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onsemi ESD保護アレイ， 単方向， 表面実装， 10V， ESD7104MUTAGonsemi￥93,980税込￥103,378
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最大クランピング電圧 ： 10V●最小ブレークダウン電圧 ： 5.5V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： U-DFN2510●最大逆スタンドオフ電圧 ： 5V●ピン数 ： 10●最大ピークパルス電流 ： 1A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 5●動作温度 Min ： -55 ℃●寸法 ： 2.5 x 1 x 0.5mm●長さ ： 2.5mm●低静電容量ESD保護アレイRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード， 表面実装， ESD7004MUTAGonsemi￥239税込￥263
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +125 ℃mm●長さ ： 2.5mm●ESDプロテクタ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 9V， ESD9L3.3ST5Gonsemi￥93,980税込￥103,378
1セット(8000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最大クランピング電圧 ： 9V●最小ブレークダウン電圧 ： 4.8V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOD-923●最大逆スタンドオフ電圧 ： 3.3V●ピン数 ： 2●ピークパルスパワー消費 ： 0.15W●最大ピークパルス電流 ： 1A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●最大逆漏れ電流 ： 1μA●ESDプロテクタ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ESD保護ダイオード， 双方向， 表面実装， NUF2114MNT1Gonsemi￥199,800税込￥219,780
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 双方向●最小ブレークダウン電圧 ： 13.7V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： DFN8●最大逆スタンドオフ電圧 ： 12V●ピン数 ： 8●ピークパルスパワー消費 ： 0.36W●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 4●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +85 ℃mm●高さ ： 0.95mm●ESD保護付きEMIフィルタ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ESD保護アレイ， 単方向， 表面実装， 44V， SMS24CT1Gonsemi￥1,298税込￥1,428
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最大クランピング電圧 ： 44V●最小ブレークダウン電圧 ： 26.7V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： TSOP●ピン数 ： 6●ピークパルスパワー消費 ： 350W●最大ピークパルス電流 ： 24A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 5●動作温度 Min ： -40 ℃●寸法 ： 3.1 x 1.7 x 1mm●高さ ： 1mm●この 5 ライン電圧サージアレイは● ESD 及びサージ保護機能を必要とする用途向けに設計されています。コンピュータ●プリンタ●車載電子機器●ネットワーキング通信●その他の用途などの過過渡電圧及び ESD の影響を受けやすい機器での使用を想定しています。このデバイスは●単一の SC-74 パッケージで 5 つの独立したラインを保護する●モノリシックのコモンカソード設計を備えています。1 つの SC-74 パッケージで最大 5 ラインを保護します Peak Power 損失： 350 W ( 8 x 20 秒波形) 用途 ハンドヘルド携帯型機器 ネットワーキングとテレコム 車載電子部品 シリアルポートとパラレルポート ノートブック●デスクトップ●サーバーRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ESD保護アレイ， 単方向， 表面実装， 12.5V， SMF05CT2Gonsemi￥989税込￥1,088
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最大クランピング電圧 ： 12.5V●最小ブレークダウン電圧 ： 6.2V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SC-88●ピン数 ： 6●ピークパルスパワー消費 ： 100W●最大ピークパルス電流 ： 8A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 5●動作温度 Min ： -40 ℃●動作温度 Max ： +125 ℃mm●高さ ： 1mm●この 5 ラインサージサプレッサアレイは● ESD 及びサージ保護機能を必要とする用途向けに設計されています。コンピュータ●プリンタ●車載電子機器●ネットワーキング通信●その他の用途などの過過渡電圧及び ESD の影響を受けやすい機器での使用を想定しています。このデバイスは●単一の SC-88 パッケージで 5 つの独立したラインを保護するモノリシックのコモンカソード設計を備えています。1 つの SC-88 パッケージで最大 5 ラインを保護します Peak Power hus-100W ( 8x20 μ 波形 PPAP対応 品番の先頭が「 SZ 」の場合は●固有のサイトや制御変更の要件を必要とする車載用途やその他の用途向けです 用途 ハンドヘルド携帯型ポータブル機器 ネットワーキングとテレコム 自動車用電子部品 シリアルポートとパラレルポート ノートブック●デスクトップ●およびサーバーRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ESD保護アレイ， 単方向， 表面実装， 9V， NUP4114UCW1T2Gonsemi￥47,980税込￥52,778
