受動部品 :「AB3」の検索結果

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仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:61 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:58 nC @ 10 V シリーズUniFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)417000 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)200 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)41 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30 トランジスタ構成シングル
1個
559 税込615
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:17 A 高さ(mm)9.4 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプP 最大パワー消費(W)79 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)120 最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 , +25 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
1,898 税込2,088
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:27 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:33 nC @ 10 V シリーズQFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性Fairchild Semiconductor QFET(R) PチャンネルMOSFET. Fairchild Semiconductorの最新のQFET(R)プレーナ型MOSFETは、先進の独自技術を使用し、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、PDP(プラズマディスプレイパネル)、照明用バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途で、最高クラスの動作性能を実現します。 オン抵抗(RDS(on))を下げることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷(Qg)や出力容量(Coss)を下げることでス パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプP 最大パワー消費(mW)120000 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)70 最大ゲートしきい値電圧(V)4 最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 , +25 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
2,198 税込2,418
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:50 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:125 nC @ 20 V シリーズMegaFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。 パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)131 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)22 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1個
379 税込417
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:10.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:28 nC @ 10 V シリーズQFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲー パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)135000 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)400 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)530 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
949 税込1,044
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:75 A 幅(mm)4.7 高さ(mm)16.3 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)325 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)55 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
999 税込1,099
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:51 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:55 nC @ 10 V 高さ(mm)9.4 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこ パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)320000 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)250 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)60 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
2,298 税込2,528
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:0.3333333333 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲー パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)178000 材質(トランジスタ)Si チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)800 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.55 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30 トランジスタ構成シングル 最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
2,798 税込3,078
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:56A●標準ゲートチャージ @ Vgs:110 nC @ 20 V シリーズUltraFET ピン数(ピン)3 特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)200 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)25 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1個
439 税込483
7日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:75 A シリーズUltraFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)325 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)55 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
1,198 税込1,318
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:75 A ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)200000 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)55 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル 最大動作温度(℃)175 最小動作温度(℃)-55
1箱(5個)
1,598 税込1,758
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:0 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)60 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)100 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)200 最大ゲート-ソース間電圧(V)-10 , +10 トランジスタ構成シングル 最小動作温度(℃)-55
1個
239 税込263
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:70 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:120 nC @ 20 V ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。 パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)150 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)60 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル 最小動作温度(℃)-55
1個
419 税込461
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:5.5 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:21 nC @ 10 V シリーズQFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、最大5.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷 パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)158000 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)800 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2.5 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
2,198 税込2,418
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:3V●最大連続ドレイン電流:0.3333333333 長さ(mm)10.1 シリーズQFET ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、6 → 10.9 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲー パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール チャンネルタイプN 最大パワー消費(mW)205000 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)900 最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)1.4 最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 , +30 トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
3,798 税込4,178
5日以内出荷

仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:75 A 高さ(mm)16.3 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性UltraFET(R) MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET(R) Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、ス パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)270 チャンネルモードエンハンスメント型 最大ドレイン-ソース間電圧(V)80 最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)10 最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20 トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
979 税込1,077
5日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大連続コレクタ電流 : 8 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 200●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流 : 0.05mA●動作温度 Max : +150 ℃mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ●ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
239 税込263
5日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : NPN●最大連続コレクタ電流 : 10 A●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V●パッケージタイプ : TO-220AB●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 750●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 2.5 V●最大コレクタカットオフ電流 : 1mA●高さ : 9.28mm●先頭にS又はNSVの付いたメーカー型番は●AEC-Q101規格に準拠した自動車用製品です。. ON Semiconductor NPN パワートランジスタ RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
5,998 税込6,598
7日以内出荷

仕様最大連続コレクタ電流:120 A 寸法(mm)15.6×4.7×20.6 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性ディスクリートIGBT、Fairchild Semiconductor パッケージTO-247AB 実装タイプスルーホール 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)600 最大ゲート-エミッタ間電圧(V)±20 チャンネルタイプN 最大パワー消費(W)600 トランジスタ構成シングル 最小動作温度(℃)-55
1個
999 税込1,099
5日以内出荷

仕様最大連続コレクタ電流:0.3333333333 ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 特性先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ、ON Semiconductor パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数1 最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)100 最大エミッタ-ベース間電圧(V)5 最大コレクタカットオフ電流(mA)0.05 最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧(V)2.5 最大コレクタ-ベース間電圧(V)100 トランジスタ構成シングル トランジスタタイプPNP 最小DC電流ゲイン200 最小動作温度(℃)-65
1個
239 税込263
5日以内出荷

