ω・cm
製造方法CZ法
位置(OF)110
方位(面)100
ウェハー厚(μm)625±25
![12インチ熱酸化膜付きウェハ 研究用[P 100 ，1-100Ω]両面ミラーDF品 25枚入 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/middle/mono02447019-241206-02.jpg)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
![2インチINPウェハ 研究用[S-C-N/S 100 ]片面ポリッシュ アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/middle/mono84411935-241017-02.jpg)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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テープシールで気密性を確保します。
材質本体・フタ/セミプラスト(R)PC(PC)、フック・ヒンジ/セミプラスト(R)PP(PP)、リテーナー/PE
サイズ(mm)377×377×41
アズワン品番2-4995-01-77
径(mm)(ウェハー)300(12")
1個
￥19,700
税込￥21,670
当日出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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低汚染を追求した材質で製造されています。トレー同士またはトレーとカバーの積み重ねが可能です。パッキン付きですので、気密性に優れています。
セット内容本体・カバー・スプリング×各1枚
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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![50×50mm Si シリコン 研究用[P 100 ，1-100Ω]ダイシング チップ 角基板 アズワン](http://jp.images-monotaro.com/Monotaro3/pi/middle/mono05087261-241204-02.jpg)
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：50×50●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm)：15×15●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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仕様●サイズ(mm)：40×40●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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仕様●サイズ(mm)：20×30●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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仕様●サイズ(mm)：10×20●ウェハー厚(μm)：300～1000μm●導電型：P型●面方位：100●抵抗値(Ω・cm)：1～100●面状態：ミラー/ミラー●TTV(μm)：≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
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