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最大クランピング電圧 ： 9V●最小ブレークダウン電圧 ： 5.5V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-363 (SC-88)●最大逆スタンドオフ電圧 ： 5.5V●ピン数 ： 6●最大ピークパルス電流 ： 12A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 4●動作温度 Min ： -40 ℃●寸法 ： 2.2 x 1.35 x 1mm●高さ ： 1mm●過渡電圧サプレッサ●ESD保護用●低クランプ電圧RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ESD保護ダイオード， 単方向， 表面実装， 10.1V， NZL5V6AXV3T1Gonsemi￥1,498税込￥1,648
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最大クランピング電圧 ： 10.1V●最小ブレークダウン電圧 ： 5.32V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-523 (SC-89)●最大逆スタンドオフ電圧 ： 3V●ピン数 ： 3●ピークパルスパワー消費 ： 50W●最大ピークパルス電流 ： 4.8A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ ： 1.7mm●低静電容量ESD保護アレイRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi ツェナーダイオード 15V スルーホール 1 Wonsemi￥449税込￥494
1箱(20個)
5日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格寸法(mm)5.21×2.72×2.72ピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Min)-65RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)15最大逆漏れ電流(nA)500ツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)15
onsemi ロジックゲート， NOR， 表面実装， 2-入力， NC7S02M5Xonsemi￥229税込￥252
1箱(10個)
5日以内出荷
仕様●TinyLogic HS、Fairchild Semiconductor. アドバンスド高速及び低電力CMOSロジック 動作電圧: 2.0 → 6.0 ESD保護ダイオード●シュミットトリガ入力：なし●論理回路：TinyLogic HS幅(mm)1.7タイプロジック：NOR出力電流(mA)低レベル：(Max)2.6、高レベル：(Max)-2.6ピン数(ピン)5RoHS指令(10物質対応)対応実装タイプ表面実装動作供給電圧(V)(Min)2 、(Max)6エレメント数1ゲートあたりの入力数2
onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 39 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピンonsemi￥1,698税込￥1,868
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：39 A幅(mm)4.9シリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)37チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)66最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi ツェナーダイオード 12V スルーホール 1 Wonsemi￥999税込￥1,099
1箱(100個)
5日以内出荷から6日以内出荷
仕様ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild Semiconductor. ON Semiconductor BZX85 シリーズは、優れた動作特性と厳密な制限を備えた 1 W ゼネアダイオードシリーズです。酸化シリコン不動態化ジャンクションの優れた機能を反映しています。これらのダイオードは、シール構造のガラスパッケージを使用したアキシャルリード型で、一般的なあらゆる環境条件で保護を提供します。. 特長. - ツェナー電圧範囲： 3.3 → 85 V - クラス 3 の ESD 定格寸法2.72 (Dia.) x 5.2mmピン数(ピン)2ダイオード(構成)シングル動作温度(℃)(Max)+200RoHS指令(10物質対応)対応1チップ当たりのエレメント数1最大パワー消費(W)1テスト電流(mA)20最大逆漏れ電流(nA)500ツェナータイプ電圧レギュレータツェナー電圧許容性(%)5最大ツェナーインピーダンス(Ω)9
onsemi Nチャンネル MOSFET650 V 15 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピンonsemi￥469税込￥516
1個
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：15 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：48.5 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)38.5チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)650最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)440最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET250 V 44 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi￥889税込￥978
