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Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 55 mA， BFP843H6327XTSA1
INFINEON￥4,598税込￥5,0581袋(50個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 55 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 2.25 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装ピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 25 mA， BFP720H6327XTSA1
INFINEON￥1,298税込￥1,4281袋(15個)7日以内出荷SiGe RFバイポーラトランジスタ、Infineon. Infineonの超低ノイズワイドバンドNPNバイポーラRFトランジスタ製品です。 このヘテロ接合バイポーラデバイスは、Infineonのシリコンゲルマニウムカーボン(SiGe:C)素材技術を採用しており、特に低電力消費が重要な要件となるモバイル用途に適しています。 代表的な遷移周波数が最大65 GHzのこのデバイスをアンプとして使用すると、最大10 GHzの周波数で高出力ゲインが得られます。 このトランジスタには、ESD及び過度のRF入力電力に対する保護用の内部回路が用意されています。仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 25 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 13 Vパッケージタイプ = SOT-343実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mWトランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 13 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 1.2 Vピン数 = 41チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃mmRoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 80 mA， BFR380FH6327XTSA1
INFINEON￥659税込￥7251袋(25個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 15 Vパッケージタイプ = TSFP-3-1実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon RFトランジスタ， 高周波， NPN， 表面実装， 80 mA， BFR193WH6327XTSA1
INFINEON￥66,980税込￥73,6781セット(3000個)7日以内出荷仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 80 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 20 Vパッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)実装タイプ = 表面実装RoHS指令(10物質対応)対応
Infineon Pチャンネル 小信号 MOSFETトランジスタ
INFINEON￥49,980税込￥54,9781リール(1000個)7日以内出荷仕様チャンネルタイプ：P●最大連続ドレイン電流：1.9 A●最大ドレイン-ソース間電圧：60 V●最大ドレイン-ソース間抵抗：300 mΩ●最大ゲートしきい値電圧：2V●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大ゲート-ソース間電圧：-20 V， +20 V●パッケージタイプ：SOT-223●実装タイプ：表面実装●ピン数：3+Tab●チャンネルモード：エンハンスメント型●カテゴリー：小信号●最大パワー消費：1.8 W●シリーズ：SIPMOS●Infineon SIPMOSR PチャンネルMOSFET. Infineon SIPMOS R 小信号PチャンネルMOSFETは、強化モード、最低で-80 Aの連続ドレイン電流、幅広い動作温度範囲を備えています。 SIPMOSパワートランジスタは、通信、eMobility、ノートブック、DC/DCデバイスだけでなく、自動車産業を含む多様な用途で使用できます。. ・ AEC Q101適合(データシートを参照してください) ・ 無鉛めっき、RoHS対応RoHS指令(10物質対応)対応
『ディスクリート』には他にこんなカテゴリがあります
- ディスクリートその他関連用品
- トランジスタ
- ダイオード
