トランジスタ :「AB-3」の検索結果
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トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 100 V。パッケージタイプ = TO-220AB。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 40 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V。最大動作周波数 = 3 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。先頭にNSVの付いたメーカー品番は、AEC-Q101規格に準拠した車載製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ
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トランジスタタイプ = PNP。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = -100 V。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 65 W。最小DC電流ゲイン = 30。トランジスタ構成 = シングル。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。寸法 = 10.53 x 4.83 x 9.28mm。6 A 、 100 V PNP バイポーラパワートランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。BD243B 、 BD243C ( NPN )、 BD244B 、 BD244C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE (飽和) = 1.5 V dc (最大) @ IC = ADC コレクタエミッタ持続電圧 - VCEO ( sus ) = 80 V dc (最小) BD243B 、 BD244B VCEO ( us ) = 100 V dc (最小) - BD243C 、 BD244C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ 鉛フリーパッケージを用意
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トランジスタタイプ = NPN。最大DCコレクタ電流 = 3 A。最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V dc。パッケージタイプ = TO-220。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 40 W。最小DC電流ゲイン = 10。トランジスタ構成 = シングル。最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V dc。最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V dc。最大動作周波数 = 1 MHz。ピン数 = 3。1チップ当たりのエレメント数 = 1。動作温度 Max = +150 ℃mm。このバイポーラトランジスタは、汎用アンプ及びスイッチング用途で使用するように設計されています。TIP31 、 TIP31A 、 TIP31B 、 TIP31C 、( NPN )、 TIP32 、 TIP32A 、 TIP32B 、 TIP32C 、( PNP )は相補的な装置ですコレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE ( sat ) = 1.2 V dc (最大) @ IC = 3.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - VCEO (調査) = 60 V dc (最小) - TIP31A 、 TIP32A = 80 V dc (最小) - TIP31B 、 TIP32B = 100 V dc (最小) - TIP31C 、 TIP32C 高電流ゲイン帯域幅製品フィート = 3.0 MHz (最小) @ IC = 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ
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仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -60 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 40 W●最小DC電流ゲイン : 10●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 60 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 10.28×4.82×15.75mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor
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仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -100 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 2 W●最小DC電流ゲイン : 10●トランジスタ構成 : シングル●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 3 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPパワートランジスタ、ON Semiconductor
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仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大DCコレクタ電流 : -3 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : -90 V●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●最大パワー消費 : 40 W●最小DC電流ゲイン : 25●トランジスタ構成 : シングル●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●最大動作周波数 : 1 MHz●ピン数 : 3●1チップ当たりのエレメント数 : 1●寸法 : 10.53×4.83×15.75mm●汎用アンプ及びスイッチング用途向けに設計された 3 A 、 100 V PNP バイポーラパワートランジスタです。BD241C ( NPN )、 BD242B ( PNP )、 BD242C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE : 1.2 V dc (最大) @ IC : 3.0 ADC コレクタ - エミッタ持続電圧 - VCEO ( sus ) : 80 V dc (最小) BD242B : 100 V dc (最小) BD241C 、 BD242C 高電流ゲイン帯域幅製品 fT : 3.0 MHz (最小) @ IC : 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ 鉛フリーパッケージを用意
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