1箱(2個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：44 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：47 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)307チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)250最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)69トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET200 V 61 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンonsemi￥239税込￥263
1個
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：61 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：58 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)417000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)200最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)41最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET400 V 23 A スルーホール パッケージTO-3PN 3 ピンonsemi￥2,798税込￥3,078
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：23 AシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-3PN実装タイプスルーホール1チップ当たりのエレメント数1チャンネルタイプN最大パワー消費(W)235チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)400最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)190最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET250 V 51 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピンonsemi￥1,998税込￥2,198
1箱(5個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：51 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：55 nC @ 10 V高さ(mm)9.4ピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220AB実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(mW)320000チャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)250最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)60最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET500 V 18 A スルーホール パッケージTO-220F 3 ピンonsemi￥459税込￥505
1個
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：18 AシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプN最大パワー消費(W)38.5材質(トランジスタ)Siチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)500最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)265最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi Nチャンネル MOSFET300 V 28 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピンonsemi￥659税込￥725
1箱(2個)
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧：3V●最大連続ドレイン電流：28 A●標準ゲートチャージ @ Vgs：39 nC @ 10 VシリーズUniFETピン数(ピン)3RoHS指令(10物質対応)対応特性UniFET(TM) NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFET(TM) MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-II(TM) MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えるこパッケージD2PAK (TO-263)実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)250Wチャンネルモードエンハンスメント型最大ドレイン-ソース間電圧(V)300最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)129最大ゲート-ソース間電圧(V)-30 ， +30トランジスタ構成シングル
onsemi TVSダイオードアレイ， 単方向， 表面実装， 10V， NUP2114UCMR6T1Gonsemi￥75,980税込￥83,578
