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STMicroelectronics 単方向 TVSダイオード, 600W, 69.7V, 2-Pin DO-15 STMicroSTMicroelectronics 単方向 TVSダイオード, 600W, 69.7V, 2-Pin DO-15STMicro
579税込637
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 69.7V最小ブレークダウン電圧 = 37.1V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 33.3Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 57A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃幅 = 3.53mmTransil(TM) TVS単方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics 双方向 TVSダイオード, 600W, 48.3V, 2-Pin DO-15 STMicroSTMicroelectronics 双方向 TVSダイオード, 600W, 48.3V, 2-Pin DO-15STMicro
499税込549
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 48.3V最小ブレークダウン電圧 = 25.7V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 23.1Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 83A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃最大逆漏れ電流 = 1μATransilμ TVS双方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics 単方向 TVSダイオード, 600W, 353V, 2-Pin DO-15 STMicroSTMicroelectronics 単方向 TVSダイオード, 600W, 353V, 2-Pin DO-15STMicro(1件のレビュー)
719税込791
1袋(10個)
7日以内出荷
仕様方向性タイプ = 単方向最大クランピング電圧 = 353V最小ブレークダウン電圧 = 190V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 171Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 11.3A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃最大逆漏れ電流 = 1μATransilμ TVS単方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
STMicroelectronics 双方向 TVSダイオード, 600W, 21.7V, 2-Pin DO-15 STMicroSTMicroelectronics 双方向 TVSダイオード, 600W, 21.7V, 2-Pin DO-15STMicro
299税込329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様方向性タイプ = 相方向最大クランピング電圧 = 21.7V最小ブレークダウン電圧 = 11.4V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 10.2Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 184A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃寸法 = 6.75 x 3.53 x 3.53mmTransil(TM) TVS双方向軸600 W、STMicroelectronicsRoHS指令(10物質対応)対応
NVRAM + RTC STMicroelectronics STMicroNVRAM + RTC STMicroelectronicsSTMicro
6,298税込6,928
1個
当日出荷
仕様構成 = 8 K x 8ビットインターフェースタイプ = パラレル最大ランダムアクセス時間 = 150ns実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PCDIPピン数 = 28寸法 = 39.98 x 18.34 x 8.89mm長さ = 39.88mm幅 = 18.34mm高さ = 8.89mm動作供給電圧 Max = 5.5 V動作温度 Max = +70 ℃動作温度 Min = 0 ℃パラレルインターフェイス付きリアルタイムクロック、TIMEKEEPER(R) SRAM、STMicroelectronics. 最大256 KBのSRAM、バイトワイドインターフェイス、クロック / カレンダー回路を備えたクオーツベースの超低電力発振器を統合したタイムキーパーが、リアルタイムデータを提供します。 パッケージには電池とクリスタルが内蔵されています。RoHS指令(10物質対応)対応
STマイクロエレクトロニクス, シリアルEEPROMメモリ 512kbit STMicroSTマイクロエレクトロニクス, シリアルEEPROMメモリ 512kbitSTMicro
219税込241
1袋(2個)
8日以内出荷
仕様メモリサイズ = 512kbitインターフェースタイプ = シリアル-I2Cパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8構成 = 64 K x 8ビット動作供給電圧 Min = 1.8 V動作供給電圧 Max = 5.5 V長さ = 4.9mm幅 = 3.9mm高さ = 1.25mm寸法 = 4.9 x 3.9 x 1.25mmデータ保持 = 40年EEPROMシリアルI2C、STMicroelectronics. あらゆるI2Cバスインターフェイスモードに対応RoHS指令(10物質対応)対応
Renesas Electronics オペアンプ, 5 ~28 V, 8-Pin PDIP RENESASRenesas Electronics オペアンプ, 5 ~28 V, 8-Pin PDIPRENESAS
2,598税込2,858
1袋(5個)
当日出荷
仕様実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = PDIP電源タイプ = デュアル, シングル1チップ当たりのチャンネル数 = 1ピン数 = 8標準シングル供給電圧 = 5 → 28 V標準ゲインバンド幅積 = 3.7MHz標準デュアル供給電圧 = ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V標準スルーレート = 7V/μs動作温度 Max = +125 ℃レール to レール = NoCA3140、4.5 MHz、BiMOSオペアンプ、MOSFET入力 / バイポーラ出力、Intersil. MOSFET入力段が低入力電流、高入力インピーダンスを実現 広いコモンノード入力電圧範囲RoHS指令(10物質対応)対応
Renesas Electronics, デジタルポテンショメータ 10kΩ, 100ポジション, シリアルー3ワイヤー RENESASRenesas Electronics, デジタルポテンショメータ 10kΩ, 100ポジション, シリアルー3ワイヤーRENESAS
2,398税込2,638
1袋(2個)
7日以内出荷
仕様コントロールインターフェイス = シリアル-3ワイヤー抵抗値 = 10kΩポジション数 = 100テーパータイプ = リニアメモリタイプ = 不揮発性1パッケージ当たりのポット数 = 1実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 8電源タイプ = シングル標準シングル供給電圧 = 5 V寸法 = 5 x 4 x 1.5mm高さ = 1.5mm幅 = 4mmデジタルポテンショメータ、IntersilRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 18V, 1 W, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTORオンセミ, ツェナーダイオード, 18V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR
689税込758
1袋(100個)
