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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 2 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = PW成形実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 60 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 280 pF @ 25 VMOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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209 税込230
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13.7 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = D2PAK (TO-263)実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET最大パワー消費 = 130 W寸法 = 10.35 x 8.8 x 4.46mmMOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,898 税込2,088
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,498 税込1,648
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 40 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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1,198 税込1,318
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 5V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = PW成形実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 20 W標準入力キャパシタンス @ Vds = 480 pF @ 10 VMOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
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989 税込1,088
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