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ロジックファミリー74HC エレメント数(入力)1 最大伝播遅延時間@最大CL165ns@150pF 高レベル出力電流(mA)-7.8 低レベル出力電流(mA)7.8 実装タイプ表面実装 パッケージSOIC ピン数(ピン)20 寸法(mm)13.1×7.5×2.25 高さ(mm)2.25 長さ(mm)13.1
1袋(10個)ほか
1,198 税込1,318
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寸法(mm)8.95×3.9×1.38 高さ(mm)1.38 出力方式オープンドレイン 入力方式CMOS ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数6 低レベル出力電流(mA)5.2 高レベル出力電流(mA)-5.2 最大伝播遅延時間@最大CL135ns@50pF ロジックファミリー74HC ロジック機能インバータ
1袋(50個)ほか
2,998 税込3,298
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寸法(mm)8.95×3.9×1.38 高さ(mm)1.38 ピン数(ピン)14 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数6 低レベル出力電流(mA)5.2 高レベル出力電流(mA)-5.2 ロジックファミリー74HC ロジック機能インバータ
1袋(50個)ほか
2,898 税込3,188
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長さ(mm)13.1 寸法(mm)13.1×7.5×2.25 高さ(mm)2.25 ピン数(ピン)20 モード透明 極性反転 動作温度(℃)(Min)-40 RoHS指令(10物質対応)対応 エレメント種類Dタイプ パッケージSOIC 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数19 1チップ当たりのチャンネル数8 ロジックファミリー74HC
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899 税込989
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仕様(セット/リセット)プリセット 寸法(mm)2×2.3×0.7 出力方式CMOS 入力方式CMOS, TTL ピン数(ピン)8 出力信号差動 トリガー正エッジ 極性非反転 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージSOT-765 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大伝播遅延時間@最大CL20ns@50pF ロジック機能D タイプ
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1,498 税込1,648
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長さ(mm)6.5 寸法(mm)6.5×4.4×1 高さ(mm)1 ピン数(ピン)20 RoHS指令(10物質対応)対応 パッケージTSSOP 実装タイプ表面実装 動作供給電圧(V)(Max)5.5 1チップ当たりのエレメント数9 低レベル出力電流(mA)16 高レベル出力電流(mA)-16 最大伝播遅延時間@最大CL20.5ns@50pF エレメント数(入力)1
1袋(25個)ほか
1,698 税込1,868
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819 税込901
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1,098 税込1,208
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実装タイプ表面実装 最大順方向電圧(V)1.4 チャンネル数1 電流の種類(入力)DC 最大電流変換率(%)4000
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729 税込802
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1,198 税込1,318
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1袋(25個)ほか
1,798 税込1,978
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東芝Photorelay
エコ商品
仕様光リレー、MOSFET出力、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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560 税込616
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仕様ロジックファミリー = CMOSエレメント入力数 = 11チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 6 ns@ 50 pF高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5寸法 = 2.9 x 1.6 x 1mm高さ = 1mm長さ = 2.9mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +85 ℃動作供給電圧 Min = 1.5 VL-MOS SHSシリーズ、低電圧、東芝. 東芝SHSシリーズのTC7SZ / WZ / PZは、低電圧ワンゲートCMOS (L-MOS)ロジックデバイスのファミリです。. 1.8 → 5.5 V動作 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,298 税込1,428
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仕様ロジックファミリー = LMOS入力タイプ = CMOS出力タイプ = CMOS極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 16.3 ns @ 50 pF寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm高さ = 0.9mm動作温度 Max = +125 ℃L-MOS超高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS TC7SHシリーズの超高速ロジックデバイス. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 4 ns @ 5 V 低消費電力 優れたノイズ耐性 広い動作電圧範囲: 2 → 5.5 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,298 税込1,428
取扱い終了

仕様ロジック機能 = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = VHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 1.6mmL-MOS超高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS TC7SHシリーズの超高速ロジックデバイス. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 4 ns @ 5 V 低消費電力 優れたノイズ耐性 広い動作電圧範囲: 2 → 5.5 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,498 税込1,648
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仕様ロジック機能 = NAND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = VHC入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 5.5 V高レベル出力電流 Max = -8mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 8mA幅 = 1.6mmL-MOS超高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS TC7SHシリーズの超高速ロジックデバイス. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 4 ns @ 5 V 低消費電力 優れたノイズ耐性 広い動作電圧範囲: 2 → 5.5 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,498 税込1,648
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仕様出力電圧 = 3.3 V出力タイプ = 固定パッケージタイプ = SOT-25出力電流 Max = 200mA実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 1.5 V入力電圧 Max = 5.5 Vピン数 = 5極性 = 正静止電流 = 60μA精度 = ±1%動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃パワーレーティング = 200mWイネーブル = ありLDO (低ドロップアウト)レギュレータ(高速負荷トランジェント応答特性)、TCR2EFシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,598 税込1,758
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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IC最大順方向電圧 = 1.7Vチャンネル数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = Y最大電流変換率 = 15%オプトカプラ、トランジスタ出力、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
999 税込1,099
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 50 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,198 税込1,318
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W寸法 = 6.6 x 7.18 x 2.3mmMOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,298 税込1,428
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-236MOD実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 70トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1長さ = 2.9mm小信号PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
859 税込945
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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IC最大順方向電圧 = 1.85Vチャンネル数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 15ns最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms標準降下時間 = 15nsオプトカプラ、トランジスタ出力、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,798 税込1,978
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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 1 A絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 400%標準降下時間 = 9μsフォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
789 税込868
欠品中

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsフォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,498 税込1,648
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 72 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,198 税込1,318
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 65 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 62 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W標準ターンオフ遅延時間 = 310 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,898 税込2,088
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 30 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
799 税込879
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 49 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W幅 = 5.02mmMOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,798 税込1,978
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
729 税込802
欠品中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,198 税込1,318
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,398 税込2,638
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 390 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,598 税込1,758
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,098 税込1,208
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 263 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.2 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
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仕様ロジックファミリー = CMOSロジック機能 = D タイプ入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = C2MOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF寸法 = 2.9 x 2.8 x 1.1mm動作温度 Max = +85 ℃L-MOS高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS高速シリーズは、低消費電力CMOSデバイスの利点を維持しながら、LSTTLデバイスと同様の動作速度を実現しています。. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 7 ns @ 5 V 低消費電力 優れたノイズ耐性 出力ドライブ機能: 5 LSTTL負荷 対称型出力ドライブ容量 広い動作電圧範囲: 2 → 6 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
589 税込648
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