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最大クランピング電圧 ： 10V●最小ブレークダウン電圧 ： 5.5V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： TSOP●最大逆スタンドオフ電圧 ： 5V●ピン数 ： 6●最大ピークパルス電流 ： 12A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 3●動作温度 Min ： -40 ℃●寸法 ： 3.1 x 1.7 x 1mm●高さ ： 1mm●ESDプロテクタ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード， 単方向， 表面実装， SMS05T1Gonsemi￥56,980税込￥62,678
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最小ブレークダウン電圧 ： 6V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SC-74●最大逆スタンドオフ電圧 ： 15.5V●ピン数 ： 6●ピークパルスパワー消費 ： 350W●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 4●動作温度 Min ： -55 ℃●寸法 ： 3.1 x 1.7 x 1mm●長さ ： 3.1mm●350 W過渡電圧サプレッサダイオードアレイ●ESD保護用RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 25V， SD12T1Gonsemi￥1,398税込￥1,538
1袋(50個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最大クランピング電圧 ： 25V●最小ブレークダウン電圧 ： 13.3V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOD-323●最大逆スタンドオフ電圧 ： 12V●ピン数 ： 2●ピークパルスパワー消費 ： 350W●最大ピークパルス電流 ： 15A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ ： 1.8mm●350 W過渡電圧サプレッサダイオード●ESD保護用RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 60V， SM36T1Gonsemi￥1,998税込￥2,198
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： コモンアノード●最大クランピング電圧 ： 60V●最小ブレークダウン電圧 ： 40V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-23●最大逆スタンドオフ電圧 ： 36V●ピン数 ： 3●ピークパルスパワー消費 ： 300W●最大ピークパルス電流 ： 4A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ ： 3.04mm●ESDプロテクタ●ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi Nチャンネル MOSFET20 V 915 mA 表面実装 パッケージSOT-523 (SC-89) 3 ピンonsemi￥33,980税込￥37,378
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 915 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 20 V●パッケージタイプ ： SOT-523 (SC-89)●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 950 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1.1V●最低ゲートしきい値電圧 ： 0.45V●最大パワー消費 ： 300 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： ±6 V●幅 ： 0.95mm●高さ ： 0.8mm●20 V 915mA 小信号 MOSFET 230 m Ω ●シングル N チャンネル SC-89 ● ESD 保護機能付き低 RDS ( on )により●システム効率が向上します 低しきい値電圧● 1.5 V 定格 ESD保護ゲート 用途: 負荷 / 電源スイッチ 電源変換回路 バッテリマネージメント 携帯電話● PDA ●デジタルカメラ●ポケットベルなどの携帯機器RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 66V， NUP3105LT1Gonsemi￥1,098税込￥1,208
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ 双方向●最大クランピング電圧 66V●最小ブレークダウン電圧 35.6V●実装タイプ 表面実装●パッケージタイプ SOT-23●ピン数 3●ピークパルスパワー消費 350W●最大ピークパルス電流 8A●ESD保護 あり●1チップ当たりのエレメント数 1●動作温度 Min -55 ℃●動作温度 Max +150 ℃mm●静電容量 30pF●NUP2105L●NUP3105LデュアルラインCAN保護機能. ON Semiconductor NUP2105L NUP3105L デュアルライン CAN バスプロテクタは●高速ネットワーク及びフォルトトレラントネットワークの CAN トランシーバを● ESD やその他の有害な過渡事象から保護するように設計されています。コンパクトな SOT-23 パッケージを搭載し●システムの信頼性を高め●厳しい EMI 要件を満たしているため●各データラインに対して双方向の保護を提供します。. 特長. Peak Power Dh損失 ：ラインあたり 3350 低い逆漏洩電流( 100 nA 低静電容量高速 CAN データレート IEC対応: IEC61000-4-2 (ESD): レベル4 IEC61000-4-4 (EFT): 40A 5/50 ns (NUP3105Lは50 - 5/50 ns) IEC 61000-4-5 照明 )8A (8 20 s) 難燃性等級： UL94 V-0 品番の先頭が「 SZ 」の場合は●固有の製品を必要とする車載用途やその他 サイトと制御の変更要件： AEC-Q101 認定済み PPAP対応. 用途. SDS Smart Distribution Systems - 産業用制御ネットワーク 車載用ネットワーク ハイおよびロースピード CAN フォルトトレラント CANRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード， 双方向， 表面実装， 44V， NUP2105LT1Gonsemi￥42,980税込￥47,278
