軽量・高耐食性・非磁性・高強度・復元性に優れています。
材質チタン合金DAT51(Ti-22V-4AL)のシームレス・パイプ
長さ(mm)500
公差(mm)外径/±0.02、内径/+0.04/-0.02
熱伝導率が良いことから、放熱性が高い材料です。
Siに近い熱膨張係数を有することから、半導体装置などの部材に用いられます。
仕様面粗さ:Ra1.6
平行度(μm)10
熱伝導率(W/mk)184
線膨張係数(×10-6/℃)(350℃時)4.6
線膨張係数が、窒化アルミニウムや炭化ケイ素と比較しても同等値をもつ非常に優れた低熱膨張材料です。
熱衝撃性に強いセラミック材料です。
加工性が良くコンタミの問題がありません。
仕様耐熱衝撃性:350K、面粗さ:Ra1.6
平行度(μm)10
熱伝導率(W/mk)16.3
線膨張係数(×10-6/℃)(350℃時)4.7
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
仕様●グレード:ダミーグレード●タイプ:4H●Surface orientation error:<11-20>4±0.5 °●ドーパント:N型 Nitrogen●抵抗率:0.015~0.025 ohm・cm●直径:200.0±0.2mm●厚み:500±25 μm●主要ノッチ方位:[1-100]±5 °●主要ノッチ深さ:1-1.5 mm●セカンドオリフラ:None●LTV:≦10(10mm×10mm)μm●TTV:≦15μm●Bow:0±65μm●Warp:≦70μm●(AFM)Front(Si-face)Roughness:Ra≦0.2 nm●マイクロパイプ:≦50ea/cm●金属不純物:NA●TED:NA●BPD:NA●TSD:NA●<表面状態>●フロントサイド:Si●面状態:Si-face CMP●パーティークル:NA●スクラッチ:NA●<裏面状態>●面状態:C-face polished●スクラッチ:NA ea/mm●裏面粗さ:Ra≦5 nm●レーザーマーク:On●エッジ:Chamfer●Notes:"NA" =不問。Items not metioned may refer to SEMI-STD●数量:1枚(1箱)●※本製品は半導体向けの結晶材を使用し製造加工しておりますが、材料純度に関する証明等に対応できるものではありません。
アズワン品番67-3018-45
1箱(1枚)
¥454,000
税込¥499,400
23日以内出荷
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
研究・開発用として実績があり、高純度材料を用いたウェハーを少量からご提供。
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