当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 14mA最大ツェナーインピーダンス = 20Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2 Lmmパワー消費 = 1Wツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ショットキーバリアダイオード, 3A, 40V, 2-Pin DO-214AB (SMC) ON SEMICONDUCTORオンセミ, ショットキーバリアダイオード, 3A, 40V, 2-Pin DO-214AB (SMC)ON SEMICONDUCTOR
1,698税込1,868
1袋(25個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 40V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = DO-214AB (SMC)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 500mV長さ = 7.15mm幅 = 6.25mm高さ = 2.75mmピーク逆電流 = 20mAショットキーバリア整流ダイオード、シングル、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 16V, 1 W, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTORオンセミ, ツェナーダイオード, 16V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR
829税込912
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 15.5mA最大ツェナーインピーダンス = 16Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 15V, 1 W, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTORオンセミ, ツェナーダイオード, 15V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR
829税込912
1袋(100個)
欠品中
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 17mA最大ツェナーインピーダンス = 14Ω最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 10V, 1 W, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTORオンセミ, ツェナーダイオード, 10V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR
869税込956
1袋(100個)
当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 3.3V, 1 W, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTORオンセミ, ツェナーダイオード, 3.3V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR
859税込945
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 汎用ツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 76mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 100μA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、1N4728A~1N4758Aシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, 整流ダイオード, 1A, 400V, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTORオンセミ, 整流ダイオード, 1A, 400V, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR
2,798税込3,078
1袋(50個)
当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 400V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.25V高さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 50ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 2V, 500 mW, 2-Pin SOD-123 ON SEMICONDUCTORオンセミ, ツェナーダイオード, 2V, 500 mW, 2-Pin SOD-123ON SEMICONDUCTOR
589税込648
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様標準ツェナー電圧 = 2V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 0.05mA最大逆漏れ電流 = 5μA長さ = 2.84mm寸法 = 2.84 x 1.8 x 1.35mm幅 = 1.8mmツェナーダイオード500 mW、MMSZ4xxxT1G / SZMMSZ4xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ, 1A, -12 V 固定出力, 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 負電圧 3端子レギュレータ, 1A, -12 V 固定出力, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR
539税込593
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様出力電圧 = -12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = TO-220出力タイプ = 固定実装タイプ = スルーホール入力電圧 Max = -40 V dcピン数 = 3パワーレーティング = 15W動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 負幅 = 4.82mm負電圧リニアレギュレータ、ON Semiconductor. 短絡 / 過熱保護機能を搭載した経済的な負電圧レギュレータです。 さまざまな用途に適しています。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 70 V, 7 A, 3-Pin TO-220AB ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 70 V, 7 A, 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR
1,298税込1,428
1袋(5個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 7 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 70 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 40 W最小DC電流ゲイン = 2.3トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 1 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 75V, 5 W, 2-Pin Surmetic 40 ON SEMICONDUCTORオンセミ, ツェナーダイオード, 75V, 5 W, 2-Pin Surmetic 40ON SEMICONDUCTOR
279税込307
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 620Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 100V, 5 W, 2-Pin Surmetic 40 ON SEMICONDUCTORオンセミ, ツェナーダイオード, 100V, 5 W, 2-Pin Surmetic 40ON SEMICONDUCTOR
629税込692
1袋(10個)