1セット(3000個)
7日以内出荷
仕様●ダイオード構成 ： シリーズ●最大クランピング電圧 ： 44V●最小ブレークダウン電圧 ： 26.2V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-23●最大逆スタンドオフ電圧 ： 24V●ピン数 ： 3●ピークパルスパワー消費 ： 350W●最大ピークパルス電流 ： 8A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●動作温度 Min ： -55 ℃●動作温度 Max ： +150 ℃mm●長さ ： 2.9mm●NUP2105L●NUP3105LデュアルラインCAN保護機能. ON Semiconductor NUP2105L / NUP3105L デュアルライン CAN バスプロテクタは●高速ネットワーク及びフォルトトレラントネットワークの CAN トランシーバを● ESD やその他の有害な過渡事象から保護するように設計されています。コンパクトな SOT-23 パッケージを搭載し●システムの信頼性を高め●厳しい EMI 要件を満たしているため●各データラインに対して双方向の保護を提供します。. 特長. Peak Power Dh損失 ：ラインあたり 3350 W 低い逆漏洩電流( ； 100 nA ) 低静電容量高速 CAN データレート IEC対応: IEC61000-4-2 (ESD): レベル4 IEC61000-4-4 (EFT): 40 A-5/50 ns (NUP3105Lは50 A - 5/50 ns) IEC 61000-4-5 ( 照明 )8A (8 / 20 μ s) 難燃性等級： UL94 V-0 品番の先頭が「 SZ 」の場合は●固有の製品を必要とする車載用途やその他 サイトと制御の変更要件： AEC-Q101 認定済み PPAP対応. 用途. - SDS ( Smart Distribution Systems ) - 産業用制御ネットワーク 車載用ネットワーク - ハイおよびロースピード CAN - フォルトトレラント CANRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi TVSダイオード， 単方向， 表面実装， 9.8V， SM05T1Gonsemi￥1,298税込￥1,428
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様●方向性タイプ ： 単方向●最大クランピング電圧 ： 9.8V●最小ブレークダウン電圧 ： 6.2V●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-23●ピン数 ： 3●ピークパルスパワー消費 ： 300W●最大ピークパルス電流 ： 17A●ESD保護 ： あり●1チップ当たりのエレメント数 ： 2●動作温度 Min ： -55 ℃●寸法 ： 3.04 x 1.4 x 1.01mm●高さ ： 1.01mmRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi 整流ダイオード， アレイ， 200mA， 30V 表面実装， 6-Pin TSOP ショットキーダイオード 1Vonsemi￥699税込￥769
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： TSOP●最大連続 順方向電流 ： 200mA●ピーク逆繰返し電圧 ： 30V●ダイオード構成 ： アレイ●整流タイプ ： ショットキーダイオード●ダイオードタイプ ： ショットキー●ピン数 ： 6●最大順方向降下電圧 ： 1V●1チップ当たりのエレメント数 ： 8●ダイオードテクノロジー ： ショットキーダイオード●ピーク逆回復時間 ： 5ns●ESDプロテクタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi オペアンプ， 表面実装， 2回路， 単一電源， NCV2904DR2Gonsemi￥599税込￥659
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●電源タイプ ： 単一電源●回路数 ： 2●ピン数 ： 8●標準シングル供給電圧 ： 3 → 32 V●動作温度 Min ： -40 ℃●レール to レール ： No●長さ ： 5mm●LM258●LM358●LM2904●NCV2904●シングル電源●デュアルオペアンプ●ON Semiconductor. ON Semiconductor のデュアルオペアンプシリーズは鮮やかです。真の差動入力を備え● 3 → 32 V のシングル供給電圧で動作できます。このオペアンプには●静止電流( MC1741 の 5 分の 1 )など●他のシングルオペアンプと比べて多くの利点があります。ESD クランプは●すべての入力ピンにも取り付けられます。 コモンモード入力範囲に負電源が含まれているため●他の用途でコンポーネントのバイアスが不要になります。出力電圧には●負の電源電圧が含まれます。. 特長と利点:. シングル電源動作： 3V ～ 32V コモンモード範囲は負電源まで拡張されます シングルおよびスプリット電源動作 低入力バイアス電流 内部補償 真の差動入力段 入力に ESD クランプを装備. 用途:. インテグレータ コンパレータ 電圧クランプ 電流レギュレータ リニア電圧レギュレータRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi オペアンプ， 表面実装， 2回路， 単一電源， LM358ADR2Gonsemi￥42,980税込￥47,278
