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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 Wトランジスタ素材 = SiMOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,298 税込1,428
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 20 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK2xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,298 税込2,528
当日出荷

仕様最大連続コレクタ電流 = 40 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 1200 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 230 Wパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 0.4μsトランジスタ構成 = シングル長さ = 15.5mm幅 = 4.5mm高さ = 20mm寸法 = 15.5 x 4.5 x 20mmゲート静電容量 = 1500pFIGBTディスクリート、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
829 税込912
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3P実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.5mmNPNパワートランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,198 税込2,418
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 3 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 40 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、2SKシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,198 税込1,318
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = DPAK (TO-252)実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 20 W最小DC電流ゲイン = 30トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -0.4 V汎用PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,398 税込1,538
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 39 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 50 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
909 税込1,000
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 31 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 230 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK3xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(2個)
1,498 税込1,648
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 10 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 750 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = SC-67実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TK1xシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,498 税込1,648
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 100 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 18 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 Vパッケージタイプ = TO-3PL実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 797 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1個
4,398 税込4,838
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 230 Vパッケージタイプ = TO-3PN実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 150 W最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -230 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V最大動作周波数 = 30 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = -3 VPNPパワートランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
2,598 税込2,858
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 207 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.4 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 255 W標準ターンオフ遅延時間 = 140 nsMOSFET N-Channel, TK100 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1個
549 税込604
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仕様最大連続コレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±25V最大パワー消費 = 30 Wパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3スイッチングスピード = 100kHzトランジスタ構成 = シングル長さ = 10mm幅 = 4.5mm高さ = 15mm寸法 = 10 x 4.5 x 15mm動作温度 Max = +150 ℃IGBTディスクリート、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,998 税込2,198
5日以内出荷

仕様モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = デュアルフルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 3.2A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 15 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 24動作供給電圧 Min = 2.7 V標準スイッチング周波数 = 100kHz幅 = 5.6mmモータコントローラ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
219 税込241
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仕様モータタイプ = ブラシ付きDC出力構成 = フルブリッジ最大IGBTコレクタ電流 = 4.5A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = HSOPピン数 = 16動作供給電圧 Min = 10 V標準スイッチング周波数 = 100kHz動作温度 Max = +85 ℃モータコントローラ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1個
389 税込428
当日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 9 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 33 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
739 税込813
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 13 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1.9 W1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET Nチャンネル、TPCxxxx、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
389 税込428
翌々日出荷

仕様ロジックファミリー = CMOS構成 = 2 x 1:11チップ当たりの入力数 = 21チップ当たりの出力数 = 2最大オン抵抗 = 16Ω最大静止電流 = 1μA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 8最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.2ns寸法 = 2.3 x 2 x 0.7mm動作供給電圧 Min = 1.65 VTC7Wシリーズ. プロセス: CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
369 税込406
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仕様ロジックファミリー = 74HCロジック機能 = バッファー1チップ当たりのチャンネル数 = 8出力タイプ = 3ステート極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 20高レベル出力電流 Max = +35mA低レベル出力電流 Max = -35mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 165ns寸法 = 13.3 x 5.3 x 1.5mm高さ = 1.5mm動作温度 Min = -40 ℃TC74HCシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,398 税込1,538
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仕様ロジック機能 = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 18 V dc高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 200ns動作供給電圧 Min = 3 V dc低レベル出力電流 Max = +4mA出力タイプ = バッファ, CMOSTC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
749 税込824
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = S-FLATダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 450mV長さ = 2.6mm幅 = 1.6mm高さ = 0.98mm動作温度 Min = -40 ℃ショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
269 税込296
翌々日出荷

仕様最大連続 順方向電流 = 5A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = M-FLATダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 370mV長さ = 3.8mm幅 = 2.4mm高さ = 0.98mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 70Aショットキーバリアダイオード、CMS / CRS / CUSシリーズ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
1,198 税込1,318
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 2 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TSM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 1 W最小DC電流ゲイン = 100トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -7 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = -1.1 V汎用PNPトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
539 税込593
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 40 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 3V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 45 W寸法 = 5 x 5 x 0.95mmMOSFET Pチャンネル、TPCシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,598 税込1,758
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 330 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.6 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 Vパッケージタイプ = SSM実装タイプ = 表面実装トランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 150 mW長さ = 1.6mmMOSFET Pチャンネル、SSM3Jシリーズ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
289 税込318
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仕様ロジック機能 = バッファー1チップ当たりのエレメント数 = 6最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 21 ns @ 5.5 V, 23 ns @ 4.5 V高レベル出力電流 Max = -4mA低レベル出力電流 Max = 4mA実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = HCT寸法 = 19.25 x 6.4 x 3.5mm高さ = 3.5mm幅 = 6.4mmTC74HCTシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 4.5 → 5.5 V 互換性: 入力TTL、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
249 税込274
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仕様ロジックファミリー = VCXロジック機能 = バストランシーバ1チップ当たりのエレメント数 = 11チップ当たりのチャンネル数 = 8極性 = 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 20入力レベル = CMOS出力レベル = CMOS高レベル出力電流 Max = -24mA低レベル出力電流 Max = 24mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 8.4 ns @ 1.8 V動作温度 Min = -40 ℃TC74VCXシリーズ、東芝. プロセス: CMOS 電源電圧: 1.2 → 3.6 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
379 税込417
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仕様ロジックファミリー = 4000ロジック機能 = D タイプ入力タイプ = シングルエンド出力信号タイプ = 差動トリガータイプ = 正エッジ極性 = 反転, 非反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 14セット/リセット = Yes1チップ当たりのエレメント数 = 2最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 300 ns @ 5 V寸法 = 10.3 x 5.3 x 1.5mm長さ = 10.3mmTC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
319 税込351
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = スルーホールエレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = PDIPピン数 = 14ロジックファミリー = 4000動作供給電圧 Max = 18 V高レベル出力電流 Max = -4mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 100 ns @ 10 V, 200 ns @ 5 V, 80 ns @ 15 V動作供給電圧 Min = 3 V低レベル出力電流 Max = 4mA動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
409 税込450
欠品中