当日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = Surmetic 40ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 12mA最大ツェナーインピーダンス = 800Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 8.89mm直径 = 3.68mm寸法 = 3.68 (Dia.) x 8.89mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ショットキーバリアダイオード, 2A, 30V, 2-Pin SOD-123 ON SEMICONDUCTORオンセミ, ショットキーバリアダイオード, 2A, 30V, 2-Pin SOD-123ON SEMICONDUCTOR
409税込450
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-123ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 380mV長さ = 2.9mm幅 = 1.8mm高さ = 0.9mm動作温度 Max = +125 ℃メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、1 A → 2 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ショットキーバリアダイオード, 200mA, 30V, 2-Pin SOD-323 ON SEMICONDUCTORオンセミ, ショットキーバリアダイオード, 200mA, 30V, 2-Pin SOD-323ON SEMICONDUCTOR
109税込120
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-323ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 800mV長さ = 1.8mm幅 = 1.35mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAメーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、最大900 mA、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
1,698税込1,868
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 100 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mW最小DC電流ゲイン = 110トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 800 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 800 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
1,598税込1,758
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 800 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 60トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V最大動作周波数 = 100 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 3.86mm小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, スイッチングダイオード, 300mA, 75V, 2-Pin SOD-523,エレメント数 1, シングル ON SEMICONDUCTORオンセミ, スイッチングダイオード, 300mA, 75V, 2-Pin SOD-523,エレメント数 1, シングルON SEMICONDUCTOR
899税込989
1袋(100個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大逆電圧 = 75Vパッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大ダイオードキャパシタンス = 4pF動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.3mm幅 = 0.9mm高さ = 0.7mm寸法 = 1.3 x 0.9 x 0.7mm小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ファストリカバリー 整流ダイオード, 1A, 600V, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTORオンセミ, ファストリカバリー 整流ダイオード, 1A, 600V, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR
1,498税込1,648
1袋(50個)
翌々日出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.7V長さ = 5.2mmピーク逆回復時間 = 75ns直径 = 2.72mmピーク非繰返し順方向サージ電流 = 30A整流ダイオード、1 A → 1.5 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル IGBT, 600 V, 80 A, 3-Pin TO-247 シングル ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル IGBT, 600 V, 80 A, 3-Pin TO-247 シングルON SEMICONDUCTOR
819税込901
1個
7日以内出荷
仕様最大連続コレクタ電流 = 80 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V最大パワー消費 = 349 Wパッケージタイプ = TO-247実装タイプ = スルーホールチャンネルタイプ = Nピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル長さ = 15.6mm幅 = 4.7mm高さ = 20.6mm寸法 = 15.6 x 4.7 x 20.6mm動作温度 Min = -55 ℃ディスクリートIGBT、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 10V, 1 W, 2-Pin DO-41 ON SEMICONDUCTORオンセミ, ツェナーダイオード, 10V, 1 W, 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR
779税込857
1袋(100個)
7日以内出荷
仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 1 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 25mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 500nA長さ = 5.2mm直径 = 2.72mm寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm動作温度 Max = +200 ℃ツェナーダイオード1 W、BZX85Cシリーズ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ, 400mA, 3.3 V 固定出力, 3+Tab-Pin SOT-223 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ, 400mA, 3.3 V 固定出力, 3+Tab-Pin SOT-223ON SEMICONDUCTOR
399税込439
1袋(2個)
当日出荷
仕様出力電圧 = 3.3 V出力電流 Max = 400mAパッケージタイプ = SOT-223出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Min = 4.5 V入力電圧 Max = 40 Vピン数 = 3+Tab動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +150 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 0.15mA低ドロップアウト(LDO)リニア電圧レギュレータ、400 mA、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP トランジスタ, 40 V, 600 mA, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
289税込318
1袋(10個)
当日出荷
仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin TO-92 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN トランジスタ, 40 V, 1 A, 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR
