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ON Semiconductor PNP トランジスタ， 40 V， 600 mA， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥289税込￥318

1袋(10個)

当日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 600 mA最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 20トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 40 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.19mm小信号PNPトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 40 V， 1 A， 3-Pin TO-92ON SEMICONDUCTOR

￥299税込￥329

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 1 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 40 Vパッケージタイプ = TO-92実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 625 mW最小DC電流ゲイン = 35トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 75 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V最大動作周波数 = 300 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -55 ℃小信号NPNトランジスタ、40 → 50 V、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 400 V， 4 A， 3-Pin TO-220ON SEMICONDUCTOR

￥1,598税込￥1,758

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翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 4 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 75 W最小DC電流ゲイン = 8トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.83mm高電圧NPNトランジスタ、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 定電流 LEDドライバ IC， 20 mA， 123-Pin SODON SEMICONDUCTOR

￥279税込￥307

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様最大供給電流 = 20 mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SODピン数 = 123先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. リニアLEDドライバ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，整流ダイオード， 300mA， 100V， 2-Pin DO-35ON SEMICONDUCTOR

￥329税込￥362

1袋(50個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 100V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-35ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1V長さ = 4.56mm幅 = 1.91mm高さ = 1.91mmピーク逆回復時間 = 4ns動作温度 Min = -65 ℃小信号スイッチングダイオード、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 1A， 12 V 固定出力， 3-Pin DPAKON SEMICONDUCTOR

￥149税込￥164

1袋(2個)

7日以内出荷

仕様出力電圧 = 12 V出力電流 Max = 1Aパッケージタイプ = DPAK出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = 0 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正静止電流 = 3.4mAMC7812リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7812リニア電圧レギュレータは、固定電圧調整用の製品です。 7812シリーズレギュレータICの電流出力は1 Aを超えます。外付け部品なしで、外部機器の電圧及び電流を調整できます。 ON Semiconductor正電圧リニアレギュレータは、さまざまな機能を備え、電子産業で使用される傾向があります。主な用途には、ローカルオンカードレギュレーション、電源、配電システムなどがあります。. 出力電圧: 12 V、許容差: 4 % 内部の熱的過負荷保護内部の短絡電流制限出力トランジスタ安全動作領域補償RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 正電圧 3端子レギュレータ， 2.2A， 5 V 固定出力， 3-Pin D2PAKON SEMICONDUCTOR

￥199税込￥219

1袋(2個)

翌々日出荷

仕様出力電圧 = 5 V出力電流 Max = 2.2Aパッケージタイプ = D2PAK出力タイプ = 固定実装タイプ = 表面実装入力電圧 Max = 35 Vピン数 = 3動作温度 Min = -40 ℃動作温度 Max = +125 ℃出力数 = 1極性 = 正標準ドロップアウト電圧 @ 電流 = 2 V @ 1 AMC7805リニア電圧レギュレータ、ON Semiconductor. ON SemiconductorのMC7805ファミリリニア電圧レギュレータは、広範な用途で使用できる固定電圧レギュレータです。この7805正電圧レギュレータは外部コンポーネントを必要とせず、内部サーマル過負荷保護及び電流制限、安全動作領域補償を統合しています。. 出力電圧: 5 V 内部の短絡電流制限出力トランジスタ安全動作領域補償鉛フリーパッケージを用意RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP ダーリントンペア， 120 V， 30 A， 3-Pin TO-204ON SEMICONDUCTOR

￥2,498税込￥2,748

1袋(2個)

7日以内出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大連続コレクタ電流 = 30 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 120 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホールピン数 = 3トランジスタ構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1最小DC電流ゲイン = 200最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 5 V最大コレクタ-ベース間電圧 = 120 V最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 4 V動作温度 Min = -55 ℃先頭にS又はNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. PNPダーリントントランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 5.6V， 500 mW， 2-Pin SMAON SEMICONDUCTOR

￥399税込￥439

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様標準ツェナー電圧 = 5.6V実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SMAツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 66.9mA最大ツェナーインピーダンス = 2Ω最大逆漏れ電流 = 2.5μA長さ = 4.32mm寸法 = 4.32 x 2.6 x 2mm動作温度 Max = +150 ℃ツェナーダイオード1.5 W、1SMA59xxBT、SZ1SMA59xxBTシリーズ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 60 V， 27 A， 3 ピンパッケージTO-220AB QFET シリーズON SEMICONDUCTOR(2件のレビュー)

