エコ商品
仕様オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
タイプ入力電流：DC
チャンネル数1
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール実装
標準上昇時間2μs
標準降下時間1.5μs
出力デバイストランジスタ
最大順方向電圧(V)1.5
最大入力電流(mA)60
絶縁電圧(V)7500 ac
1箱(25個)
￥1,398
税込￥1,538
5日以内出荷
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
直径(Φmm)1.53
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式小信号
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1
ピーク逆繰返し電圧(V)100
ピーク逆回復時間(ns)4
最大連続順方向電流(mA)300
実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トライアック。最大順方向電圧 = 1.5V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = DIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7500 V ac。論理出力 = あり。シリーズ = MOC。オプトカプラ、サイリスタ / トライアック出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
￥459
税込￥505
5日以内出荷
実装タイプ = スルーホール実装。出力デバイス = トランジスタ。最大順方向電圧 = 1.65V。チャンネル数 = 1。ピン数 = 6。パッケージタイプ = PDIP。入力電流タイプ = DC。最大入力電流 = 60 mA。絶縁電圧 = 7.5 kVrms。最大電流変換率 = 125%。最小電流伝送率 = 63%。シリーズ = CNY。オプトカプラ、トランジスタ出力、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
￥379
税込￥417
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.2
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)65
最大ゲートしきい値電圧(V)1
最小ゲートしきい値電圧(V)0.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8、 +8
トランジスタ構成シングル
標準ゲートチャージ7 nC @ 4.5 V
最大パワー消費500 mW
1箱(10個)
￥699
税込￥769
5日以内出荷
仕様プッシュオン端子付きブリッジ整流器、GBPC 12シリーズ、Fairchild Semiconductor. 高電流: 12 A 熱抵抗が非常に低い一体成形ヒートシンクで放熱を最大化 サージ過負荷定格: 300 A ケースからリードへの絶縁電圧: 2500 V以上 UL認定: UL #E258596
幅(mm)29
寸法(mm)29×29×11.23
ピン数(ピン)4
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
回路構成シングル
パッケージGBPC
実装タイプスクリュー マウント
ピーク平均順方向電流(A)12
ピーク逆繰返し電圧(V)400
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)300
ピーク逆電流(μA)500
ピーク順方向電圧(V)1.1
最大動作温度(℃)150
最小動作温度(℃)-55
1箱(2個)
￥1,598
税込￥1,758
5日以内出荷
仕様小信号NPNトランジスタ、60 → 100 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)60
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)120
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(A)1
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン135， 200
最大動作周波数(MHz)160
最大パワー消費750 mW
1箱(10個)
￥359
税込￥395
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)53
最大逆漏れ電流(μA)10
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)8
1箱(100個)
￥899
税込￥989
翌々日出荷
仕様整流ダイオード、2 A → 9 A、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
整流方式汎用
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)1.15
ピーク逆繰返し電圧(V)400
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)50
最大連続順方向電流(A)2
ピーク逆回復時間(μs)2
1セット(50個)
￥1,898
税込￥2,088
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、60 → 160 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-60
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-800
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン100
最大パワー消費625 mW
1箱(10個)
￥259
税込￥285
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大パワー消費(mW)625
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)60
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)200
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
1箱(50個)
￥999
税込￥1,099
当日出荷
仕様●入力電流タイプ：DC●最大電流変換率：6
チャンネル数2
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
パッケージSMT
実装タイプ表面実装
標準上昇時間2.4μs
標準降下時間2.4μs
出力デバイスフォトトランジスタ
最大順方向電圧(V)1.3
最大入力電流(mA)10
絶縁電圧(kVrms)5
1箱(10個)
￥1,398
税込￥1,538
欠品中
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
高さ(mm)1.2
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)350
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)300
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4.8
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
1箱(100個)
￥1,198
税込￥1,318
7日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)14
最大逆漏れ電流(μA)5
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)20
1箱(100個)
￥889
税込￥978
5日以内出荷
