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STMicroelectronics 単方向 TVSダイオード， 600W， 69.7V， 2-Pin DO-15STMicro

￥579税込￥637

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仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 69.7V最小ブレークダウン電圧 = 37.1V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 33.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 57A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃幅 = 3.53mmTransil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics 双方向 TVSダイオード， 600W， 48.3V， 2-Pin DO-15STMicro

￥499税込￥549

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7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 48.3V最小ブレークダウン電圧 = 25.7V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 23.1Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 83A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃最大逆漏れ電流 = 1μATransilμ TVS双方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics 単方向 TVSダイオード， 600W， 353V， 2-Pin DO-15STMicro(1件のレビュー)

￥719税込￥791

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仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 353V最小ブレークダウン電圧 = 190V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 171Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 11.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃最大逆漏れ電流 = 1μATransilμ TVS単方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

STMicroelectronics 双方向 TVSダイオード， 600W， 21.7V， 2-Pin DO-15STMicro

￥299税込￥329

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仕様方向性タイプ = 相方向最大クランピング電圧 = 21.7V最小ブレークダウン電圧 = 11.4V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 10.2Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 184A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃寸法 = 6.75 x 3.53 x 3.53mmTransil(TM) TVS双方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応

NVRAM + RTC STMicroelectronicsSTMicro

￥6,298税込￥6,928

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仕様構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = パラレル最大ランダムアクセス時間 = 150ns実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PCDIPピン数 = 28寸法 = 39.98 x 18.34 x 8.89mm長さ = 39.88mm幅 = 18.34mm高さ = 8.89mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +70 ℃動作温度 Min = 0 ℃パラレルインターフェイス付きリアルタイムクロック、TIMEKEEPER(R) SRAM、STMicroelectronics. 最大256 KBのSRAM、バイトワイドインターフェイス、クロック / カレンダー回路を備えたクオーツベースの超低電力発振器を統合したタイムキーパーが、リアルタイムデータを提供します。パッケージには電池とクリスタルが内蔵されています。RoHS指令(10物質対応)対応

STマイクロエレクトロニクス，シリアルEEPROMメモリ 512kbitSTMicro

￥219税込￥241

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仕様メモリサイズ = 512kbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 64 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 V長さ = 4.9mm幅 = 3.9mm高さ = 1.25mm寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mmデータ保持 = 40年EEPROMシリアルI2C、STMicroelectronics. あらゆるI2Cバスインターフェイスモードに対応RoHS指令(10物質対応)対応

Renesas Electronics オペアンプ， 5 ～28 V， 8-Pin PDIPRENESAS

￥2,598税込￥2,858

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仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIP電源タイプ = デュアル，シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 5 → 28 V標準ゲインバンド幅積 = 3.7MHz標準デュアル供給電圧 = ±12 V， ±15 V， ±3 V， ±5 V， ±9 V標準スルーレート = 7V/μs動作温度 Max = +125 ℃レール to レール = NoCA3140、4.5 MHz、BiMOSオペアンプ、MOSFET入力 / バイポーラ出力、Intersil. MOSFET入力段が低入力電流、高入力インピーダンスを実現広いコモンノード入力電圧範囲RoHS指令(10物質対応)対応

Renesas Electronics，デジタルポテンショメータ 10kΩ， 100ポジション，シリアルー3ワイヤーRENESAS

￥2,398税込￥2,638

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仕様コントロールインターフェイス = シリアル-3ワイヤー抵抗値 = 10kΩポジション数 = 100テーパータイプ = リニアメモリタイプ = 不揮発性1パッケージ当たりのポット数 = 1実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8電源タイプ = シングル標準シングル供給電圧 = 5 V寸法 = 5 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm幅 = 4mmデジタルポテンショメータ、IntersilRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 18V， 1 W， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥689税込￥758

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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 14mA最大ツェナーインピーダンス = 20Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2 Lmmパワー消費 = 1Wツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ショットキーバリアダイオード， 3A， 40V， 2-Pin DO-214AB (SMC)ON SEMICONDUCTOR

￥1,698税込￥1,868

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7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV長さ = 7.15mm幅 = 6.25mm高さ = 2.75mmピーク逆電流 = 20mAショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 16V， 1 W， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥829税込￥912

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 15.5mA最大ツェナーインピーダンス = 16Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 15V， 1 W， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥829税込￥912

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欠品中

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 17mA最大ツェナーインピーダンス = 14Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 10V， 1 W， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥869税込￥956

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当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 3.3V， 1 W， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥859税込￥945

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 76mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 100μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，整流ダイオード， 1A， 400V， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥2,798税込￥3,078

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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V高さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 2V， 500 mW， 2-Pin SOD-123ON SEMICONDUCTOR

￥589税込￥648

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仕様標準ツェナー電圧 = 2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 2.84mm寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.35mm幅 = 1.8mmツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ， 1A， -12 V 固定出力， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR

￥539税込￥593

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様出力電圧 = -12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -40 V dcピン数 = 3パワーレーティング = 15W動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。さまざまな用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 70 V， 7 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR

￥1,298税込￥1,428

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 70 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 2.3トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 75V， 5 W， 2-Pin Surmetic 40ON SEMICONDUCTOR

￥279税込￥307

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翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 620Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 100V， 5 W， 2-Pin Surmetic 40ON SEMICONDUCTOR

￥629税込￥692

1袋(10個)

当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 12mA最大ツェナーインピーダンス = 800Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ショットキーバリアダイオード， 2A， 30V， 2-Pin SOD-123ON SEMICONDUCTOR

￥409税込￥450

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 380mV長さ = 2.9mm幅 = 1.8mm高さ = 0.9mm動作温度 Max = +125 ℃メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、1 A → 2 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ショットキーバリアダイオード， 200mA， 30V， 2-Pin SOD-323ON SEMICONDUCTOR

￥109税込￥120

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 800mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、最大900 mA、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 45 V， 100mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,698税込￥1,868

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 50 V， 800 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥1,598税込￥1,758

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，スイッチングダイオード， 300mA， 75V， 2-Pin SOD-523，エレメント数 1，シングルON SEMICONDUCTOR

￥899税込￥989

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 1A， 600V， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥1,498税込￥1,648

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor Nチャンネル IGBT， 600 V， 80 A， 3-Pin TO-247 シングルON SEMICONDUCTOR

￥819税込￥901

1個

7日以内出荷

仕様最大連続コレクタ電流 = 80 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 349 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル長さ = 15.6mm幅 = 4.7mm高さ = 20.6mm寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm動作温度 Min = -55 ℃ディスクリートIGBT、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 10V， 1 W， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥779税込￥857

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 400mA， 3.3 V 固定出力， 3+Tab-Pin SOT-223ON SEMICONDUCTOR

￥399税込￥439

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仕様出力電圧 = 3.3 V出力電流 Max = 400mAパッケージタイプ = SOT-223出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 4.5 V入力電圧 Max = 40 Vピン数 = 3+Tab動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +150 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 0.15mA低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、400 mA、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥289税込￥318

1袋(10個)

当日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥299税込￥329

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 4 A， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR

￥1,598税込￥1,758

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.83mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 定電流 LEDドライバ IC， 20 mA， 123-Pin SODON SEMICONDUCTOR

￥279税込￥307

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様最大供給電流 = 20 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SODピン数 = 123先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，整流ダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin DO-35ON SEMICONDUCTOR

￥329税込￥362

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 4.56mm幅 = 1.91mm高さ = 1.91mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 1A， 12 V 固定出力， 3-Pin DPAKON SEMICONDUCTOR

￥149税込￥164

1袋(2個)

7日以内出荷

仕様出力電圧 = 12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = DPAK出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 3.4mAMC7812リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7812リニア電圧レギュレータは、固定電圧調整用の製品です。 7812シリーズレギュレータICの電流出力は1 Aを超えます。外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。 ON Semiconductor正電圧リニアレギュレータは、さまざまな機能を備え、電子産業で使用される傾向があります。主な用途には、ローカルオンカードレギュレーション、電源、配電システムなどがあります。. 出力電圧: 12 V、許容差: 4 % 内部の熱的過負荷保護内部の短絡電流制限出力トランジスタ安全動作領域補償RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 2.2A， 5 V 固定出力， 3-Pin D2PAKON SEMICONDUCTOR

￥199税込￥219

1袋(2個)

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仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 2.2Aパッケージタイプ = D2PAK出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正標準ドロップアウト電圧 @ 電流 = 2 V @ 1 AMC7805リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7805ファミリリニア電圧レギュレータは、広範な用途で使用できる固定電圧レギュレータです。この7805正電圧レギュレータは外部コンポーネントを必要とせず、内部サーマル過負荷保護及び電流制限、安全動作領域補償を統合しています。. 出力電圧: 5 V 内部の短絡電流制限出力トランジスタ安全動作領域補償鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP ダーリントンペア， 120 V， 30 A， 3-Pin TO-204ON SEMICONDUCTOR

￥2,498税込￥2,748

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仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 200最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V動作温度 Min = -55 ℃先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 5.6V， 500 mW， 2-Pin SMAON SEMICONDUCTOR

￥399税込￥439

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仕様標準ツェナー電圧 = 5.6V実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SMAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 66.9mA最大ツェナーインピーダンス = 2Ω最大逆漏れ電流 = 2.5μA長さ = 4.32mm寸法 = 4.32 x 2.6 x 2mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピンパッケージTO-220AB QFET シリーズON SEMICONDUCTOR(2件のレビュー)

￥2,498税込￥2,748

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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 120000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 30 nsQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 8 A， 3 ピンパッケージTO-220ABON SEMICONDUCTOR

￥659税込￥725

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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 310000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 39 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応