￥2,498税込￥2,748

1袋(5個)

当日出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 27 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 70 mΩ最大ゲートしきい値電圧 = 4V最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールトランジスタ構成 = シングルチャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 120000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 30 nsQFET(R) PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET(R)平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFET(R)プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NチャンネルパワーMOSFET， 150 V， 8 A， 3 ピンパッケージTO-220ABON SEMICONDUCTOR

￥659税込￥725

1個

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = N最大連続ドレイン電流 = 8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 150 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 16 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 2V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホールピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 310000 mW標準ターンオフ遅延時間 = 39 nsPowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 30 V， 8.8 A， 8 ピンパッケージSOICON SEMICONDUCTOR(1件のレビュー)

￥719税込￥791

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 8.8 A最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 20 mΩ最低ゲートしきい値電圧 = 1V最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V， +25 Vパッケージタイプ = SOIC実装タイプ = 表面実装ピン数 = 8チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 2500 mW幅 = 4mm自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PチャンネルパワーMOSFET， 50 V， 130 mA， 3 ピンパッケージSOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥289税込￥318

1袋(10個)

7日以内出荷

仕様チャンネルタイプ = P最大連続ドレイン電流 = 130 mA最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 Ω最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 Vパッケージタイプ = SOT-23実装タイプ = 表面実装ピン数 = 3チャンネルモード = エンハンスメント型カテゴリー = パワーMOSFET最大パワー消費 = 360 mW長さ = 2.92mm強化モードPチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。RoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 74 HCシリーズヘキサ CMOS インバータ(NOTゲート)， 5.2mA， 2～6 V， 14-Pin SOICON SEMICONDUCTOR

￥469税込￥516

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様ロジック機能 = インバータ入力タイプ = シュミットトリガー1チップ当たりのエレメント数 = 6シュミットトリガ入力 = あり最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 125 ns @ 2 V， 21 ns @ 6 V， 25 ns @ 4.5 V高レベル出力電流 Max = -5.2mA低レベル出力電流 Max = 5.2mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOICピン数 = 14ロジックファミリー = HC寸法 = 8.75 x 4 x 1.5mm動作温度 Min = -55 ℃74HCファミリ、Fairchild Semiconductor. 高速CMOSロジック動作電圧: 2 → 6 V 互換性: 入力CMOS、出力CMOSRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ショットキーバリアダイオード， 1A， 50V， 2-Pin DO-41ON SEMICONDUCTOR

￥129税込￥142

1袋(5個)

翌々日出荷

仕様最大連続順方向電流 = 1A1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 50V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-41ダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 5.2mm幅 = 2.7mm高さ = 2.7mm動作温度 Min = -65 ℃メーカー品番がNSV-、SBR-、又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、1 A → 2 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ファストリカバリー整流ダイオード， 4A， 600V， 2-Pin DO-201ADON SEMICONDUCTOR

￥319税込￥351

1袋(5個)

当日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル整流タイプ = スイッチングピーク逆繰返し電圧 = 600V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-201ADダイオードタイプ = シリコンジャンクションピン数 = 2最大順方向降下電圧 = 1.28V長さ = 9.5mm幅 = 5.3mm高さ = 5.3mmピーク逆回復時間 = 75nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 110Aメーカー品番がNSV-又はS-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. 整流ダイオード、4 A → 9 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 9.1V， 500 mW， 2-Pin SOD-123ON SEMICONDUCTOR

￥309税込￥340

1袋(20個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = SOD-123ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 20mA最大ツェナーインピーダンス = 10Ω最大逆漏れ電流 = 3μA長さ = 2.69mm寸法 = 2.69 x 1.6 x 1.12mm幅 = 1.6mmツェナーダイオード500 mW、MMSZ52xxxT1G / SZMMSZ52xxxT1Gシリーズ、ON Semiconductor. 表面実装ケース: SOD-123RoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ショットキーバリアダイオード， 10A， 45V， 2-Pin TO-220ACON SEMICONDUCTOR