299税込329
1袋(10個)
翌々日出荷
仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 400 V, 4 A, 3-Pin TO-220 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor NPN パワートランジスタ, 400 V, 4 A, 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR
1,598税込1,758
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仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.83mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 定電流 LEDドライバ IC, 20 mA, 123-Pin SOD ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 定電流 LEDドライバ IC, 20 mA, 123-Pin SODON SEMICONDUCTOR
279税込307
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仕様最大供給電流 = 20 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SODピン数 = 123先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, 整流ダイオード, 300mA, 100V, 2-Pin DO-35 ON SEMICONDUCTORオンセミ, 整流ダイオード, 300mA, 100V, 2-Pin DO-35ON SEMICONDUCTOR
329税込362
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仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 4.56mm幅 = 1.91mm高さ = 1.91mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ, 1A, 12 V 固定出力, 3-Pin DPAK ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ, 1A, 12 V 固定出力, 3-Pin DPAKON SEMICONDUCTOR
149税込164
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仕様出力電圧 = 12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = DPAK出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 3.4mAMC7812リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7812リニア電圧レギュレータは、固定電圧調整用の製品です。 7812シリーズレギュレータICの電流出力は1 Aを超えます。 外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。 ON Semiconductor正電圧リニアレギュレータは、さまざまな機能を備え、電子産業で使用される傾向があります。 主な用途には、ローカルオンカードレギュレーション、電源、配電システムなどがあります。. 出力電圧: 12 V、許容差: 4 % 内部の熱的過負荷保護 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ, 2.2A, 5 V 固定出力, 3-Pin D2PAK ON SEMICONDUCTORON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ, 2.2A, 5 V 固定出力, 3-Pin D2PAKON SEMICONDUCTOR
199税込219
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仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 2.2Aパッケージタイプ = D2PAK出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正標準ドロップアウト電圧 @ 電流 = 2 V @ 1 AMC7805リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7805ファミリリニア電圧レギュレータは、広範な用途で使用できる固定電圧レギュレータです。 この7805正電圧レギュレータは外部コンポーネントを必要とせず、内部サーマル過負荷保護及び電流制限、安全動作領域補償を統合しています。. 出力電圧: 5 V 内部の短絡電流制限 出力トランジスタ安全動作領域補償 鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor PNP ダーリントンペア, 120 V, 30 A, 3-Pin TO-204 ON SEMICONDUCTORON Semiconductor PNP ダーリントンペア, 120 V, 30 A, 3-Pin TO-204ON SEMICONDUCTOR
2,498税込2,748
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仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 200最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V動作温度 Min = -55 ℃先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
オンセミ, ツェナーダイオード, 5.6V, 500 mW, 2-Pin SMA ON SEMICONDUCTORオンセミ, ツェナーダイオード, 5.6V, 500 mW, 2-Pin SMAON SEMICONDUCTOR
399税込439
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仕様標準ツェナー電圧 = 5.6V実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SMAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 66.9mA最大ツェナーインピーダンス = 2Ω最大逆漏れ電流 = 2.5μA長さ = 4.32mm寸法 = 4.32 x 2.6 x 2mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 27 A, 3 ピン パッケージTO-220AB QFET シリーズ ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 27 A, 3 ピン パッケージTO-220AB QFET シリーズON SEMICONDUCTOR(2件のレビュー)
2,498税込2,748
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仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 120000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 30 nsQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 150 V, 8 A, 3 ピン パッケージTO-220AB ON SEMICONDUCTORON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 150 V, 8 A, 3 ピン パッケージTO-220ABON SEMICONDUCTOR
659税込725
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仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 310000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 39 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

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