仕様●ダイオードタイプ:ショットキー●ダイオードテクノロジー:ショットキーバリア●整流タイプ:ショットキー整流器●最大連続 順方向電流:15A ピン数(ピン)3 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 パッケージTO-220AB 実装タイプスルーホール 1チップ当たりのエレメント数2 ピーク逆繰返し電圧(V)60 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)150
1箱(10個)
1,598 税込1,758
7日以内出荷

仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220AB●最大連続 順方向電流 : 16A●ピーク逆繰返し電圧 : 400V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : スイッチング●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 3●最大順方向降下電圧 : 1.3V●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 : 60ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 100A●メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
269 税込296
5日以内出荷

仕様●実装タイプ : スルーホール●パッケージタイプ : TO-220AB●最大連続 順方向電流 : 16A●ピーク逆繰返し電圧 : 600V●ダイオード構成 : コモンカソード●整流タイプ : スイッチング●ダイオードタイプ : 整流器●ピン数 : 3●最大順方向降下電圧 : 1.5V●1チップ当たりのエレメント数 : 2●ダイオードテクノロジー : シリコンジャンクション●ピーク逆回復時間 : 60ns●ピーク非繰返し順方向サージ電流 : 100A●メーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、10 A → 30 A、ON Semiconductor RoHS指令(10物質対応)対応
1個
399 税込439
5日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式スイッチング RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(mV)950 ピーク逆繰返し電圧(V)200 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100 最大連続順方向電流(A)3 ピーク逆回復時間(ns)20
1箱(10個)
729 税込802
5日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式汎用 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(V)1.2 ピーク逆繰返し電圧(V)400 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100 最大連続順方向電流(A)3 ピーク逆回復時間(μs)2.5
1セット(50個)
2,998 税込3,298
5日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式高電圧 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(V)1.2 ピーク逆繰返し電圧(V)1200 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100 最大連続順方向電流(A)3 ピーク逆回復時間(μs)2.5
1セット(50個)
3,298 税込3,628
5日以内出荷
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仕様ショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)ショットキー、(テクノロジー)ショットキーバリア、(構成)シングル 整流方式ショットキー整流器 RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(mV)750 ピーク逆繰返し電圧(V)60 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100 最大連続順方向電流(A)3
1箱(25個)
1,998 税込2,198
5日以内出荷

仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor ピン数(ピン)2 ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル 整流方式ファストリカバリー RoHS指令(10物質対応)10物質対応 実装タイプ表面実装 1チップ当たりのエレメント数1 最大順方向降下電圧(mV)950 ピーク逆繰返し電圧(V)50 ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)100 最大連続順方向電流(A)3 ピーク逆回復時間(ns)30
1セット(25個)
1,798 税込1,978
5日以内出荷

仕様●トランジスタタイプ : PNP●最大連続コレクタ電流 : 10 A (ピーク), 6 A (連続)●最大コレクタ- エミッタ間電圧 : 100 V dc●最大エミッタ-ベース間電圧 : 5 V dc●パッケージタイプ : TO-220●実装タイプ : スルーホール●ピン数 : 3●トランジスタ構成 : シングル●1チップ当たりのエレメント数 : 1●最小DC電流ゲイン : 15●最大コレクタ-ベース間電圧 : 100 V dc●最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 : 1.5 V dc●最大コレクタカットオフ電流 : 400μA●高さ : 15.75mm●このバイポーラトランジスタは●汎用パワーアンプ及びスイッチング用途向けに設計されています。TIP41 ● TIP41A ● TIP41B ● TIP41C ( NPN )●および TIP42 ● TIP42A ● TIP42B ● TIP42C ( PNP )はコンプリメンタリデバイスです。コレクタ - エミッタ飽和電圧 - VCE ( sat ) : 1.5 V (最大) @ IC : 6.0 ADC コレクタ - エミッタ維持電圧 - VCEO ( sus ) : 60 V dc (最小) - TIP41A ● TIP42A : 80 V dc (最小) - TIP41B ● TIP42B : 100 V dc (最小) - TIP41C ● TIP42C 高電流ゲイン帯域幅積: ft : 3 MHz (最小) @ IC : 500 mAdc コンパクトな TO-220 AB パッケージ 鉛フリーパッケージです RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(50個)
4,198 税込4,618
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