￥659税込￥725

1袋(5個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル1チップ当たりのエレメント数 = 1ピーク逆繰返し電圧 = 45V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = TO-220ACダイオードタイプ = ショットキーピン数 = 2長さ = 10.29mm幅 = 4.82mm高さ = 9.27mm動作温度 Max = +175 ℃メーカー品番がNSV-又はSBR-から始まる製品は、AEC-Q101車載認定済みです。. ショットキーバリアダイオード、10 A → 25 A、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN パワートランジスタ， 60 V， 15 A， 3-Pin TO-204ON SEMICONDUCTOR

￥919税込￥1,011

1個

当日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 15 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 Vパッケージタイプ = TO-204実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 115 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V最大エミッタ-ベース間電圧 = 7 V最大動作周波数 = 2.5 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Max = +200 ℃先頭にNSVの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. NPNパワートランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor PNP パワートランジスタ， 400 V， 8 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR

￥659税込￥725

1個

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = PNP最大DCコレクタ電流 = 8 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 80 W最小DC電流ゲイン = 5トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 Vピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1幅 = 4.82mm先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor NPN トランジスタ， 450 V， 5 A， 3-Pin TO-220ABON SEMICONDUCTOR

￥329税込￥362

1個

翌々日出荷

仕様トランジスタタイプ = NPN最大DCコレクタ電流 = 5 A最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 450 Vパッケージタイプ = TO-220AB実装タイプ = スルーホール最小DC電流ゲイン = 6トランジスタ構成 = シングル最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V最大動作周波数 = 13 MHzピン数 = 31チップ当たりのエレメント数 = 1最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.75 V先頭にSの付いたメーカー品番はAEC-Q101規格に適合する車載製品です。. 高電圧トランジスタ、ON SemiconductorRoHS指令(10物質対応)対応

ON Semiconductor 双方向 TVSダイオード， 600W， 21.2V， 2-Pin DO-15ON SEMICONDUCTOR

￥339税込￥373

1袋(5個)

欠品中

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 21.2V最小ブレークダウン電圧 = 14.3V実装タイプ = スルーホールパッケージタイプ = DO-15最大逆スタンドオフ電圧 = 12.8Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 600W最大ピークパルス電流 = 28A1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃最大逆漏れ電流 = 5μATVSダイオード双方向軸600 W、P6KEシリーズ、Fairchild Semiconductor

ON Semiconductor 2チャンネル双方向 TVSダイオード， 350W， 44V， 3-Pin SOT-23ON SEMICONDUCTOR

￥419税込￥461

1袋(20個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 44V最小ブレークダウン電圧 = 26.2V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 350W最大ピークパルス電流 = 8AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -55 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 100nANUP2105L、NUP3105LデュアルラインCAN保護機能. NUP2105L / NUP3105Lは、高速のフォルトトレランスネットワークにおいてCANトランシーバを、ESD及びその他の危険な過渡電圧事故から保護する目的で設計されています。. ライン当たりのピーク電力消失: 350 W 逆漏洩電流が低い(< 100 nA) 低静電容量高速CANデータ転送速度 IEC対応: IEC61000-4-2 (ESD): レベル4 IEC61000-4-4 (EFT): 40 A - 5/50 ns (NUP3105Lは50 A - 5/50 ns) IEC61000-4-5 (照明) 8 A (8/20 μs)RoHS指令(10物質対応)対応

オンセミ，ツェナーダイオード， 6.2V， 5 W， 2-Pin 017AA-01ON SEMICONDUCTOR

￥559税込￥615

1袋(10個)

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仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 5 Wパッケージタイプ = 017AA-01ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = ±5%ピン数 = 2テスト電流 = 200mA最大ツェナーインピーダンス = 1Ω最大逆漏れ電流 = 1μA長さ = 8.89mm寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5333 → 1N5346シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。RoHS指令(10物質対応)対応

