トランジスタ ：「3a」の検索結果

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -60 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.7 x 3.7 x 1.7mm。小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 25 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 100。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 35 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。小信号NPNトランジスタ、最大30 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220F。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 40 W。最小DC電流ゲイン = 15， 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 1100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 15 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -80 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 40 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V。パッケージタイプ = TO-220F。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 25 W。最小DC電流ゲイン = 150。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.16 x 2.54 x 15.87mm。パワーNPNトランジスタ、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 40 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 3 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V dc。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 40 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このバイポーラトランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途で使用するように設計されています。TIP31 、 TIP31A 、 TIP31B 、 TIP31C 、( NPN )、 TIP32 、 TIP32A 、 TIP32B 、 TIP32C 、( PNP )は相補的な装置ですコレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE ( sat ) = 1.2 V dc (最大) @ IC = 3.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - VCEO (調査) = 60 V dc (最小) - TIP31A 、 TIP32A = 80 V dc (最小) - TIP31B 、 TIP32B = 100 V dc (最小) - TIP31C 、 TIP32C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 800 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 50 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 1100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 9.9 x 4.5 x 18.95mm。Fairchild Semiconductor 高電圧 NPN トランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -40 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2 W。最小DC電流ゲイン = 300。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V。最大動作周波数 = 100 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 6.5 x 3.5 x 1.6mm。小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = DPAK (TO-252)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.56 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 3 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 1 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V。パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 1.5 W。最小DC電流ゲイン = 40。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 35 MHz。ピン数 = 3 + Tab。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 汎用NPNトランジスタ、最大1 A、ON Semiconductor

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -30 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -250 V。パッケージタイプ = TO-204AA。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 250 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 400 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 39.37 x 26.67 x 8.51mm。MJ21195G および MJ21196G は、穴あきエミッタ技術を採用しており、高出力オーディオ出力、ディスクヘッドポジショナー、リニア用途向けに特別に設計されています。全高調波歪みの特性を示しました 高 DC 電流利得 - HFE = 25 分 @ IC = 8 ADC 優れた利得直線性 高 SOA ： 3A 、 80V 、 1 秒

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 V。パッケージタイプ = TO-3P。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 150 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 15.8 x 5 x 20.1mm。先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -230 V。パッケージタイプ = TO-247。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 200 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。MJW3281A バイポーラ相補オーディオパワートランジスタは、高出力オーディオ、ディスクヘッドポジショナ、及びその他のリニア用途向けのパワートランジスタです。100 W のオーディオ周波数用に設計されています ゲイン相補：ゲイン直線性： 100 mA → 7 A HFE = 45 (最小) @ IC = 8 A 低高調波歪み 高安全動作領域 - 1 A / 100 V @ 1 秒 高フィート - 30 MHz (標準

トランジスタタイプ = PNP。最大DCコレクタ電流 = -5 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 30 W。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。ダーリントンバイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計され、デバイスの取り付け面をヒートシンク又はシャーシから電気的に絶縁する必要があります。電気的に普及した TIP122 および TIP127 に類似しています 100 VCEO ( sus ) 定格コレクタ電流： 5 A 分離ワッシャは不要です システムコストの削減 高 DC 電流ゲイン： 2000 (最小) @ IC = 3 ADC 鉛フリーパッケージを用意

トランジスタタイプ = PNP。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 65 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.53 x 4.83 x 9.28mm。6 A 、 100 V PNP バイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。BD243B 、 BD243C ( NPN )、 BD244B 、 BD244C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) = 1.5 V dc (最大) @ IC = ADC コレクタエミッタ持続電圧 - VCEO ( sus ) = 80 V dc (最小) BD243B 、 BD244B VCEO ( us ) = 100 V dc (最小) - BD243C 、 BD244C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ 鉛フリーパッケージを用意

パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。トランジスタ構成 = シングル。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 2 x 2 x 0.72mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 30 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.7 A RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 5.0 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル： 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

パッケージタイプ = MicroFET 2 x 2。実装タイプ = 表面実装。最大パワー消費 = 2.4 W。ピン数 = 6。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このシングル N チャンネル MOSFET は、 Advanced Power Trench プロセスを使用して、特殊な MicroFET リードフレームで RDS ( on ) @ VGS = 2.5 V を最適化するように設計されています。RDS ( ON ) = 40 m Ω @ VGS = 4.5 V 、 ID = 5.0 A RDS ( ON ) = 50 m Ω @ VGS = 2.5 V 、 ID = 4.5 A 低プロファイル - 最大 0.8 mm 、新しいパッケージ： MicroFET 2x2 mm HBM ESD 保護レベル>： 2.5 kV (標準)(注記 3 ) ハロゲン化合物やアンチモン酸化物は含まれていません 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。

トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 15 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V dc。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 75 W。最小DC電流ゲイン = 20。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 70 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 kHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.53 x 4.83 x 15.75mm。15 A 、 80 V PNP バイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。2N6487 、 2N6488 ( NPN )、及び 2N6490 、 2N6491 ( PNP )は、コンプリメンタリデバイスです。DC 電流ゲインは 15 A に指定 --hFE = 20-150 @ IC = 5.0 ADC 、 hFE = 5.0 (最小) @ IC = 15 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 -- VCEO ( sus ) = 60 V dc (最小) - 2N6487 、 2N6490 、 VCEO ( sus ) = 80 V dc (最小) - 2N6488 、 2N6491 高電流ゲイン -- 帯域幅積フィート = 5.0 MHz (最小) @ IC = 1.0 ADC TO-220AB コンパクトパッケージ 鉛フリーパッケージを用意 用途 汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています