科学研究・開発用品 :「梱包用ケース」の検索結果

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高品質の単結晶SiC半絶縁ウェハ
仕様●ポリタイプ: 4H-SiC●サイズ: Φ4inch(99.5-100mm)●グレード: ZMP(プライムグレード相当)●厚さ: 500 μm +- 25μm●オフ角: <0001> on-axis +/-0.5°●オリフラ付: {10-10}に平行して+/-0.5°●長さ:32.5 +/- 2mm●マイクロパイプ密度: 1個以下/cm2●比抵抗値: ≧1E 10 Ω・cm●仕上げ: Si面→CMP、C面→ 光学鏡面●梱包:シングルケース アズワン品番68-4088-74
1枚
239,800 税込263,780
5日以内出荷

高品質の単結晶SiCアズスライスウエハ
仕様●結晶タイプ: 4H-SiC●導電型/ドーパント: Nタイプ、窒素●グレード: ダミーグレード●直径: 149.5mm~ 150.0mm (6インチ)●厚さ: 450 μm±15 μm●レーザーマーク: C面(裏面)側に有り●梱包形態: シングルウエハケースに1枚毎に梱包 アズワン品番68-4088-76
1枚
95,980 税込105,578
6日以内出荷

高品質の単結晶SiCウェハ
仕様●結晶タイプ: 4H-SiC●導電型/ドーパント: Nタイプ、窒素●グレード: プロダクション●直径: 149.5mm~ 150.0mm (6インチ)●厚さ: 350 μm±25 μm●オフ角度: <11-20 >に対して4°±0.5°●マイクロパイプ密度(MPD): 2 個/cm-2 以下●比抵抗値: 0.015~0.024Ω-cm●オリフラ: {10-10} ±5.0°、長さ47.5 mm ± 2.0 mm●エッジ除外領域(EE): ウェハ端から3mm●反り: LTV≦2.5μm、TTV≦6μm、BOW≦25μm、WARP≦35 μm●表面仕上げ: 両面CMP (Si面 Ra≦0.2 nm)●エッジクラック: 無●結晶多形: 無●エッジチッピング: 幅かつ長さ0.2mm以上のものは無●レーザーマーク: C面(裏面)側に有り●梱包形態: シングルウエハケースに1枚毎に梱包 アズワン品番68-4088-75
1枚
159,800 税込175,780
5日以内出荷

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