NXP 基準電圧IC，出力：2.5 - 36V， 3ピン SOT-23nexperia

￥1,898税込￥2,088

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仕様公称電圧 = 2.5 - 36Vパッケージタイプ = SOT-23基準タイプ = 可変立上がり精度 = ±1.0 %実装タイプ = 表面実装トポロジー = シャント出力電流 Max = 100mA入力電圧 Max = 37 V出力電圧 Min = 2.495 V出力電圧 Max = 36 Vピン数 = 3寸法 = 3 x 1.4 x 1mm幅 = 1.4mmTL431シャントレギュレータ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応

Nexperia ツェナーダイオード， 3V， 500 mW， 2-Pin DO-35nexperia(1件のレビュー)

￥389税込￥428

1袋(20個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 95Ω最大逆漏れ電流 = 10μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、Nexperia

Nexperia ツェナーダイオード， 2.4V， 500 mW， 2-Pin DO-35nexperia

￥319税込￥351

1袋(20個)

当日出荷

仕様標準ツェナー電圧 = 2.4V1チップ当たりのエレメント数 = 1最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 100Ω最大逆漏れ電流 = 50μA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm標準電圧温度係数 = -1.6mV/℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応

Nexperia ショットキーバリアダイオード，コモンアノード， 200mA， 30V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia

￥149税込￥164

1袋(10個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = コモンアノード1チップ当たりのエレメント数 = 2ピーク逆繰返し電圧 = 30V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)ダイオードテクノロジー = ショットキーピン数 = 3長さ = 3mm幅 = 1.4mm高さ = 1mmピーク逆回復時間 = 5nsピーク非繰返し順方向サージ電流 = 600mAショットキーバリアダイオード、200 → 500 mA、Nexperia. 高効率超小型低プロファイルの表面実装パッケージ低い順方向電圧降下、高い接点温度向けに最適化低静電容量電力スイッチングロスを最小に抑制低漏洩電流RoHS指令(10物質対応)対応

NXP 74 LVCシリーズインバータ， 32mA， 1.65～5.5 V， 5-Pin TSSOPnexperia

￥449税込￥494

1袋(50個)

7日以内出荷

仕様ロジック機能 = インバータ1チップ当たりのエレメント数 = 1シュミットトリガ入力 = N最大伝播遅延時間 @ 最大 CL = 2.3 ns @ 2.7 V高レベル出力電流 Max = -32mA低レベル出力電流 Max = 32mA実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = TSSOPピン数 = 5ロジックファミリー = LVC寸法 = 2.25 x 1.35 x 1mm高さ = 1mm動作温度 Min = -40 ℃74LVC1G / 74LVC2Gファミリ、Nexperia. 低電圧CMOSロジックシングルゲートパッケージ動作電圧: 1.65 → 5.5 V 互換性: 入力LVTTL / TTL、出力LVCMOSRoHS指令(10物質対応)対応

NXP 双方向 TVSダイオード， 500W， 33V， 2-Pin UMDnexperia

￥999税込￥1,099

1袋(20個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル最大クランピング電圧 = 33V最小ブレークダウン電圧 = 7V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = UMD最大逆スタンドオフ電圧 = 5Vピン数 = 2ピークパルスパワー消費 = 500W最大ピークパルス電流 = 15AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 1動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃最大逆漏れ電流 = 1μAPESDxxxL1シリーズ、低静電容量双方向ESD保護ダイオード、Nexperia. 低静電容量双方向静電気放電(ESD)保護ダイオードは、小型の表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、1本の信号ラインをESDやその他の過渡現象による損傷から保護するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応

Nexperia ツェナーダイオード， 13V， 500 mW， 2-Pin DO-35nexperia

￥1,998税込￥2,198

1袋(200個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 5mA最大ツェナーインピーダンス = 30Ω最大逆漏れ電流 = 100nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応

Nexperia 2チャンネル双方向 TVSダイオード， 200W， 70V， 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)nexperia

￥959税込￥1,055

1袋(20個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シリーズ最大クランピング電圧 = 70V最小ブレークダウン電圧 = 25.4V実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)最大逆スタンドオフ電圧 = 24Vピン数 = 3ピークパルスパワー消費 = 200W最大ピークパルス電流 = 3AESD保護 = あり1チップ当たりのエレメント数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃幅 = 1.4mmPESD1CAN、CANバスESD保護ダイオード、Nexperia. PESD1CANは、小型のSOT23 (TO-236AB)表面実装デバイス(SMD)用プラスチックパッケージに収められており、2つの車載コントローラエリアネットワーク(CAN)バスラインを静電気放電(ESD)やその他の過度現象による損傷から保護するように設計されています。RoHS指令(10物質対応)対応

