ディスクリート ：「スルーホール」の検索結果

ダイオード構成 = シングル。1チップ当たりのエレメント数 = 1。パッケージタイプ = SOD-64。ツェナータイプ = アバランシェ。ピン数 = 2。最大逆漏れ電流 = 50μA。寸法 = 4.3 (Dia.). x 4mm。動作温度 Min = -55 ℃A

標準ツェナー電圧 = 200V。実装タイプ = スルーホール。パッケージタイプ = SOD-64。ツェナータイプ = アバランシェ。ツェナー電圧許容性 = ± 2 %，± 5%。ピン数 = 3

ENEC、UL. DBシリーズマイクロスイッチ. DBシリーズマイクロスイッチは、高いリピート精度を実現する高精度スイッチです。DBシリーズは機械的寿命が長く、高温でも動作できます。. 定格電流: 最大10 A @ 250 V ac 補助アクチュエータ製品を用意 機械的寿命: 最大15 x 106回 多様な端子タイプを用意 ケースサイズ: V4

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 49mA。最大ツェナーインピーダンス = 7Ω。最大逆漏れ電流 = 10μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 39V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = DO-15。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 30mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

ダイオード構成 シングルV。実装タイプ スルーホール。最大パワー消費 3 W。パッケージタイプ DO-41。ツェナータイプ 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 5%。ピン数 2。テスト電流 66.9mA。最大ツェナーインピーダンス 250 Ω@ mA。最大逆漏れ電流 5 μA@ V。寸法 2.7 (Dia.) 5.2mm。動作温度 Max +200 ℃。ツェナーダイオード3 W、1N59xxBシリーズSurmetic、ON Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 51V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 5 W。パッケージタイプ = DO-15。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 25mA。最大ツェナーインピーダンス = 27Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 8.89 x 3.68 x 3.68mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード5 W Surmetic、1N5364 → 1N5388シリーズ、ON Semiconductor. 厳格な制限、優れた動作特性を備えるツェナーダイオード5 Wの一連のシリーズです。

標準ツェナー電圧 = 24V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 10.5mA。最大ツェナーインピーダンス = 25Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 17mA。最大ツェナーインピーダンス = 14Ω。最大逆漏れ電流 = 5μA。寸法 = 2.72 (Dia.) x 5.2mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード1 W、1N4728A～1N4758Aシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.1V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 550Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = -0.02 %/℃， 0.02%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

標準ツェナー電圧 = 16V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 1.3 W。パッケージタイプ = DO-41。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 15mA。最大ツェナーインピーダンス = 15Ω。最大逆漏れ電流 = 500nA。寸法 = 2.5 (Dia.) x 4.1mm。標準電圧温度係数 = 0.055 %/℃， 0.09%/℃。ツェナーダイオード1.3 W、BZX85シリーズ、Vishay Semiconductor. シリコン平面パワーツェナーダイオード 定格電力の高い安定回路及びクリッピング回路で使用

標準ツェナー電圧 = 15V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 6%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 110Ω。最大逆漏れ電流 = 2μA。寸法 = 1.7 (Dia.) x 3.9mm。標準電圧温度係数 = 0.03 %/℃， 0.11%/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX55Cシリーズ、Vishay Semiconductor. 小信号ツェナーダイオード 非常に優れた逆特性 低い逆電流レベル 非常に高い安定性 低ノイズ AEC-Q101認定

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 10 Ω @ 20 mA， 600 Ω @ 0.25 mA。最大逆漏れ電流 = 3μA。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。標準電圧温度係数 = 0.06%/℃。ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 5.6V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 電圧レギュレータ。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 5mA。最大ツェナーインピーダンス = 40Ω。最大逆漏れ電流 = 1μA。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。標準電圧温度係数 = -2 → 2.5mV/℃。ツェナーダイオード500 mW、BZX79Cシリーズ、Fairchild Semiconductor

標準ツェナー電圧 = 3.3V。1チップ当たりのエレメント数 = 1。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 20mA。最大ツェナーインピーダンス = 28Ω。最大逆漏れ電流 = 25μA。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。動作温度 Min = -65 ℃。ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor

ダイオード構成 = シングルV。実装タイプ = スルーホール。最大パワー消費 = 500 mW。パッケージタイプ = DO-35。ツェナータイプ = 汎用。ツェナー電圧許容性 = 5%。ピン数 = 2。テスト電流 = 7.8mA。最大ツェナーインピーダンス = 17Ω。最大逆漏れ電流 = 100nA。寸法 = 1.91 (Dia.) x 4.56mm。動作温度 Max = +200 ℃。ツェナーダイオード500 mW、1N52シリーズ、Fairchild Semiconductor