仕様●ロジックタイプ ： NAND●入力タイプ ： シュミットトリガ●1チップ当たりのエレメント数 ： 4●シュミットトリガ入力 ： あり●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 190ns●高レベル出力電流 Max ： -25mA●低レベル出力電流 Max ： 25mA●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 14●寸法 ： 8.75 x 4 x 1.5mm●高さ ： 1.5mm●幅 ： 4mm●高性能シリコンゲート CMOS 。MC74HC132A は● LS132 とピン配列が同じです。デバイス入力は●標準 CMOS 出力と互換性があり●プルアップ抵抗器を備え● LSTTL 出力と互換性があります。HC2A を使用して●ノイズ耐性を強化したり●波形をゆっくり変化させたりすることができます。出力駆動能力： 10 LSTTL 負荷 CMOS ● NMOS ● TTL との直接インターフェイスで出力 動作電圧範囲： 2.0 ～ 6.0V 低入力電流： 1.0 mA 高ノイズ耐性 CMOS デバイスの特性 チップの複雑さ： 72 FET または 18 相当の Gates
RoHS指令(10物質対応)対応
1セット(55個)
￥2,998
税込￥3,298
7日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：1V●最大連続ドレイン電流：57 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：37 nC @ 10 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性自動車用NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
パッケージDPAK (TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)44
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 ， +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
￥899
税込￥989
7日以内出荷
仕様●74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS、入力タイプ：シュミットトリガ●シュミットトリガ入力：あり●論理回路：HC
幅(mm)4
寸法(mm)8.75×4×1.5
タイプロジック：インバータ
出力電流(mA)低レベル：(Max)5.2、高レベル：(Max)-5.2
ピン数(ピン)14
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Max)6
1チップ当たりのエレメント数6
最大伝播遅延時間@最大CL125 ns @ 2 V、 21 ns @ 6 V、 25 ns @ 4.5 V
1箱(10個)
￥749
税込￥824
5日以内出荷
仕様小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild Semiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)-40
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)40
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)-600
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン100
最大パワー消費625 mW
仕様●最低ゲートしきい値電圧：2V●最大連続ドレイン電流：70 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：85 nC @ 10 V
シリーズQFET
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性QFET(R) NチャンネルMOSFET、31 A超、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(
パッケージTO-3PN
実装タイプスルーホール
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)214000
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)23
最大ゲート-ソース間電圧(V)-25 ， +25
トランジスタ構成シングル
1個
￥539
税込￥593
5日以内出荷
仕様●ダイオードタイプ：整流器●ダイオードテクノロジー：シリコンジャンクション●ダイオード構成：シングル●整流タイプ：スイッチング●最大連続 順方向電流：15A
ピン数(ピン)2
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性整流ダイオード、10 A → 80 A、Fairchild Semiconductor
パッケージTO-220AC
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大順方向降下電圧(V)3.2
ピーク逆繰返し電圧(V)1200
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)200
ピーク逆回復時間(ns)75
1個
￥349
税込￥384
5日以内出荷
仕様強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)-55 (Min)
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
チャンネルタイプN
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)500
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)5
最大ゲートしきい値電圧(V)3
最小ゲートしきい値電圧(V)0.8
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、 +20
トランジスタ構成シングル
最大パワー消費830 mW
1箱(10個)
￥329
税込￥362
5日以内出荷
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)40
最大エミッタ-ベース間電圧(V)6
最大コレクタ-ベース間電圧(V)75
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)600
トランジスタタイプNPN
最小DC電流ゲイン100
最大パワー消費625 mW
仕様小信号スイッチングダイオード、ON Semiconductor
長さ(mm)1.3
幅(mm)0.9
高さ(mm)0.7
寸法1.3 x 0.9 x 0.7mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(テクノロジー)シリコンジャンクション、(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
1チップ当たりのエレメント数1
最大ダイオードキャパシタンス(pF)4
最大逆電圧(V)75
仕様onsemi 小信号NPNトランジスタ 40 → 50 V
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)45
最大エミッタ-ベース間電圧(V)5
トランジスタ構成シングル
最大DCコレクタ電流(mA)800
トランジスタタイプNPN
最大動作周波数(MHz)100
最大パワー消費625 mW
直径(Φmm)1.91
ピン数(ピン)2
ダイオード(タイプ)整流器、(構成)シングル
整流方式小信号
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
1チップ当たりのエレメント数1
ピーク逆繰返し電圧(V)150
ピーク非繰返し順方向サージ電流(A)4
ピーク逆回復時間(μs)3
最大連続順方向電流(mA)200
1箱(50個)
￥939
税込￥1,033
7日以内出荷
仕様ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法1.91 (Dia.) x 4.56mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Min)-65