Nexperia ツェナーダイオード， 36V， 500 mW， 2-Pin DO-35nexperia

￥999税込￥1,099

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 500 mWパッケージタイプ = DO-35ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 2mA最大ツェナーインピーダンス = 90Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.25mm寸法 = 4.25 x 1.85 x 1.85mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード500 mW、BZX79シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応

Nexperia ツェナーダイオード， 27V， 1.3 W， 2-Pin DO-41nexperia

￥1,998税込￥2,198

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 8mA最大ツェナーインピーダンス = 40Ω最大逆漏れ電流 = 50nA長さ = 4.8mm寸法 = 4.8 x 2.6 x 2.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1.3 W、BZV85シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応

Hi-Speed Diode，75V，250mA，BAS516nexperia

￥999税込￥1,099

1袋(100個)

7日以内出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = 表面実装パッケージタイプ = SOD-523ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +150 ℃長さ = 1.25mm幅 = 0.85mm高さ = 0.65mm寸法 = 0.65 x 1.25 x 0.85mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応低漏洩及び高電圧のタイプを用意高スイッチング速度低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応

Nexperia スイッチングダイオード， 250mA， 125V， 2-Pin DO-34，エレメント数 1，シングルnexperia

￥999税込￥1,099

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仕様最大順方向電流 = 250mA実装タイプ = スルーホール最大逆電圧 = 125Vパッケージタイプ = DO-34ダイオードテクノロジー = シリコンジャンクションピン数 = 2動作温度 Min = -65 ℃動作温度 Max = +175 ℃長さ = 3.04mm幅 = 1.6mm高さ = 1.6mm寸法 = 3.04 x 1.6 x 1.6mm小信号スイッチングダイオード、Nexperia. 特長. カスタマイズされた高密度の回路設計に対応低漏洩及び高電圧のタイプを用意高スイッチング速度低静電容量RoHS指令(10物質対応)対応

NXP ツェナーダイオード， 5.6V， 1.3 W， 2-Pin DO-41nexperia

￥1,998税込￥2,198

1袋(100個)

翌々日出荷

仕様ダイオード構成 = シングル実装タイプ = スルーホール最大パワー消費 = 1.3 Wパッケージタイプ = DO-41ツェナータイプ = 電圧レギュレータツェナー電圧許容性 = 5%ピン数 = 2テスト電流 = 45mA最大ツェナーインピーダンス = 7Ω最大逆漏れ電流 = 2μA長さ = 4.8mm寸法 = 4.8 x 2.6 x 2.6mm動作温度 Min = -65 ℃ツェナーダイオード1.3 W、BZV85シリーズ、NexperiaRoHS指令(10物質対応)対応

Murata セラミック発振子，セラロック 10MHz 基本波， 3-Pin スルーホールMURATA(村田製作所)

￥289税込￥318

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7日以内出荷

仕様共振周波数 = 10MHz周波数許容性 = ±0.5%発振モード = 基本波負荷キャパシタンス = 15pF周波数偏差 = ±0.2%実装タイプ = スルーホールピン数 = 3寸法 = 8 x 3 x 5.5mm高さ = 5.5mm長さ = 8mm動作温度 Max = +80 ℃動作温度 Min = -20 ℃CSTシリーズ. ロードコンデンサ内蔵RoHS指令(10物質対応)対応

Murata セラミック発振子，セラロック 16MHz 3rdオーバートーン， 3-Pin スルーホールMURATA(村田製作所)

￥359税込￥395

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3日以内出荷

仕様共振周波数 = 16MHz周波数許容性 = ±0.5%発振モード = 3rdオーバートーン負荷キャパシタンス = 5pF共振抵抗 = 50Ω周波数エージング = ±0.2 %/年周波数偏差 = ±0.2%実装タイプ = スルーホールピン数 = 3長さ = 5.5mm動作温度 Max = +80 ℃動作温度 Min = -20 ℃CSTシリーズ. ロードコンデンサ内蔵RoHS指令(10物質対応)対応