研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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仕様●サイズ(mm):20×30●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
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仕様●サイズ(mm):10×20●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
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仕様●サイズ(mm):30×30●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
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仕様●サイズ(mm):25×35●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
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仕様●サイズ(mm):40×40●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):50×50●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●サイズ(mm):15×15●ウェハー厚(μm):300~1000μm●導電型:P型●面方位:100●抵抗値(Ω・cm):1~100●面状態:ミラー/ミラー●TTV(μm):≦25●▼※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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大容量・堅牢モデルをラインナップ。強力磁石&インダクションモーター採用で高粘度・大容量の 撹拌が可能です。タコジェネレーターによるフィードバック制御により、低速から高速まで安定した回転を得ることができます。低回転域でも安定した回転を実現します。アナログツマミで目盛りに対して、比例した回転数を設定することができます。サポートロッドオプションが使用可能です。天板特長:熱効率・耐久性に優れています。
回転数(min-1[r.p.m])60~1350
材質(天板)アルミニウム(アルマイト処理)
校正証明書点検・検査書
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