1セット(2500個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●電源タイプ ： 単一電源●回路数 ： 2●ピン数 ： 8●標準シングル供給電圧 ： 3 → 32 V●標準ゲイン帯域幅積 ： 1MHz●標準スルーレート ： 0.6V/μs●最大動作周波数 ： 20 kHz●動作温度 Min ： 0 ℃●標準電圧ゲイン ： 100 dB●長さ ： 5mm●LM258●LM358●LM2904●NCV2904●シングル電源●デュアルオペアンプ●ON Semiconductor. ON Semiconductor のデュアルオペアンプシリーズは鮮やかです。真の差動入力を備え● 3 → 32 V のシングル供給電圧で動作できます。このオペアンプには●静止電流( MC1741 の 5 分の 1 )など●他のシングルオペアンプと比べて多くの利点があります。ESD クランプは●すべての入力ピンにも取り付けられます。 コモンモード入力範囲に負電源が含まれているため●他の用途でコンポーネントのバイアスが不要になります。出力電圧には●負の電源電圧が含まれます。. 特長と利点:. シングル電源動作： 3V ～ 32V コモンモード範囲は負電源まで拡張されます シングルおよびスプリット電源動作 低入力バイアス電流 内部補償 真の差動入力段 入力に ESD クランプを装備. 用途:. インテグレータ コンパレータ 電圧クランプ 電流レギュレータ リニア電圧レギュレータRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi オペアンプ， 表面実装， 2回路， デュアル電源， MC33178DR2Gonsemi￥749税込￥824
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●電源タイプ ： デュアル電源●回路数 ： 2●ピン数 ： 8●標準ゲイン帯域幅積 ： 5MHz●標準デュアル供給電圧 ： ±2 → ±18V●標準スルーレート ： 2V/μs●最大動作周波数 ： 100 kHz●動作温度 Min ： -40 ℃●標準電圧ゲイン ： 106 dB●高さ ： 1.5mm●MC33178●MC33179●低消費電力●低ノイズオペアンプ●ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC33178/9シリーズのオペアンプは●バイポーラテクノロジーを使用する高品質のオーディオとデータ信号処理用途向けの製品です。 高周波数PNP入力トランジスタを使用して●低入力オフセット電圧●低ノイズ●及び低歪みを実現しています。 また●アンプ1つあたりわずか420 μAのドレイン電流で高出力電流駆動能力を発揮します。 デュアルバージョンとクワッドバージョンがあり●DIP及びSOICパッケージで提供されます。. 600 W出力駆動能力 大出力電圧スイング 低オフセット電圧: 0.15 mV (平均) 低全高調波歪み: 0.0024 % (@ 1 kHz●600 W負荷) 高ゲイン帯域幅: 5 MHz 高スルーレート: 2 V/μs デュアル電源動作: ±2 → ±18 V 入力にESDクランプ付きRoHS指令(10物質対応)対応
onsemi インバータ ヘキサインバータ / バッファ シングルエンド MC14049BDR2Gonsemi￥1,498税込￥1,648
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様●ロジックタイプ ： ヘキサインバータ / バッファ●入力タイプ ： シングルエンド●出力タイプ ： シングルエンド●1チップ当たりのエレメント数 ： 1●最大伝播遅延時間 @ 最大 CL ： 140ns●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●ピン数 ： 16●寸法 ： 10 x 4 x 1.5mm●動作供給電圧 Max ： 18 Vmm●幅 ： 4mm●MC14049B ヘキサインバータ / バッファおよび MC14050B 非反転ヘキサバッファは●単一モノリシック構造の MOS P チャネルおよび N チャネル拡張モードデバイスで構成されます。これらの補完的な MOS デバイスは●低消費電力や高ノイズ耐性が求められる場合に●主に使用されます。これらのデバイスは● 1 つの電源電圧 VDD のみを使用してロジックレベル変換を行います。 入力信号の高レベル (VIH) は●ロジックレベル変換用の VDD 供給電圧を超えることができます。デバイスを CMOS から TTL/DTL へのコンバータとして使用する場合● 2 つの TTL/DTL 負荷を駆動でき<>ます (VDD ： 5.0V ● VOL ： 0.4V ● IOL ： 3.2mA) 。ソースおよびシンク電流が高い 高レベルから低レベルへのコンバータ 供給電圧範囲 ： 3.0V ～ 18V すべての入力の ESD 保護を強化RoHS指令(10物質対応)対応
onsemi オペアンプ， 表面実装， 4回路， デュアル電源， MC33079DR2Gonsemi￥389税込￥428
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOIC●電源タイプ ： デュアル電源●回路数 ： 4●ピン数 ： 14●標準ゲイン帯域幅積 ： 16MHz●標準デュアル供給電圧 ： ±5 → ±18V●標準スルーレート ： 7V/μs●最大動作周波数 ： 100 kHz●動作温度 Max ： +85 ℃●レール to レール ： No●標準入力電圧ノイズ密度 ： 4.5nV/√Hz●MC33078●MC33079●低ノイズデュアル / クワッドオペアンプ●ON Semiconductor. MC33078/9シリーズは●モノリシックオペアンプのファミリです。バイポーラテクノロジーを採用し●オーディオ及びデータ信号処理用途に適しています。 高周波数PNP入力トランジスタを使用して●低入力電圧ノイズ●高ゲイン帯域幅積●高スルーレートのアンプを実現しています。 MC33078/9 ファミリは●デュアルバージョンとクワッドバージョンがあり●プラスチックDIP又はSOICパッケージに収められています(サフィックスP及びDに対応)。. デュアル電源動作: ±5 → ±18 V 低電圧ノイズ: 4.5 nV/Hz 低入力オフセット電圧: 0.15 mV 低入力オフセット電圧温度係数: 2 μV/℃ 低総調波歪み: 0.002 % 高ゲイン帯域幅積: 16 MHz 高スルーレート: 7 V/μs 高オープンループACゲイン: 800 @ 20 kHz 優れた周波数安定性 大出力電圧スイング: +14.1 V / -14.6 V 入力にESDダイオード付きRoHS指令(10物質対応)対応
『電子部品(オンボード)』には他にこんなカテゴリがあります
- 機構部品(電子部品)
- 能動部品
- 受動部品