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
テスト電流(mA)20
最大逆漏れ電流(μA)1
最大パワー消費(mW)500
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)30
仕様ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor
寸法2.72 (Dia.) x 5.2mm
ピン数(ピン)2
ダイオード(構成)シングル
動作温度(℃)(Max)+200
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプスルーホール
最大パワー消費(W)1
テスト電流(mA)7.5
最大逆漏れ電流(μA)5
ツェナータイプ汎用
ツェナー電圧許容性(%)5
最大ツェナーインピーダンス(Ω)45
仕様オン抵抗：0.125Ω、統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor
寸法(mm)3×1.7×1
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Max)20
パワーレーティング(W)0.7
電源スイッチの種類内蔵負荷
動作電流(A)最大1.8
1箱(20個)
￥2,998
税込￥3,298
5日以内出荷
仕様AC/ACT244 は、メモリアドレスドライバ、クロックドライバ、バス指向トランスミッタ / レシーバとして使用されるように設計されたオクタルバッファ / ラインドライバで、基板密度を改善します。ICC と IOZ は 50% 削減されました 3-STATE はドライブバスラインまたはバッファメモリアドレスレジスタを出力する 出力ソース / シンク： 24 mA ACT244 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。、伝播遅延テスト条件：50pF、論理回路
寸法(mm)6.6×4.5×1.05
ピン数(ピン)20
動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Min)2
1チップ当たりのエレメント数2
低レベル出力電流(mA)(Max)24
高レベル出力電流(mA)(Max)-24
最大伝播遅延時間@最大CL10 ns @ 50 pF
1箱(25個)
￥4,298
税込￥4,728
7日以内出荷
仕様●伝播遅延テスト条件：45pF●論理回路：HC
タイプロジック：バッファ
ピン数(ピン)14
動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Min)2
1チップ当たりのエレメント数1
低レベル出力電流(mA)(Max)7.8
高レベル出力電流(mA)(Max)7.8
最大伝播遅延時間@最大CL18 ns @ 45 pF
1箱(25個)
￥1,398
税込￥1,538
7日以内出荷
仕様●伝播遅延テスト条件：15pF●低レベル出力電流 Max：24mA●論理回路：FXL
寸法(mm)2.1×1.6×0.5
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Max)3.6、(Min) 1.1
1チップ当たりのエレメント数1
高レベル出力電流(mA)-24
最大動作温度(℃)85
最小動作温度(℃)-40
出力タイプ3ステート
1箱(5個)
￥469
税込￥516
5日以内出荷
仕様AC/ACT244 は、メモリアドレスドライバ、クロックドライバ、バス指向トランスミッタ / レシーバとして使用されるように設計されたオクタルバッファ / ラインドライバで、基板密度を改善します。ICC と IOZ は 50% 削減されました 3-STATE はドライブバスラインまたはバッファメモリアドレスレジスタを出力する 出力ソース / シンク： 24 mA ACT244 は TTL 互換入力を備えています 用途 この製品は汎用で、さまざまな用途に適しています。、伝播遅延テスト条件：50pF、論理回路
タイプロジック：バッファ
動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)2 → 6
低レベル出力電流(mA)(Max)24
高レベル出力電流(mA)(Max)-24
出力タイプ3ステート
1箱(25個)
￥2,998
税込￥3,298
7日以内出荷
仕様統合型ロードスイッチ、Fairchild Semiconductor
寸法(mm)3×1.7×1
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)(Min)-55 、(Max)+150
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Max)8
パワーレーティング(W)0.7
電源スイッチの種類内蔵負荷
動作電流(A)最大2.5
1セット(20個)
￥2,898
税込￥3,188
5日以内出荷
仕様●伝播遅延テスト条件：50pF●伝送：CMOS●論理回路：LCX
寸法(mm)6.6×4.5×1.05
動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)2 → 3.6
低レベル出力電流(mA)(Max)24
高レベル出力電流(mA)(Max)-24
出力タイプ3ステート
1箱(25個)
￥2,498
税込￥2,748
7日以内出荷
仕様●電圧レベルトランスレータ、Fairchild Semiconductor●伝播遅延テスト条件：30pF●論理回路：FXLP
タイプロジック：バッファ
出力電流(mA)低レベル：(Max)2.6、高レベル：(Max)-2.6
ピン数(ピン)5
動作温度(℃)(Min)-40、(Max)+85
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Min)1 、(Max)3.6
1箱(10個)
￥399
税込￥439
5日以内出荷
仕様LVTH125 は、 3 ステート出力の 4 つの独立した非反転バッファを備えています。このバッファは低電圧( 3.3 V ) VCC 用途向けに設計されていますが、 5 V 環境への TTL インターフェイスを提供する機能を備えています。LVTH125 は、 Advanced BiCMOS 技術を使用して製造されており、低消費電力を維持しながら、 5 V ABT と同様の高速動作を実現しています。5 V VCC のシステムに入力及び出力インターフェイス機能を提供します バスホールドデータ入力により、未使
タイプロジック：バッファ
ピン数(ピン)14
動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Min)2.7
1チップ当たりのエレメント数1
低レベル出力電流(mA)(Max)64
高レベル出力電流(mA)(Max)-32
最大伝播遅延時間@最大CL4.9 ns @ 50 pF
1箱(25個)
￥3,698
税込￥4,068
7日以内出荷
仕様●3dBバンド幅：115MHz●アレイ構成：12 X 9●標準シングル供給電圧：5 V
長さ(mm)9.7
寸法(mm)9.7×4.4×0.9
高さ(mm)0.9
ピン数(ピン)28
電源タイプ単一電源
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性ビデオスイッチ、Fairchild Semiconductor
パッケージTSSOP
実装タイプ表面実装
カテゴリービデオ
最大動作温度(℃)85
最小動作温度(℃)-40
1箱(2個)
￥849
税込￥934
5日以内出荷
仕様●伝播遅延テスト条件：50pF●論理回路：ACT
寸法(mm)13×7.6×2.35
ピン数(ピン)20
動作温度(℃)(Min)-40 、(Max)+85
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
実装タイプ表面実装
動作供給電圧(V)(Min)4.5
低レベル出力電流(mA)(Max)24
高レベル出力電流(mA)(Max)24
最大伝播遅延時間@最大CL10 ns @ 50 pF
1箱(25個)
￥2,298
税込￥2,528
7日以内出荷
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