仕様●最大ゲート-ソース間電圧:-12 V, +12 V
ピン数(ピン)7
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージU-DFN2030
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)1.7
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)9.3
最大ドレイン-ソース間電圧(V)20
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)28
最大ゲートしきい値電圧(V)1.1
カテゴリーパワーMOSFET
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