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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5.4 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 60 W寸法 = 6.6 x 7.18 x 2.3mmMOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,398 税込1,538
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 430 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 80 W幅 = 7.18mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
639 税込703
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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SOIC入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 4μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3.75 kVrms最大電流変換率 = 400%標準降下時間 = 7μsフォトカプラ、トランジスタ出力、TLP291 / TLP293シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP291 / TLP293シリーズシングルフォトカプラです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
789 税込868
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仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = IC最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC標準上昇時間 = 50ns最大入力電流 = 20 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 50ns光リレー、MOSFET出力、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
599 税込659
欠品中

仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = MOSFET最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = DIP入力電流タイプ = AC最大入力電流 = 30 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms光リレー、MOSFET出力、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
599 税込659
欠品中

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = IC最大順方向電圧 = 1.85Vチャンネル数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 15ns最大入力電流 = 25 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms標準降下時間 = 15nsオプトカプラ、トランジスタ出力、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,298 税込1,428
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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 5μs最大入力電流 = 1 A絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 400%標準降下時間 = 9μsフォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
819 税込901
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仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトトランジスタ最大順方向電圧 = 1.4Vチャンネル数 = 1ピン数 = 4パッケージタイプ = SO6入力電流タイプ = DC標準上昇時間 = 2μs最大入力電流 = 50 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms最大電流変換率 = 600%標準降下時間 = 3μsフォトカプラ、トランジスタ出力、TLP183 / TLP185シリーズ. 東芝のトランジスタ出力付きTLP183 / TLP185シリーズシングルフォトカプラです。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,598 税込1,758
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 72 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.5 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,698 税込1,868
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 65 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 62 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W標準ターンオフ遅延時間 = 310 nsMOSFET Nチャンネル、TK6 / TK7シリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,798 税込1,978
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 49 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 400 W幅 = 5.02mmMOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,798 税込1,978
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 270 Wシリーズ = TKMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
1,498 税込1,648
欠品中

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 60 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.8 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 30 W幅 = 4.5mmMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
719 税込791
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,298 税込1,428
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,398 税込1,538
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,498 税込2,748
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 300 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 110 W動作温度 Max = +150 ℃MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
459 税込505
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 11.1 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 390 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W標準ターンオフ遅延時間 = 85 nsMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,098 税込1,208
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仕様ロジックファミリー = CMOSロジック機能 = D タイプ入力タイプ = LS-TTL出力タイプ = C2MOS実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 81チップ当たりのエレメント数 = 1最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 190 ns @ 50 pF寸法 = 2.9 x 2.8 x 1.1mm動作温度 Max = +85 ℃L-MOS高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS高速シリーズは、低消費電力CMOSデバイスの利点を維持しながら、LSTTLデバイスと同様の動作速度を実現しています。. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 7 ns @ 5 V 低消費電力 優れたノイズ耐性 出力ドライブ機能: 5 LSTTL負荷 対称型出力ドライブ容量 広い動作電圧範囲: 2 → 6 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
599 税込659
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仕様標準ツェナー電圧 = 6.8V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 700 mWパッケージタイプ = S-FLATツェナータイプ = トランジェントサプレッサピン数 = 2テスト電流 = 10mA最大ツェナーインピーダンス = 60Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 2.6mm寸法 = 2.6 x 1.6 x 0.98mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード700 mW、CRYμCRZシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
1,398 税込1,538
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.1V長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 16.5A高効率高速整流ダイオード、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,298 税込1,428
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 390mV長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 20Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,798 税込1,978
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = M-FLATピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV長さ = 3.8mm幅 = 2.4mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 40Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(25個)
699 税込769
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 40 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,298 税込1,428
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = SiNPNパワートランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
9,198 税込10,118
欠品中

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1トランジスタ素材 = SiPNPパワートランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,698 税込2,968
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 500 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 Vパッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 150 mW最小DC電流ゲイン = 25トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -35 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.25 V小信号PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,998 税込2,198
翌々日出荷

接点構成1a 仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 16 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = DIP最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 4.58 x 6.4 x 3.65mm特殊機能 = 高電流光リレー光リレー、MOSFET出力、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,098 税込1,208
欠品中

接点構成1a 仕様取り付けタイプ = 表面実装最大電圧制御 = 48 V接点構成 = SPNOターミナルタイプ = 基板ピン出力装置 = MOSFETパッケージスタイル = SO6最大ターンオン時間 = 5 ms寸法 = 3.7 x 4.55 x 2.1mm極数 = 1光リレー、MOSFET出力、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,598 税込1,758
翌々日出荷

仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.75Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP標準上昇時間 = 17μs最大入力電流 = 2 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 17μsシリーズ = TLP 358HFフォトカプラ、バッファロジック出力(トーテムポール)、東芝. ロジック駆動のプッシュプル出力(「トーテムポール」)を備えた東芝フォトカプラ製品です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,498 税込2,748
翌々日出荷

仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.75Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP標準上昇時間 = 17ns最大入力電流 = 2 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 17nsシリーズ = TLP 358フォトカプラ、インバータロジック出力(オープンコレクタ)、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(4個)
1,998 税込2,198
翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 16パッケージタイプ = SOIC標準上昇時間 = 32ns最大入力電流 = 3.5 mA絶縁電圧 = 5 kVrms標準降下時間 = 18nsシリーズ = TLP 5214フォトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,498 税込1,648
翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 16パッケージタイプ = SO-16L標準上昇時間 = 32ns最大入力電流 = 3.5 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms標準降下時間 = 18nsシリーズ = TLP 5214フォトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,498 税込1,648
翌々日出荷

仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP標準上昇時間 = 50ns最大入力電流 = 3 mA絶縁電圧 = 2500 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 50nsシリーズ = TLP 250Hフォトカプラ、バッファロジック出力(トーテムポール)、東芝. ロジック駆動のプッシュプル出力(「トーテムポール」)を備えた東芝フォトカプラ製品です。 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,598 税込1,758
欠品中

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 5パッケージタイプ = SO6標準上昇時間 = 18ns最大入力電流 = 3 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 22nsシリーズ = TLP 152フォトカプラ、IGBT/MOSFETゲート駆動、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,298 税込1,428
翌々日出荷

仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.7Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP標準上昇時間 = 50ns最大入力電流 = 2 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 50nsシリーズ = TLP 351H光リレー、MOSFET出力、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,998 税込2,198
翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC標準上昇時間 = 30ns最大入力電流 = 8 mA絶縁電圧 = 2500 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 30nsシリーズ = TLP 216フォトカプラ、インバータロジック出力(オープンコレクタ)、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,398 税込2,638
翌々日出荷

仕様実装タイプ = 表面実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.8Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = SOIC標準上昇時間 = 30ns最大入力電流 = 4 mA絶縁電圧 = 3750 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 30nsシリーズ = TLP 2468フォトカプラ、インバータロジック出力(オープンコレクタ)、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,298 税込1,428
翌々日出荷

仕様実装タイプ = スルーホール実装出力デバイス = フォトIC最大順方向電圧 = 1.7Vチャンネル数 = 1ピン数 = 8パッケージタイプ = DIP標準上昇時間 = 12ns最大入力電流 = 4 mA絶縁電圧 = 5000 Vrms論理出力 = Y標準降下時間 = 3nsシリーズ = TLP 2962フォトカプラ、インバータロジック出力(オープンコレクタ)、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,298 税込1,428
翌々日出荷