仕様構成 = トリプル2:1パッケージタイプ = PDIP実装タイプ = スルーホール標準シングル供給電圧 = 12 V、15 V、5 V、9 Vスイッチタイプ = アナログマルチプレクサピン数 = 16電源タイプ = デュアル, シングル入力信号タイプ = シングエンド出力信号タイプ = シングルエンド標準デュアル供給電圧 = ±3 V, ±5 V動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 3マルチプレクサアーキテクチャ = 2:1CMOSアナログスイッチ / マルチプレクサ RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
659 税込725
翌々日出荷

仕様構成 = クワッドSPSTパッケージタイプ = SOP実装タイプ = 表面実装標準シングル供給電圧 = 3 V、5 V、9 Vスイッチタイプ = アナログピン数 = 14電源タイプ = シングル入力信号タイプ = シングエンド出力信号タイプ = シングルエンド動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +85 ℃1チップ当たりのチャンネル数 = 4最大パワー消費 = 180 mWTC74HCシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
509 税込560
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 6 V, 15 ns @ 4.5 V, 75 ns @ 2 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = HC寸法 = 10.3 x 5.3 x 1.5mm高さ = 1.5mm動作温度 Min = -40 ℃TC74HCシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
399 税込439
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = NOR実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 4ゲートあたりの入力数 = 2シュミットトリガ入力 = Nパッケージタイプ = SOPピン数 = 14ロジックファミリー = HC動作供給電圧 Max = 6 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 13 ns @ 6 V, 15 ns @ 4.5 V, 75 ns @ 2 V動作供給電圧 Min = 2 V低レベル出力電流 Max = 5.2mA伝播遅延テスト条件 = 50pFTC74HCシリーズ、東芝. 高速CMOSロジック 動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOS RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
269 税込296
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 10.6 ns @ 3.3 V高レベル出力電流 Max = -8mA低レベル出力電流 Max = 8mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = VHC寸法 = 2.9 x 1.6 x 1.1mm高さ = 1.1mm動作温度 Min = -40 ℃TC7SHシリーズSMVパッケージ. プロセス: CMOS 電源電圧: 2 → 5.5 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
259 税込285
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 150 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = USM実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 100 mW最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 80 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.25 V小信号NPNトランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
199 税込219
翌々日出荷

仕様ロジックファミリー = 4000ロジック機能 = バッファ, コンバータ1チップ当たりのチャンネル数 = 6入力タイプ = シングルエンド極性 = 反転実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOPピン数 = 16高レベル出力電流 Max = -4.8mA低レベル出力電流 Max = 28mA最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 120 ns @ 5 V, 50 ns @ 15 V, 65 ns @ 10 V動作温度 Min = -40 ℃TC4000ファミリ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(10個)
659 税込725
翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 400 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.75 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 2.1V最低ゲートしきい値電圧 = 1.1V最大ゲート-ソース間電圧 = ±20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型最大パワー消費 = 1 W標準ターンオフ遅延時間 = 38 ns RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(100個)
1,298 税込1,428
翌々日出荷

仕様ロジック機能 = AND実装タイプ = 表面実装エレメント数 = 1ゲートあたりの入力数 = 2パッケージタイプ = SSOPピン数 = 5ロジックファミリー = CMOS入力タイプ = CMOS動作供給電圧 Max = 6 V dc最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125 ns @ 50 pF動作供給電圧 Min = 2 V dc幅 = 1.25mmL-MOS高速シリーズ、東芝. 東芝L-MOS高速シリーズは、低消費電力CMOSデバイスの利点を維持しながら、LSTTLデバイスと同様の動作速度を実現しています。. 高速動作: 標準伝播遅延時間 - 7 ns @ 5 V 低消費電力 優れたノイズ耐性 出力ドライブ機能: 5 LSTTL負荷 対称型出力ドライブ容量 広い動作電圧範囲: 2 → 6 V RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(50個)
1,798 税込1,978
翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 12 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 30 W @ 25 ℃最小DC電流ゲイン = 120トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = -80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = -6 V最大動作周波数 = 50 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +150 ℃PNPパワートランジスタ、東芝 RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(5個)
1,398 税込1,538
当日出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 5 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V最大ゲート-ソース間電圧 = +30 Vパッケージタイプ = TO-220SIS実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 35 W @ 25 ℃1チップ当たりのエレメント数 = 1MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba RoHS指令(10物質対応)対応
1袋(20個)
1,798 税込1,978
翌々日出荷

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