仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:30 A●標準ゲートチャージ @ Vgs:15 nC @ 10 V
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性Fairchild Semiconductor PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET 20 → 59.9 A
パッケージPower 33
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)41
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)39
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20
トランジスタ構成シングル
1箱(2個)
¥599
税込¥659
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:1V●最大連続ドレイン電流:14 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
パッケージPower 33
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)30
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)40
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)14.5
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20
トランジスタ構成シングル
最大動作温度(℃)150
1箱(5個)
¥809
税込¥890
5日以内出荷
仕様●最低ゲートしきい値電圧:2V●最大連続ドレイン電流:16 A
シリーズPowerTrench
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)10物質対応
特性PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、10 → 19.9 A、Fairchild Semiconductor
パッケージPower 33
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)35
材質(トランジスタ)Si
チャンネルモードエンハンスメント型
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)212
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20 , +20
トランジスタ構成シングル
1箱(5個)
¥799
税込¥879
5日以内出荷
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